降低光波导损耗的处理方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种降低光波导损耗的处理方法及装置，该降低光波导损耗的处理方法包括以下步骤：将划片后的芯片依次进行升温阶段、恒温阶段和降温阶段的处理；其中，升温阶段为：以预定升温速率升温至200～250℃；恒温阶段为：在200～250℃保持一定时间；降温阶段为：以预定降温速率降温至50±5℃。该降低光波导损耗的处理方法通过低温烘烤光子芯片恒定时间，消除或降低划片带来的应力问题，直接、快速的实现了光波导传输损耗的降低，同时低温烘烤避免了高温对光子芯片上器件的破坏，简单易行。

【技术实现步骤摘要】
降低光波导损耗的处理方法及装置
本专利技术涉及集成光子
，具体涉及一种降低光波导损耗的处理方法及装置。
技术介绍
集成光子技术类似于集成微电子技术，是在基于硅或与硅工艺兼容的其他材料平台上，实现微纳尺寸的信息功能器件，通过将各个器件互联，可以实现大规模集成，从而形成一个具有完整功能的新型芯片。绝缘体上的硅(SOI)平台上可以制作光波导，耦合器、调制器和分光器等各种光子器件，也可以掺杂Ge做探测器等有源器件，甚至激光器，具有与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容，集成密度高，加工工艺成熟等优点，成为目前集成光子技术的主流材料。光波导是光子芯片上的主要器件，波导损耗直接影响着光子器件的特性，光波导损耗主要有吸收损耗、散射损耗和耦合损耗，硅材料在1.5微米波长附近有良好的透过率，波导加工过程中的侧壁粗糙度造成的散射损耗是光波导损耗的主要因素，在光子芯片加工过程中采用氢气氛下的高温退火降低波导的侧壁粗糙度，温度一般是在1000℃以上，或者采用高温热氧化减低表面粗糙度。在基于标准CMOS工艺的硅光子工艺流程开发的光子芯片经过开窗后一般经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低光波导损耗的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将划片后的芯片依次进行升温阶段、恒温阶段和降温阶段的处理；/n其中，升温阶段为：以预定升温速率升温至200～250℃；/n恒温阶段为：在200～250℃保持一定时间；/n降温阶段为：以预定降温速率降温至50±5℃。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低光波导损耗的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
将划片后的芯片依次进行升温阶段、恒温阶段和降温阶段的处理；
其中，升温阶段为：以预定升温速率升温至200～250℃；
恒温阶段为：在200～250℃保持一定时间；
降温阶段为：以预定降温速率降温至50±5℃。


2.根据权利要求1所述的降低光波导损耗的处理方法，其特征在于，所述升温阶段的升温速率为1～5℃/min，时间为30～90min；
优选的，所述升温阶段的升温速率为2～4℃/min，时间为60～90min。


3.根据权利要求1所述的降低光波导损耗的处理方法，其特征在于，所述恒温阶段温度为200℃或250℃；时间为60～180min；
优选的，所述恒温阶段恒温时间为90～150min。


4.根据权利要求1所述的降低光波导损耗的处理方法，其特征在于，所述降温阶段的降温速率为1～5℃/min；
优选的，所述降温阶段以2～3℃/min降温至50±5℃。


5.根据权利要求1所述的降低光波导损耗的处理方法，其特征在于，在升温阶段之前对所述划片后的芯片进行清洗处理：采用半导体标准工艺清洗划片后的芯片。


6.根据权利要求1所述的降低光波导损耗的...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜博霞，亓岩，白谋，王延伟，韩哲，范元媛，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11