【技术实现步骤摘要】
一种IGBT导通损耗测试电路及系统
本申请涉及微电子
，具体而言，涉及一种IGBT导通损耗测试电路及系统。
技术介绍
高压绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称IGBT)在开关工作状态时，经历较高频率的高低压工作状态转换。在导通工作状态下，IGBT的发射极与集电极间流过较大电流，会产生较大的功率损耗，此损耗与流过IGBT的电流大小、占空比、IGBT结温及不同驱动电压相关，准确测量此导通损耗，可以对IGBT长期工作可靠性做出更准确判断，以及对同一电路中，不同的IGBT替换后性能对比做出更准确的评估。有鉴于此，如何准确测量IGBT的导通损耗，是本领技术人员需要解决的一大问题。
技术实现思路
本申请提供一种IGBT导通损耗测试电路及系统，能够准确测出IGBT的导通损耗。第一方面，本申请实施例提供一种IGBT导通损耗测试电路，包括：脉冲信号单元、驱动单元、开关速度调节单元、待测单元、钳位电路和测试单元；脉冲信号单元与驱动单元的一...
【技术保护点】
1.一种IGBT导通损耗测试电路，其特征在于，包括：/n脉冲信号单元、驱动单元、开关速度调节单元、待测单元、钳位电路和测试单元；/n所述脉冲信号单元与所述驱动单元的一端连接，所述驱动单元的另一端与所述开关速度调节单元的一端连接，所述开关速度调节单元的另一端与待测单元连接，所述待测单元的另一端与所述钳位电路连接；/n所述脉冲信号单元用于提供脉冲信号；/n所述驱动单元用于放大所述脉冲信号，并将放大后的所述脉冲信号通过所述开关速度调节单元传输至所述待测单元以驱动所述待测单元；/n所述开关速度调节单元用于控制所述待测单元的导通速度和关断速度；/n所述钳位电路用于提供所述待测单元的低...
【技术特征摘要】
1.一种IGBT导通损耗测试电路，其特征在于，包括：
脉冲信号单元、驱动单元、开关速度调节单元、待测单元、钳位电路和测试单元；
所述脉冲信号单元与所述驱动单元的一端连接，所述驱动单元的另一端与所述开关速度调节单元的一端连接，所述开关速度调节单元的另一端与待测单元连接，所述待测单元的另一端与所述钳位电路连接；
所述脉冲信号单元用于提供脉冲信号；
所述驱动单元用于放大所述脉冲信号，并将放大后的所述脉冲信号通过所述开关速度调节单元传输至所述待测单元以驱动所述待测单元；
所述开关速度调节单元用于控制所述待测单元的导通速度和关断速度；
所述钳位电路用于提供所述待测单元的低压检测环境；
所述测试单元与所述待测单元和所述钳位电路连接，所述测试单元用于测试所述待测单元的导通损耗。
2.根据权利要求1所述的IGBT导通损耗测试电路，其特征在于，所述脉冲信号单元包括时基电路芯片、第一电位器、第一开关、第一电容、第二电容和第三电容；
所述时基电路芯片分别与所述第一电位器、第一开关、第一电容、第二电容和第三电容连接；
所述第一电位器的一端与所述第一开关和所述第二电容连接；
所述第一电位器的另一端、所述第三电容和所述时基电路芯片分别与供电电压连接；
所述第一开关、所述第二电容和所述第三电容远离所述第一电位器的一端接地，所述第一电容远离所述时基电路芯片的一端接地。
3.根据权利要求2所述的IGBT导通损耗测试电路，其特征在于，所述时基电路芯片包括接地端、触发输入端、输出端、复位端、控制电压端、阈值端和电源正端；
所述接地端与地连接；
所述触发输入端与所述第一电位器、所述第一开关和所述第二电容的一端以及所述阈值端连接；
所述输出端与所述开关速度调节单元连接；
所述复位端、所述第一电位器的另一端、所述第三电容的一端以及所述电源正端与供电电压连接；
所述控制电压端与所述第一电容的一端连接。
4.根据权利要求1所述的IGBT导通损耗测试电路，其特征在于，所述驱动单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第四三极管；
所述第一电阻的一端与供电电压连接，另一端与所述第一三极管的基极连接；
所述第二电阻的一端与供电电压连接，另一端与所述第一三极管的集电极以及第二三极管的基极连接；
所述第三电...
【专利技术属性】
技术研发人员：于圣慧，姜明宝，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22
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