用于3D NAND的源极侧编程、方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种源极侧编程方法和系统。存储器阵列的多个块中的坏触发块可通过确定块的漏极侧选择栅极的阈值电压分布以及确定该分布是否异常来检测。如果分布异常，则该块是坏触发块，这可能导致另一个块中的故障。如果块是坏触发块，则通过经由源极侧线将非零电压施加到坏触发块的至少一个源极侧字线来对坏触发块的至少一个字线执行源极侧编程。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于3DNAND的源极侧编程、方法和装置相关申请的交叉引用本申请要求2019年6月26日提交的美国非临时申请序列号16/453,268的优先权和权益。
技术介绍
1.
符合示例性实施方案的系统、装置和方法涉及三维(3D)NAND闪存存储器的编程，并且更具体地涉及3DNAND闪存存储器设备的源极侧编程。2.相关领域的描述3DNAND闪存存储器是一种类型的非易失性闪存存储器，其中存储器单元竖直堆叠在多个层中。开发3DNAND以解决在缩放二维(2D)NAND技术中遇到的挑战，从而以较低的每位成本实现较高的密度。存储器单元是能够存储电子信息的电子设备或部件。非易失性存储器可利用浮栅晶体管、电荷俘获晶体管或其他晶体管作为存储器单元。调整浮栅晶体管或电荷俘获晶体管的阈值电压的能力允许晶体管充当非易失性存储元件(即，存储器单元)，诸如存储单个数据位的单级单元(SLC)。在一些情况下，可通过编程和读取多个阈值电压或阈值电压范围来提供每个存储器单元多于一个数据位(例如，在多级单元中)。此类单元包括但不限于每单元存储两位的多级单元(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种编程方法，所述编程方法包括：/n确定存储器单元阵列的多个块中的块包括故障；/n在确定所述块包括故障时，将所述块标记为坏块；/n检测所述坏块的漏极侧选择栅极上的阈值电压分布；/n确定所述阈值电压分布是否异常；以及/n如果所述阈值电压分布异常，则经由所述存储器单元阵列的源极侧将电压施加到所述坏块的至少一个字线。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190626 US 16/453,2681.一种编程方法，所述编程方法包括：
确定存储器单元阵列的多个块中的块包括故障；
在确定所述块包括故障时，将所述块标记为坏块；
检测所述坏块的漏极侧选择栅极上的阈值电压分布；
确定所述阈值电压分布是否异常；以及
如果所述阈值电压分布异常，则经由所述存储器单元阵列的源极侧将电压施加到所述坏块的至少一个字线。


2.根据权利要求1所述的编程方法，其中所述存储器单元阵列为3DNAND闪存存储器。


3.根据权利要求1所述的编程方法，其中所述至少一个字线包括最靠近所述存储器单元阵列的所述源极侧的三个字线。


4.根据权利要求1所述的编程方法，其中经由所述存储器单元阵列的所述源极侧将所述电压施加到所述坏块的所述至少一个字线包括：
在0V下驱动所述坏块的漏极侧位线和漏极侧选择栅极；
向所述坏块的源极侧选择栅极施加非零电压；以及
在0V下驱动连接到所述坏块的源极线。


5.一种非易失性存储器存储系统，所述非易失性存储器存储系统包括：
存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元块；和
编程电路，所述编程电路包括：
标记电路，所述标记电路被配置为在确定所述多个块中的块包括故障时，将所述块标记为坏块；
检测电路，所述检测电路被配置为检测所述坏块的漏极侧选择栅极上的阈值电压分布，并确定所述阈值电压分布是否异常；以及
源极侧编程电路，所述源极侧编程电路被配置为在确定所述阈值电压异常时，经由所述存储器单元阵列的源极侧将电压施加到所述坏块的至少一个字线。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨翔，B·墨菲，L·德拉拉玛，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US