一种双侧斐索干涉仪检测装置制造方法及图纸

一种双侧斐索干涉仪检测装置，包括光源模块，第一干涉仪主机，第二干涉仪主机，第一标准镜，第二标准镜，被测非透明平面；所述的第一干涉仪主机、第二干涉仪主机均为斐索干涉仪。本发明专利技术将点光源位于准直镜的焦面但不在焦点上，从而使经准直镜透射的出射光与干涉仪光轴具有夹角，通过与光阑配合，使对侧干涉仪的出射光进入到本侧干涉仪后，汇聚在光阑的遮光区，不影响本侧干涉仪干涉图的接收；或者使用光开关，使第一干涉仪主机、第二干涉仪主机单独工作。本发明专利技术有效的提高了干涉图的质量，具有装置结构简单，操作方便，测量精度高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种双侧斐索干涉仪检测装置
本专利技术涉及干涉测量领域，具体为一种用于测量非透明平面表面形貌的双侧斐索干涉仪检测装置。
技术介绍
集成电路是促进产业不断改革的关键技术，随着光刻特征尺寸的不断减小，硅片表面形貌对光刻性能的影响越来越显著。作为一种特殊的非透明平面光学元件，通过对硅片表面平整度，形状等参数的检测，能够计算出硅片形貌对光刻聚焦深度的影响，同时能够计算硅片表面应力，实现对光刻图形面内畸变的检测，减小从光刻之外其他工艺导致的套刻误差。因此，为了不断减小硅片表面形貌的测量精度，未来的技术节点需要更好平整度的硅片及更高检测精度的计量工具。基于电容传感器等的点扫描测量设备是测量硅片形貌和平整度的主流方法之一，通过单点扫描的方式实现对硅片表面形貌的测量，美国KLA公司,日本kobelcokaken公司等均曾采用该方法。但该方法检测精度及检测效率均受限，不适用现代工艺技术的发展需求。目前，用于硅片表面形貌测量的普通电容测量工具已被具有更高灵敏度和分辨率的干涉测量工具取代。CorningTropel公司采用斜入射干涉仪测量硅片表面形貌本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双侧斐索干涉仪检测装置，包括共光路且相对放置的第一干涉仪主机(2)和第二干涉仪主机(3)，以及参考面平行的第一标准镜(4)和第二标准镜(6)；所述的第一干涉仪主机(2)和第二干涉仪主机(3)出射光传播路径一致，方向相反，所述的第一干涉仪主机(2)和第二干涉仪主机(3)均包括沿光轴依次设置的点光源、分束器(203)和准直镜(205)，以及光阑(206)和探测器(208)；其特征在于：所述的点光源位于准直镜(205)的焦面非焦点处，使点光源依次经分束器(203)和准直镜(205)透射的出射光与所述的光轴具有夹角，进而使经所述的第一干涉仪主机(2)进入第二干涉仪主机(3)的光线汇聚在第二干涉...

【技术特征摘要】
1.一种双侧斐索干涉仪检测装置，包括共光路且相对放置的第一干涉仪主机(2)和第二干涉仪主机(3)，以及参考面平行的第一标准镜(4)和第二标准镜(6)；所述的第一干涉仪主机(2)和第二干涉仪主机(3)出射光传播路径一致，方向相反，所述的第一干涉仪主机(2)和第二干涉仪主机(3)均包括沿光轴依次设置的点光源、分束器(203)和准直镜(205)，以及光阑(206)和探测器(208)；其特征在于：所述的点光源位于准直镜(205)的焦面非焦点处，使点光源依次经分束器(203)和准直镜(205)透射的出射光与所述的光轴具有夹角，进而使经所述的第一干涉仪主机(2)进入第二干涉仪主机(3)的光线汇聚在第二干涉仪主机(3)的光阑(206)的遮光区，不射入该第二干涉仪主机(3)的探测器(208)；同样，经所述的第二干涉仪主机(3)出射并进入第一干涉仪主机(2)的光线，汇聚在第一干涉仪主机(2)的光阑(206)的遮光区，不射入该第一干涉仪主机(2)的探测器(208)。


2.一种双侧斐索干涉仪检测装置，包括共光路且相对放置的第一干涉仪主机(2)和第二干涉仪主机(3)，以及参考面平行的第一标准镜(4)和第二标准镜(6)；所述的第一干涉仪主机(2)和第二干涉仪主机(3)出射光传播路径一致，方向相反，所述的第一干涉仪主机(2)和第二干涉仪主机(3)均包括沿光轴依次设置的点光源、分束器(203)和准直镜(205)，以及光阑(206)和探测器(208)；其特征在于：所述的第一干涉仪主机(2)或第二干涉仪主机(3)还包括光开关(20X...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏相宇，唐锋，卢云君，郭福东，王向朝，陈梦来，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，上海精测半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31