用于检测薄膜的污染的系统和方法技术方案

薄膜沉积系统在晶圆上沉积薄膜。辐射源利用激发光照射晶圆。发射物传感器检测响应于激发光的来自晶圆的发射光谱。基于机器学习的分析模型分析光谱，并且基于光谱检测薄膜的污染。本发明专利技术的实施例还涉及用于检测薄膜的污染的系统和方法。

【技术实现步骤摘要】
用于检测薄膜的污染的系统和方法
本专利技术的实施例涉及用于检测薄膜的污染的系统和方法。
技术介绍
一直存在对增加电子器件中的计算能力的持续需求，电子器件包括智能电话、平板电脑、台式计算机、膝上型计算机和许多其他种类的电子器件。集成电路为这些电子器件提供计算能力。增加集成电路中的计算能力的一种方式是增加半导体衬底的给定区域可以包括的晶体管和其他集成电路部件的数量。为了继续减小集成电路中的部件的尺寸，实现了各种薄膜沉积技术。这些技术可以形成非常薄的膜。然而，薄膜沉积技术在确保正确形成薄膜方面也面临严重困难。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种用于检测薄膜的污染的方法，包括：在薄膜沉积室中在晶圆上沉积薄膜；利用激发光照射所述薄膜；检测响应于所述激发光的来自所述薄膜的发射光谱；以及通过利用控制系统的分析模型分析所述发射光谱来检测所述薄膜的污染。本专利技术的另一实施例提供了一种用于检测薄膜的污染的系统，包括：薄膜沉积室，配置为在晶圆上沉积薄膜；辐射源，配置为利用激发光照射所述薄膜；发射物传感器，配置为检测响应于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于检测薄膜的污染的方法，包括：/n在薄膜沉积室中在晶圆上沉积薄膜；/n利用激发光照射所述薄膜；/n检测响应于所述激发光的来自所述薄膜的发射光谱；以及/n通过利用控制系统的分析模型分析所述发射光谱来检测所述薄膜的污染。/n

【技术特征摘要】
20200430 US 63/018,312;20210205 US 17/169,1011.一种用于检测薄膜的污染的方法，包括：
在薄膜沉积室中在晶圆上沉积薄膜；
利用激发光照射所述薄膜；
检测响应于所述激发光的来自所述薄膜的发射光谱；以及
通过利用控制系统的分析模型分析所述发射光谱来检测所述薄膜的污染。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述薄膜沉积室中利用所述激发光照射所述薄膜。


3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将所述晶圆从所述薄膜沉积室传送到检测室；以及
在所述检测室中利用所述激发光照射所述薄膜。


4.根据权利要求3所述的方法，还包括在利用所述激发光照射所述薄膜时，在所述检测室中保持所述薄膜沉积室的真空条件。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，检测污染包括检测所述薄膜的氧化。


6.根据权利要求5所述的方法，还包括：利用所述控制系统基于检测所述薄膜的氧化来检测所述薄膜沉积室中的泄漏。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：程仲良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71