一种MOEMS光开关抗高过载结构的网格设计方法技术

本发明专利技术涉及一种MOEMS光开关抗高过载结构的网格设计方法。包括以下内容：该光开关结构包含器件层(1)(包括输入光纤、输出光纤、可动式微镜、电热保险机构、电热驱动机构)、埋氧层(2)、衬底层(3)，其特征在于：将光开关的衬底层设计成镂空的网格形状，光开关结构中器件层的可动式微镜与衬底层之间有0.5μm的微小间隙，当光开关受到垂直器件层上表面的高过载冲击时，衬底层的抗过载网格可以有效的避免形变应力的集中、同时最大程度的减少受到的最大形变应力，有效保护器件层不会因高过载而发生变形，从而避免光开关结构的损坏。本发明专利技术对MOEMS光开关装置进行了结构优化设计，提高了光开关的抗高过载性能，推动了光开关在引信全电子安全系统中的运用。

【技术实现步骤摘要】
一种MOEMS光开关抗高过载结构的网格设计方法
本专利技术涉及设计光开关抗高过载结构的
，具体涉及一种MOEMS光开关抗高过载结构的网格设计方法。
技术介绍
引信全电子安全系统是集引信起爆技术与微电子技术于一体的高新技术，有别于传统的引信安全系统，它具有可靠性高、安全性强和作用迅速等优点。但在实际的使用过程中其也存在大量的电磁安全隐患：由于引信安全系统的电子元器件繁多且各集成电路较为复杂，导致各部分之间容易产生电磁干扰能量，从而导致引信安全系统内部产生严重的电磁干扰现象，并且外部环境的电磁能量也容易对引信系统产生电磁干扰，进而引起引信系统的失效或者早炸。将MOEMS光开关引入引信安全系统可以有效的切断电磁能量的传输途径，实现由电到光再到电的能量传输，避免电磁干扰现象的产生，提高引信安全系统的电磁兼容性。MOEMS光开关的主流制备工艺可分为体硅加工工艺和表面微加工工艺，由于硅刻蚀工艺比较成熟且应用较为广泛，因此目前大部分的MOEMS光开关都是以单晶硅作为基体材料进行加工制备的。但硅材料硬而脆，当受到高加速度冲击时容易变形和断裂，导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOEMS光开关抗高过载结构的网格设计方法。参考图1，其结构由器件层(1)(输入光纤、输出光纤、可动式微镜、电热保险机构和电热驱动机构)、埋氧层(2)和衬底层(3)组成。其特征在于：将衬底层设计为镂空的网格形状，参考图3，整个衬底层被设计成方形的各种网格形状，参考图4，衬底层与器件层装配时衬底层和可动式微镜之间有0.5μm的间隙。其作用为：当光开关结构受到高加速度冲击时，这种优化的网格结构可以有效的分散形变应力并且最大程度的减小最大形变应力，从而防止光开关器件层因高过载产生无法复原的塑性形变。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOEMS光开关抗高过载结构的网格设计方法。参考图1，其结构由器件层(1)(输入光纤、输出光纤、可动式微镜、电热保险机构和电热驱动机构)、埋氧层(2)和衬底层(3)组成。其特征在于：将衬底层设计为镂空的网格形状，参考图3，整个衬底层被设计成方形的各种网格形状，参考图4，衬底层与器件层装配时衬底层和可动式微镜之间有0.5μm的间隙。其作用为：当光开关结构受到高加速度冲击时，这种优化的网格结构可以有效的分散形变应力并且最大程度的减小最大形变应力，从而防止光开关器件层因高过载产生无法复原的塑性形变。


2.根据权利要求1所述的一种MOEMS光开关抗高过载结构的网格设计方法，其特征在于：该抗高过载光开关结构的埋氧层可以将器件层悬空使其能够自由运动，...

【专利技术属性】
技术研发人员：代俊，张崇飞，谢晋，王齐伟，熊壮，唐彬，刘莹，邵瑞文，董伟康，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：北京;11