一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法。该有机发光显示面板包括显示区和围绕所述显示区的边框区，有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，有机发光像素图案均位于显示区，有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，第一像素图案位于边框区和第二像素图案之间，第一像素图案的规格与第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。本发明专利技术实施例解决了传统通过蚀刻工艺形成掩膜版开口时，因蚀刻工艺均一性差，掩膜版上边缘区域的开口尺寸、形状等不能满足制备像素图案要求的问题，对不满足要求的开口通过激光修补使其满足沉积像素图案的要求，避免在边框区设置虚设像素，有利于显示面板窄边框设计。

【技术实现步骤摘要】
一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法
本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法。
技术介绍
有机发光二极管显示器(OrganicLightEmittingDiode，OLED)是一种极具发展前景的平板显示技术。OLED具有依次形成于基板上的阳极、有机发光层和阴极。OLED各功能材料层与阴极金属层薄膜通过真空热蒸镀工艺制备，真空热蒸镀工艺需要使用掩膜版，掩膜版的作用是使OLED材料蒸镀到设计的位置，因此掩膜版的开孔位置、形状以及表面平整度等都相当重要。为了实现显示面板的窄边框设计，现有的掩膜版制作方法主要有蚀刻、电铸和激光这三种加工方法。其中，蚀刻作为较传统的制作工艺，掩膜版存在蚀刻均一性差的问题。通过蚀刻所形成的掩膜版开口中，边缘区域的开口尺寸较小，不能很好地应用于显示区，使得在制备掩膜版时需要将该尺寸规格不满足要求的开口设置为虚设开口，换言之，需要将尺寸规格不满足要求的开口在蒸镀时形成虚设像素，该虚设像素一般位于显示区的外围，不具备正常显示功能，例如在显示面板的边缘一般会形成至少两行两列的虚设像素开口，导致显示面板的边框区变宽。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法，通过激光修补工艺对掩膜版上不满足要求的开口进行激光修补处理，使其满足沉积像素图案的要求，利于显示面板的窄边框设计。第一方面，本专利技术实施例提供了一种有机发光显示面板，包括显示区和围绕所述显示区的边框区；>所述有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，所述有机发光像素图案均位于所述显示区；所述有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，所述第一像素图案位于所述边框区和所述第二像素图案之间，所述第一像素图案的规格与所述第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种有机发光显示装置，包括第一方面所述的有机发光显示面板。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种精密掩膜版，包括与显示区对应的蒸镀区以及围绕所述蒸镀区的非蒸镀区；所述蒸镀区包括多个用于形成像素图案的掩膜图案；所述掩膜图案包括第一掩膜图案和第二掩膜图案，所述第一掩膜图案位于所述非蒸镀区和所述第二掩膜图案之间，所述第一掩膜图案的规格与所述第二掩膜图案的规格在预设的公差范围之内。第四方面，本专利技术实施例还提供了一种精密掩膜版的制备方法，包括：提供一掩膜基板；采用光刻工艺在所述掩膜基板与显示区对应的蒸镀区蚀刻形成多个掩膜图案，所述掩膜图案用于形成像素图案；所述掩膜图案包括标准掩膜图案和异常掩膜图案，所述异常掩膜图案的规格与所述标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之外；采用激光蚀刻工艺对至少部分所述异常掩膜图案进行修补，形成多个激光修补掩膜图案，所述激光修补掩膜图案的规格与所述标准掩膜图案的规格在预设的公差范围之内。本专利技术实施例提供的有机发光显示面板，包括显示区和围绕所述显示区的边框区，有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，有机发光像素图案均位于显示区，有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，第一像素图案位于边框区和第二像素图案之间，第一像素图案的规格与第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。由于传统的刻蚀工艺存在均一性差的问题，掩膜版上尤其边缘区域的开口的尺寸、形状等不能满足制备像素图案的要求，一般会偏小。本专利技术实施例将不满足要求的开口通过激光修补后，能够对开口的尺寸、形状等进行调整，使其满足沉积像素图案的要求。即，该激光修补后的开口可组成激光修补掩膜图案，从而用于沉积形成第一像素图案。其中激光修补过程是利用激光束依次对开口边缘进行适当的激光刻蚀，从而实现开口的修补处理，保证了显示区制备的像素图案满足要求，从而避免在边框区形成虚设像素，有利于显示面板窄边框的设计。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1是本专利技术实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图。；图2为本专利技术实施例提供的一种掩膜版实施方式的结构示意图；图3为图2所示虚线框Aa中掩膜版和显示面板的放大示意图；图4为相关技术采用传统掩膜版实施方式结构放大示意图；图5为图3中虚线框Bb的局部放大示意图；图6是如图4所示相关技术中显示面板沿AA’剖面线处有机发光像素制备示意图；图7是图3中显示面板沿BB’剖面线处有机发光像素制备示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种精密掩膜版上第一开口的剖面放大示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种精密掩膜版上第二开口的剖面放大示意图；图10为现有技术中一种有机发光显示面板的示意图；图11为本专利技术实施例提供的又一种有机发光显示面板的示意图；图12为本专利技术实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种精密掩膜版的制备方法的工艺流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本专利技术具体实施例作进一步的详细描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。本专利技术实施例提供有机发光显示面板及装置、精密掩膜版及其制备方法，该有机发光显示面板包括显示区和围绕所述显示区的边框区，有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，有机发光像素图案均位于显示区，有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，第一像素图案位于边框区和第二像素图案之间，第一像素图案的规格与第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。其中，有机发光像素图案为掩膜时将有机发光材料或者发光补偿材料蒸镀到有机发光显示面板的阵列基板上形成的图案，该有机发光像素图案实质是显示面板每个像素中有机发光材料膜层或发光补偿材料的图案。该有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，第一像素图案和第二像素图案区别在于制备有机发光像素图案时所对应的掩膜版上掩膜开口不同。其中，第二像素图案所对应的掩膜开口采用传统的蚀刻工艺一步形成，也即第二像素图案对应的掩膜开口为标准掩膜开口；第一像素图案对应的掩膜开口则是由于传统蚀刻工艺的均一性差形成的规格不满足要求的掩膜开口，该不满足要求的掩膜开口进一步还进行了激光修补处理，从而达到制备有机发光像素图案的要求。换言之，第一像素图案对应的掩膜开口为激光修补掩膜开口。由于两种掩膜开口制备工艺上的差异，其在形状、尺寸等规格上也会存在微小的区别。基于此，阵列基板上所沉积形成的第一像素图案和第二像素图案也存在规格上的区别。此处第一像素图案和第二像素图案规格不同即表示第一像素图案和第二像素图案从形状、尺寸等图形参数存在一定差异。另外，本实施例所述的预设的公差范围是指，设计人员依据有机发光显示面板中像素的均一性要求，在规格上预先设定的第一像本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区的边框区；/n所述有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，所述有机发光像素图案均位于所述显示区；所述有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，所述第一像素图案位于所述边框区和所述第二像素图案之间，所述第一像素图案的规格与所述第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。/n

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区的边框区；
所述有机发光显示面板还包括多个有机发光像素图案，所述有机发光像素图案均位于所述显示区；所述有机发光像素图案包括第一像素图案和第二像素图案，所述第一像素图案位于所述边框区和所述第二像素图案之间，所述第一像素图案的规格与所述第二像素图案的规格在预设的公差范围之内。


2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一像素图案采用激光修补掩膜图案沉积形成，所述第二像素图案采用标准掩膜图案沉积形成。


3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一像素图案的轮廓线的锯齿程度大于所述第二像素图案的轮廓线的锯齿程度。


4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一像素图案和所述第二像素图案的边缘区域均包括阴影区，所述第一像素图案中所述阴影区的宽度小于所述第二像素图案中所述阴影区的宽度。


5.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一像素图案和所述第二像素图案的横截面均呈梯形，所述第一像素图案的阴影区的坡度角和所述第二像素图案的阴影区的坡度角在预设的公差范围之内。


6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板还包括公共有机膜层覆盖区，所述显示区位于所述公共有机膜层覆盖区中；
令同一位置处所述边框区的宽度为L1，所述显示区与所述公共有机膜层覆盖区的边缘的距离为L2，则L1和L2满足：L2/L1＜11％。


7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板还包括电极连接区，所述显示区与所述电极连接区无交叠；
令同一位置处所述边框区的宽度为L1，所述电极连接区与所述显示区的边缘的距离为L3，则L1和L3满足：L3/L1＜17％。


8.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的有机发光显示面板。


9.一种精密掩膜版，其特征在于，包括与显示区对应的蒸镀区以及围绕所述蒸镀区的非蒸镀区；
所述蒸镀区包括多个用于形成像素图案的掩膜图案；所述掩膜图案包括第一掩膜图案和第二掩膜图案，所述第一掩膜图案位于所述非蒸镀区和所述第二掩膜图案之间，所述第一掩膜图案的规格与所述第二掩膜图案的规格在预设的公差范围之内。


10.根据权利要求9所述的精密掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜图案采用蚀刻工艺和激光修补工艺形成，所述第二掩膜图案采用蚀刻工艺形成。


11.根据权利要求9所述的精密掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜图案的轮廓线的锯齿程度大于所述第二掩膜图案的轮廓线的锯齿程度。


12.根据权利要求9所述的精密掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜图案包括多个第一开口，所述第二掩膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国兵，辛宇，韩立静，陈娴，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31