一种肖特基结可靠性评估方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种肖特基结可靠性评估方法及装置，该方法包括：通过对待测器件进行栅漏间电压测试，提取待测器件的多个测试电压；采用中位秩估计法计算多个测试电压的累积分布函数；将累积分布函数进行线性拟合得到累积分布函数拟合图；根据累积分布函数拟合图中偏离线性区域的缺陷点数，计算待测器件的缺陷栅极密度，并根据缺陷栅极密度评估待测器件肖特基结的可靠性。本发明专利技术实施例在对测试电压进行线性拟合得到对应的累积分布函数拟合图后，根据累积分布函数拟合图来计算待测器件的缺陷密度，从而根据该缺陷密度评估待测器件肖特基结的可靠性，能够准确对待测器件的肖特基结的缺陷进行评估，进而能够有效提高肖特基结可靠性评估的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基结可靠性评估方法及装置
本专利技术涉及半导体器件
，尤其是涉及一种肖特基结可靠性评估方法及装置。
技术介绍
目前，现有的肖特基结可靠性评估方法通常为根据待测GaN基器件的串联电阻随温度的变化曲线、肖特基势垒高度与理想因子之间的关系曲线，对待测GaN基器件肖特基接触的可靠性进行评价。但是现有的肖特基结可靠性评估方法无法准确对肖特基结的缺陷进行评估，导致对肖特基结可靠性的评估效果较低。
技术实现思路
本专利技术提供一种肖特基结可靠性评估方法及装置，以解决现有的肖特基结可靠性评估方法无法准确对肖特基结的缺陷进行评估，导致对肖特基结可靠性的评估效果较低的技术问题。本专利技术的第一实施例提供了一种肖特基结可靠性评估方法，包括：通过对待测器件进行栅漏间电压测试，提取所述待测器件的多个测试电压；采用中位秩估计法计算多个所述测试电压的累积分布函数；将所述累积分布函数进行线性拟合得到累积分布函数拟合图；根据所述累积分布函数拟合图中偏离线性区域的缺陷点数，计算所述待测器件的缺陷栅极密度，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种肖特基结可靠性评估方法，其特征在于，包括：/n通过对待测器件进行栅漏间电压测试，提取所述待测器件的多个测试电压；/n采用中位秩估计法计算多个所述测试电压的累积分布函数；/n将所述累积分布函数进行线性拟合得到累积分布函数拟合图；/n根据所述累积分布函数拟合图中偏离线性区域的缺陷点数，计算所述待测器件的缺陷栅极密度，并根据所述缺陷栅极密度评估所述待测器件肖特基结的可靠性。/n

【技术特征摘要】
1.一种肖特基结可靠性评估方法，其特征在于，包括：
通过对待测器件进行栅漏间电压测试，提取所述待测器件的多个测试电压；
采用中位秩估计法计算多个所述测试电压的累积分布函数；
将所述累积分布函数进行线性拟合得到累积分布函数拟合图；
根据所述累积分布函数拟合图中偏离线性区域的缺陷点数，计算所述待测器件的缺陷栅极密度，并根据所述缺陷栅极密度评估所述待测器件肖特基结的可靠性。


2.如权利要求1所述的肖特基结可靠性评估方法，其特征在于，所述测试电压包括反向击穿电压和正向施加电压，所述通过对待测器件进行栅漏间电压测试，提取所述待测器件的多个测试电压，具体为：
对所述待测器件进行反向击穿电压测试，以第一预设步长扫描漏极电压，提取栅极电流为第一预设值时的多个反向击穿电压；
对所述待测器件进行正向测试，以第二预设步长扫描源极电压，提取栅极电流为第二预设值时的多个正向施加电压。


3.如权利要求1所述的肖特基结可靠性评估方法，其特征在于，所述待测器件的源-栅距离与栅-漏距离相同，且与实际器件的栅-漏距离相同。


4.如权利要求1所述的肖特基结可靠性评估方法，其特征在于，所述根据所述累积分布函数拟合图中偏离线性区域的缺陷点数，计算所述待测器件的缺陷栅极密度，并根据所述缺陷栅极密度评估所述待测器件肖特基结的可靠性，具体为：
获取所述累积分布函数拟合图中偏离线性区域的缺陷样品总数，采用预设的置信度以及统计函数对所述缺陷样品总数进行修正，得到修正缺陷样品数量；
根据所述修正缺陷样品数量、测试的样品总数以及肖特基结的栅宽，计算得到待测器件的缺陷栅宽密度；
根据所述缺陷栅极密度评估所述待测器件肖特基结的可靠性。


5.如权利要求1所述的肖特基结可靠性评估方法，其特征在于，在“将所述累积分布函数进行线性拟合得到累积分布函数拟合图”之后，还包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：杨天应，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44