一种碳化硅衬底退火工艺及碳化硅衬底退火设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体领域，公开一种碳化硅衬底退火工艺及碳化硅衬底退火设备，一种碳化硅衬底退火工艺，具体包括：将双层掩蔽层放置于需退火的碳化硅衬底一侧，以遮蔽碳化硅衬底表面，且双层掩蔽层与碳化硅衬底之间的距离D满足：0μm＜D≤300μm；对碳化硅衬底进行退火处理。碳化硅衬底和双层掩蔽层之间的间距可以调整，进而达到改善碳化硅衬底表面粗糙度的目的。因此，碳化硅衬底退火结束后无需复杂的掩蔽层去除工艺，只需直接将双层掩蔽层拿走即可，从而在保证相同效果的情况下优化工艺来实现工艺成本的降低。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅衬底退火工艺及碳化硅衬底退火设备
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种碳化硅衬底退火工艺及碳化硅衬底退火设备。
技术介绍
碳化硅(SiC)作为第三代新型半导体，具有禁带宽度宽、临界击穿电场高、热导率高等特点，其应用在高温、高压、高频、大功率等领域相比于传统的硅基器件有很大优势。SiC器件由于材料特殊，因此和传统的Si相比，在工艺上存在很多区别。由于SiC键能很大且杂质在SiC中的固溶度很低，因此扩散工艺无法实现n型或p型掺杂，离子注入是实现SiC掺杂的唯一方法。由于离子注入工艺能量高、剂量大，因此会破坏SiC晶格结构，产生缺陷，造成不可忽视的影响。同时，杂质被注入到SiC衬底中，由于隧道效应(掺杂杂质并没有替位被掺杂的衬底元素)导致注入的杂质并不是全部有效的，需要对其进行进一步的激活处理。因此，需要对离子注入的衬底进行退火，退火工艺不仅可以修复晶格，显著降低缺陷密度，而且可以大幅提高杂质的激活率。由于SiC键能很大，因此需要在高温(1200℃-1800℃)下进行退火工艺。但同时高温又会导致SiC中的Si原子蒸发，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，包括：/n将双层掩蔽层放置于需退火的碳化硅衬底一侧，以遮蔽所述碳化硅衬底表面，且所述双层掩蔽层与所述碳化硅衬底之间的距离D满足：0μm＜D≤300μm；/n对所述碳化硅衬底进行退火处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，包括：
将双层掩蔽层放置于需退火的碳化硅衬底一侧，以遮蔽所述碳化硅衬底表面，且所述双层掩蔽层与所述碳化硅衬底之间的距离D满足：0μm＜D≤300μm；
对所述碳化硅衬底进行退火处理。


2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述双层掩蔽层采用以下工艺制作：
在1600℃-1700℃的氩环境中，直接在第一掩蔽层上用脉冲激光沉积法沉积第二掩蔽层。


3.根据权利要求2所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述第一掩蔽层的厚度为2μm-5μm。


4.根据权利要求2所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述第二掩蔽层的厚度为0.5μm-1μm。


5.根据权利要求1所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述双层掩蔽层与所述碳化硅衬底之间的距离为250μm-300μm。


6.根据权利要求1所述的碳化硅衬底退火工艺，其特征在于，所述双层掩蔽层的面积大于等于所述碳化硅衬底的面积。


7.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：林苡任，史波，陈道坤，曾丹，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44