半导体封装件及其制造方法技术

提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：衬底；第一缓冲器芯片和第二缓冲器芯片，其位于衬底的上部上；多个非易失性存储器芯片，其位于衬底的上部上，并且包括第一非易失性存储器芯片和第二非易失性存储器芯片，第一非易失性存储器芯片电连接至第一缓冲器芯片，第二非易失性存储器芯片电连接至第二缓冲器芯片；多个外部连接端子，其连接至衬底的下部；以及再布线图案，其位于衬底内部。再布线图案被配置为将通过多个外部连接端子中的一个外部连接端子接收的外部电信号分叉为第一信号和第二信号，将第一信号发送至第一缓冲器芯片，并且将第二信号发送至第二缓冲器芯片。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法相关申请的交叉引用该申请要求于2020年1月30日提交的韩国专利申请No.10-2020-0011060的优先权，该申请的公开内容以引用方式全文并入本文中。
本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
传统上已经将包括磁盘的硬盘驱动器(HDD)用作电子系统(诸如，计算机系统)的数据存储装置。随着半导体技术和便携式装置的发展，硬盘驱动器逐渐被包括非易失性存储器(诸如，闪速存储器(例如，NAND型闪速存储器)的固态驱动器(SSD)装置所取代。与硬盘驱动器相比，固态驱动器装置产生的更少的热量和噪声。此外，与硬盘驱动器相比，固态驱动器装置可以具有更快的访问速率、更高的集成度以及更高的抗外部冲击稳定性。此外，固态驱动器装置的数据传输速率可以比硬盘驱动器的数据传输速率快。固态驱动装置可以包括多个非易失性存储器芯片和多个通道，其中每个通道连接到一个或多个非易失性存储器芯片。随着固态驱动器装置的存储容量增加，连接到多个通道中的每一个的多个非易失性存储器芯片的数量增加。然而，当许多非易失性存储器芯片连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n衬底；/n位于所述衬底的上部上的第一缓冲器芯片和第二缓冲器芯片；/n位于所述衬底的上部上的多个非易失性存储器芯片，所述多个非易失性存储器芯片包括第一非易失性存储器芯片和第二非易失性存储器芯片，所述第一非易失性存储器芯片电连接至所述第一缓冲器芯片，所述第二非易失性存储器芯片电连接至所述第二缓冲器芯片；/n连接至所述衬底的下部的多个外部连接端子；以及/n位于所述衬底内的再布线图案，所述再布线图案被构造为：将通过所述多个外部连接端子中的一个外部连接端子接收的外部电信号分叉为第一信号和第二信号，将所述第一信号发送至所述第一缓冲器芯片，并且将所述第二信号发送至所述第二缓冲...

【技术特征摘要】
20200130 KR 10-2020-00110601.一种半导体封装件，包括：
衬底；
位于所述衬底的上部上的第一缓冲器芯片和第二缓冲器芯片；
位于所述衬底的上部上的多个非易失性存储器芯片，所述多个非易失性存储器芯片包括第一非易失性存储器芯片和第二非易失性存储器芯片，所述第一非易失性存储器芯片电连接至所述第一缓冲器芯片，所述第二非易失性存储器芯片电连接至所述第二缓冲器芯片；
连接至所述衬底的下部的多个外部连接端子；以及
位于所述衬底内的再布线图案，所述再布线图案被构造为：将通过所述多个外部连接端子中的一个外部连接端子接收的外部电信号分叉为第一信号和第二信号，将所述第一信号发送至所述第一缓冲器芯片，并且将所述第二信号发送至所述第二缓冲器芯片。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：
分叉芯片，
其中，所述分叉芯片从所述一个外部连接端子接收所述外部电信号，并且将接收的外部电信号发送至所述再布线图案。


3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述分叉芯片位于所述衬底的上部上。


4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述分叉芯片位于所述衬底内。


5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述外部电信号在所述再布线图案中的分叉点处被分叉为所述第一信号和所述第二信号，
所述第一缓冲器芯片和所述第二缓冲器芯片在第一方向上彼此间隔开，并且
所述分叉点在位于所述再布线图案的在所述第一方向上的中心处。


6.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：
控制器，
其中，所述外部电信号是从所述控制器接收的控制信号。


7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述再布线图案包括：
被构造为将所述第一信号发送至所述第一缓冲器芯片的第一竖直再布线图案和第一水平再布线图案，以及
被构造为将所述第二信号发送至所述第二缓冲器芯片的第二竖直再布线图案和第二水平再布线图案，
所述第一竖直再布线图案和所述第二竖直再布线图案在第一方向上延伸，
所述第一水平再布线图案和所述第二水平再布线图案在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，并且
所述第一水平再布线图案在所述第一方向上低于所述第二水平再布线图案。


8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述再布线图案包括第三竖直再布线图案，所述第三竖直再布线图案包括连接至所述一个外部连接端子的第一端，并且所述第三竖直再布线图案在所述第一方向上延伸，并且
所述外部电信号在所述第三竖直再布线图案的另一第二端处被分叉。


9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一缓冲器芯片和所述第二缓冲器芯片按照倒装芯片的形式连接至所述再布线图案。


10.一种半导体封装件，包括：
控制器，其发送包括第一通道信号和第二通道信号的控制信号；以及
接收所述第一通道信号的第一子非易失性存储器封装件和接收所述第二通道信号的第二子非易失性存储器封装件，
其中，所述第一子非易失性存储器封装件和所述第二子非易失性存储器封装件位于单个衬底上，并且
在衬底中从所述控制信号分叉出所述第一通道信号和所述第二通道信号。


11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述第一通道信号的传输长度与所述第二通道信号的传输长度相同。

【专利技术属性】
技术研发人员：李晟观，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR