半导体零部件和等离子体处理装置制造方法及图纸

一种半导体零部件和等离子体处理装置，其中，所述半导体零部件包括：零部件本体；结合层，位于所述零部件本体的表面；耐腐蚀涂层，位于所述结合层的表面，所述耐腐蚀涂层的材料包括硅铝氧氮化合物。所述半导体零部件耐等离子体腐蚀的能力较强，不易产生颗粒污染。

【技术实现步骤摘要】
半导体零部件和等离子体处理装置
本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体零部件和等离子体处理装置。
技术介绍
等离子体蚀刻工艺在集成电路领域发挥了关键作用。对处于等离子体刻蚀腔室内恶劣腐蚀环境下的部件来说，需要具有相当高的耐等离子体腐蚀性。为此，有专利提出用氧化铝或氧化钇耐腐蚀涂层对等离子体刻蚀腔室内部部件表面涂覆以保护工件，产生了良好的耐等离子体腐蚀的效果。然而，氧化铝耐腐蚀涂层易与等离子体环境中的氟离子反应形成易挥发的铝氟副产物，所述铝氟副产物若发生跌落将对基片造成污染。而氧化钇耐腐蚀涂层的制备成本较高，且其热膨胀系数较大，在等离子体轰击腐蚀的过程中，氧化钇边界处残余应力易导致产生气孔或开裂，因此，迫切需要提供一种耐等离子体腐蚀的半导体零部件，以降低颗粒污染问题。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是提供了一种半导体零部件和等离子体处理装置，以降低颗粒污染。为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体零部件，包括：零部件本体；结合层，位于所述零部件本体的表面；耐腐蚀涂层，位于所述结合层的表面，所述耐腐蚀涂层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体零部件，其特征在于，包括：/n零部件本体；/n结合层，位于所述零部件本体的表面；/n耐腐蚀涂层，位于所述结合层的表面，所述耐腐蚀涂层的材料包括硅铝氧氮化合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体零部件，其特征在于，包括：
零部件本体；
结合层，位于所述零部件本体的表面；
耐腐蚀涂层，位于所述结合层的表面，所述耐腐蚀涂层的材料包括硅铝氧氮化合物。


2.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，还包括：过渡层，位于所述结合层与耐腐蚀涂层之间。


3.如权利要求2所述的半导体零部件，其特征在于，所述过渡层的材料为结合层材料与耐腐蚀涂层材料的混合物；自所述结合层的表面沿过渡层的厚度方向，所述过渡层中的结合层的材料依次减少所述耐腐蚀涂层的材料依次增加。


4.如权利要求3所述的半导体零部件，其特征在于，自所述结合层的表面沿过渡层的厚度方向，所述过渡层中耐腐蚀涂层的材料按5wt％～99wt％均匀分布。


5.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层为结晶结构。


6.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的材料为α-SiAlON或者β-SiAlON。


7.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙祥，段蛟，陈星建，杜若昕，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31