扇出型硅中介物制造技术

一种扇出型硅中介物及包括其的芯片封装结构，芯片封装结构的形成方法包括：形成穿过硅衬底的硅穿孔结构的阵列，且在硅穿孔结构的阵列的后侧表面上形成封装侧金属接垫。在载体衬底之上设置硅衬底，并在硅衬底周围形成环氧模制化合物中介物框架。在硅衬底及环氧模制化合物中介物框架之上形成管芯侧重布线结构，并将至少一个半导体管芯贴合到管芯侧重布线结构。从封装侧金属接垫下方移除载体衬底。在封装侧金属接垫及环氧模制化合物中介物框架上形成封装侧重布线结构。封装侧重布内连线与封装侧金属接垫之间的覆叠容差由于封装侧金属接垫的面积增大而增大。

【技术实现步骤摘要】
扇出型硅中介物
本专利技术实施例涉及一种扇出型硅中介物。
技术介绍
在制造扇出型晶片级封装(fan-outwaferlevelpackage，FOWLP)期间，在形成环氧模制化合物(epoxymoldingcompound，EMC)框架及重布线层之前使用拾放操作来对管芯或中介物进行定位。所述拾放操作是在放置大约5微米或大于5微米的管芯或中介物期间可能会造成侧向上的变化的机械操作。由于衬底穿孔结构的节距接近大约10微米的尺寸，因此拾放操作期间的放置误差可导致衬底穿孔结构与重布线层之间出现有缺陷的电连接，且因此在包装半导体管芯期间导致良率损失。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种扇出型硅中介物，其包括：桥接管芯，包括延伸穿过硅衬底的硅穿孔结构的阵列；包封体中介物框架，在侧向上环绕桥接管芯；管芯侧重布线结构，包括管芯侧接合垫；封装侧金属接垫，接触硅穿孔结构的阵列的封装侧端面；以及封装侧重布线结构，在管芯侧重布线结构相对于桥接管芯的相对侧处位于封装侧金属接垫上。本专利技术实施例提供一种扇出型硅中介物，其包括：桥接管芯，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出型硅中介物，包括：/n桥接管芯，包括延伸穿过硅衬底的硅穿孔结构的阵列；/n包封体中介物框架，在侧向上环绕所述桥接管芯；/n管芯侧重布线结构，包括管芯侧接合垫；/n封装侧金属接垫，接触所述硅穿孔结构的阵列的封装侧端面；以及/n封装侧重布线结构，在所述管芯侧重布线结构相对于所述桥接管芯的相对侧处位于所述封装侧金属接垫上。/n

【技术特征摘要】
20200528 US 16/885,3841.一种扇出型硅中介物，包括：
桥接管芯，包括延伸穿过硅衬底的硅穿孔结构的阵列；
包封体中介物框架，在侧向上环绕所述桥...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹贤儒，吴志伟，卢思维，施应庆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71