转移头、转移装置和转移方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种转移头、转移装置和转移方法。所述转移头包括：衬底；多个转移部，所述转移部位于所述衬底上；所述转移部包括远离所述衬底一侧的转移结合面，所述转移结合面用于与所述芯片粘合；其中，所述转移结合面与所述芯片的结合力可调。与现有技术相比，本发明专利技术实施例能够同时满足芯片拾取和释放对转移头的不同需求，提升了转移头的转移能力。

【技术实现步骤摘要】
转移头、转移装置和转移方法
本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种转移头、转移装置和转移方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，显示方式由阴极射线显像管(CathodeRayTube，CRT)、液晶显示(LiquidCrystalDisplay)、有机发光二极管显示(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)逐渐发展至微发光二极管显示(MicroLightEmittingDiode，MicroLED)。其中，Micro-LED显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗和长寿命等优点，成为新一代显示技术的研究热点。在制备Micro-LED显示面板的工艺中，常用的技术有巨量转移技术，具体采用转移头对Micro-LED芯片进行拾取和释放。然而，现有的转移头的转移能力较差，无法同时满足芯片拾取和释放的需求，从而使得巨量转移的良率较低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种转移头、转移装置和转移方法，以同时满足芯片拾取和释放对结合力的不同需求，提升转移头的转移能力。为实现上述技术目的，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移头，其特征在于，所述转移头用于对芯片进行转移，所述转移头包括：/n衬底；/n多个转移部，所述转移部位于所述衬底上；所述转移部包括远离所述衬底一侧的转移结合面，所述转移结合面用于与所述芯片粘合；其中，所述转移结合面与所述芯片的结合力可调。/n

【技术特征摘要】
1.一种转移头，其特征在于，所述转移头用于对芯片进行转移，所述转移头包括：
衬底；
多个转移部，所述转移部位于所述衬底上；所述转移部包括远离所述衬底一侧的转移结合面，所述转移结合面用于与所述芯片粘合；其中，所述转移结合面与所述芯片的结合力可调。


2.根据权利要求1所述的转移头，其特征在于，所述转移结合面的尺寸大小可调，和/或所述转移结合面的粘度可调；
优选地，所述转移部的材料包括形状记忆型高分子材料，以调整所述转移结合面的大小；
优选地，所述转移部的材料包括粘度可调型高分子材料，以调整所述转移结合面的粘度。


3.根据权利要求2所述的转移头，其特征在于，所述转移部的材料包括电致变形材料；
优选地，所述电致变形材料包括：热致变形材料和导电材料；
优选地，所述热致变形材料包括：聚降冰片烯、聚氨酯、高反式聚异戊二烯、苯乙烯、7-丁二烯共聚物、含氟树脂、聚己酸内酯和聚酰胺中的至少一种；
所述导电材料包括：导电炭黑、金属粉末和导电高分子中的至少一种。


4.根据权利要求2所述的转移头，其特征在于，所述转移部的材料包括热致变形材料；
优选地，所述热致变形材料包括：聚降冰片烯、聚氨酯、高反式聚异戊二烯、苯乙烯、7-丁二烯共聚物、含氟树脂、聚己酸内酯或聚酰胺中的至少一种；
优选地，所述转移头还包括调温部，所述调温部位于所述衬底和所述转移部之间；或者，所述调温部位于所述衬底远离所述转移部的一侧。


5.根据权利要求2所述的转移头，其特征在于，所述转移部的材料包括光致变形材料；
优选地，所述光致变形材料包括高分子材料和光致变色基团；
优选地，所述高分子材料包括：聚乙烯、聚异戊二烯、聚酯、共聚酯、聚酰胺、共聚酰胺和聚氨酯中的至少一种；
所述光致变色基团包括：偶氮苯和螺苯并吡喃中的至少一种。


6.根据权利要求2所述的转移头，其特征在于，所述转移部的材料包括化学感应材料；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋玉华，董小彪，韩赛赛，王岩，姚志博，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51