一种限制环、以及等离子体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种限制环、以及等离子体处理装置，通过在气体通道内设置非纵向弯折部，增大了等离子体与气体通道碰撞几率，有效的将等离子体限制在处理区域内，大大减小了深宽比，从而降低了气阻。

【技术实现步骤摘要】
一种限制环、以及等离子体处理装置
本技术涉及等离子体处理装置
，尤其涉及一种等离子体处理装置中的等离子体限制环

技术介绍
等离子体处理装置是利用真空反应腔的工作原理进行半导体基片的加工。真空反应腔的工作原理是在真空反应腔中通入含有适当刻蚀剂或沉积源气体的反应气体，然后再对反应腔进行射频能量输入，以激活反应气体，来点燃和维持等离子体，以便刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上沉淀材料层，进而对半导体基片进行加工。例如，电容性等离子体反应装置已经被广泛应用于加工半导体基片，在电容性等离子体反应装置中，当射频功率被施加到上电极或下电极之一时，就在电极之间形成电容性放电。在等离子体产生后，大部分等离子体会处于上下电极之间的处理区域，但由于等离子体具有扩散性，还是有部分等离子体可能充满整个反应腔，到达排气区域，若等离子体到达非处理区域，例如排气区域，那么这些区域可能会被等离子体腐蚀、侵蚀，或发生沉积，从而导致反应腔内颗粒污染，降低反应腔内零件工作寿命，影响半导体加工质量。因此，需要将等离子体限制在处理区域内，现有技术中一般采本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种限制环，其用于等离子体处理装置，设置于所述等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间，其特征在于：包括：/n环状本体，所述环状本体具有上表面和与上表面相对的下表面；/n所述环状本体包括至少一个气体通道，所述气体通道贯穿所述上表面和下表面；所述气体通道包括位于上表面和下表面之间的至少一个非纵向弯折部。/n

【技术特征摘要】
1.一种限制环，其用于等离子体处理装置，设置于所述等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间，其特征在于：包括：
环状本体，所述环状本体具有上表面和与上表面相对的下表面；
所述环状本体包括至少一个气体通道，所述气体通道贯穿所述上表面和下表面；所述气体通道包括位于上表面和下表面之间的至少一个非纵向弯折部。


2.如权利要求1所述的限制环，其特征在于：位于所述非纵向弯折部的气体通道与上表面或下表面的角度为大于等于0°小于90°。


3.如权利要求2所述的限制环，其特征在于：所述角度为0°。


4.如权利要求1所述的限制环，其特征在于：所述气体通道呈环状沿着环状本体周向延伸，相邻的所述气体通道之间相互隔离。


5.如权利要求4所述的限制环，其特征在于：所述气体通道还包括：主通道、以及至少两个与同一主通道相通的副通道；其中，所述主通道的气体入口位于上表面，所述副通道的气体出口位于下表面，所述非纵向弯折部位于主通道和副通道的连接处。


6.如权利要求4所述的限制环，其特征在于：所述气体通道还包括：主通道、以及至少两个与同一主通道相通的副通道；其中，所述主通道的气体出口位于下表面，所述副通道的气体入口位于上表面，所述非纵向弯折部位于主通道和副通道的连接处。


7.如权利要求5所述的限制环，其特征在于：所述限制环还包括间隔部；与同一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金全，傅时梁，王明明，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31