复合式微型发光二极管、显示面板、及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种复合式微型发光二极管,该复合式微型发光二极管包括第一微型发光二极管和第二微型发光二极管；第一微型发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层以及第一量子阱层；第二微型发光二极管包括第三半导体层、第四半导体层以及第二量子阱层；第一半导体层和所述第四半导体层具有第一极性，第二半导体层和第三半导体层具有第二极性；第二半导体层和第三半导体层材质相同，第二半导体层和第三半导体层结合于一起以使得第一微型发光二极管和第二微型发光二极管结合于一起；第一量子阱层和第二量子阱层参杂的材质不同。此外，本发明专利技术还提供了一种显示面板和电子设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合式微型发光二极管、显示面板、及电子设备
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种复合式微型发光二极管、显示面板、及电子设备。
技术介绍
发光二极管(LED)通常通过单色光之LED搭配波长转换物质产生白光效果，如红色LED、蓝色LED或绿色LED分别通过搭载量子点层、荧光粉层或磷光体层的方式产生白光效果,或者透过晶圆转接(wafertransfer)方式将不同材料的芯片压焊在一起，使得原本发出不同光线的芯片组合，以发出复合光线。例如，材质为GaN的半导体层用于制作绿色MicroLED或蓝色MicroLED，材质为GaAsP的半导体层用于制作红色MicroLED。将两种发出不同单色光的芯片通过压焊的工艺方式进行封装，使得可以发出复合光线。即，不同单色光的采用的材料也不同。又例如，当半导体层的材质为GaN时，半导体器件可以发出蓝光或绿光。当将两个同为蓝色或同为绿色的芯片压焊在一起时，现有技术中结合面分别为N型半导体层和P型半导体层，N型半导体层的主要成分为Si，P型半导体层的主要成分为Mg。即，N型半导体层和P型半导体层的材料不同。现有技术中，将两个微型发光二极管芯片压焊于一起产生复合光线的制作方法中，结合面的材料不同，晶格系数并不匹配，容易导致压焊过程中出现微型发光二极管芯片破裂的现象。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种复合式微型发光二极管，可以防止微型发光二极管断裂。此外，还有必要提供使用上述复合式微型发光二极管的显示面板和电子设备。第一方面，本专利技术实施例提供一种复合式微型发光二极管。该复合式微型发光二极管包括第一微型发光二极管和第二微型发光二极管；所述第一微型发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层以及设置于第一半导体层和第二半导体层之间的第一量子阱层；所述第二微型发光二极管包括第三半导体层、第四半导体层、以及设置于所述第三半导体层和所述第四半导体层之间的第二量子阱层；所述第一半导体层和所述第四半导体层具有第一极性；所述第二半导体层和所述第三半导体层具有第二极性，所述第二半导体层和所述第三半导体层材质相同，且所述第二半导体层和所述第三半导体层结合于一起以使得所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管结合于一起；所述第一量子阱层和所述第二量子阱层的材料不同。第二方面，本专利技术实施例提供一种显示面板，其包括电路板以及上述复合式微型发光二极管，上述复合式微型发光二极管安装于所述电路板。第三方面，本专利技术实施例提供一种电子设备，其包括上述显示面板以及固定所述显示面板的壳体。上述复合式微型发光二极管，由于第一微型发光二极管和第二微型发光二极管具有相同极性和材质的第二半导体层和第三半导体层结合，从而避免出现第一微型发光二极管和第二微型发光二极管因使用不同材质的两个半导体层结合而导致破裂的问题，从而提高了复合式微型发光二极管的良率。另外，第一量子阱层和第二量子阱层由于采用不同的材料，从而导致第一微型发光二极管和第二微型发光二极管产生不同波长的光，从而实现复合式微型发光二极管发射复合光线。附图说明图1为第一实施方式的复合式微型发光二极管示意图。图2为第一实施方式的复合式微型发光二极管第一实施例的示意图。图3为第一实施方式的复合式微型发光二极管第二实施例的示意图。图4为图1所示第一微型发光二极管和第二微型发光二极管的发射光示意图。图5为图2所示的复合式微型发光二极管的第一实施例电气连接示意图。图6为图2所示的复合式微型发光二极管的第二实施例电气连接示意图。图7为第一实施例的显示面板示意图。图8为第一实施例的电子设备示意图。具体实施方式本专利技术实施例提供一种复合式微型发光二极管以及应用该微型发光二极管的显示面板和电子设备。该复合式微型发光二极管通过使两个微型发光二极管的结合两个半导体层具有相同的极性和材质，避免两个微型发光二极管在结合时出现导致破裂的问题，提高复合式微型发光二极管的良率。请参看图1，其为第一实施方式的复合式微型发光二极管99示意图。复合式微型发光二极管99包括第一微型发光二极管990和第二微型发光二极管992。第一微型发光二极管990和第二微型发光二极管992结合一体。第一微型发光二极管990发射的光具有第一波长60a。第二微型发光二极管992发射的光具有第二波长60b。该第一波长60a和第二波长60b不同，优选地，该第一波长60a和第二波长60b无重叠。如图4所示，第一波长60a为380～430mm；第二波长60b为450～550mm。如此，可以使第一微型发光二极管990和第二微型发光二极管992分别发出不同波段的光，让复合式微型发光二极管99具有更接近自然光(SunBeam)的多波段发射效果。第一微型发光二极管990包括第一半导体层10、第二半导体层11以及设置于第一半导体层10和第二半导体层11之间的的第一量子阱层(MQW)12。第二微型发光二极管992包括第三半导体层20、第四半导体层21以及设置于第三半导体层20和第四半导体层21之间的第二量子阱层22。第一半导体层10和第四半导体层21具有第一极性。第二半导体层11和第三半导体层20具有第二极性且采用相同的材质。第二半导体层11和第三半导体层20之间结合。具体地，第一半导体层11和第三半导体层20之间通过压焊结合。可见，两个结合面采用的是同极性且材质相同，可见，两个结合面，即第二半导体层11和第三半导体层20的材料相同，因此，当第一微型发光二极管990和第二微型发光二极管992压焊结合时，可以降低压合面断裂的概率。本上述实施例方式中，由于第一量子阱层12和第二量子阱层22掺杂的材料不同，当第二半导体11和第三半导体20在极性相同及材质相同的情况下，第一微型发光二极管990和第二微型发光二极管992发射的光的第一波长60a和第二波长60b不同。优选地，第一波长60a和第二波长60b不重叠。具体地，在一些可行的实施例中，第一量子阱层12和第二量子阱层22掺杂的材料不同，具体为：第一量子阱层12和第二量子阱层22所掺杂的物质成分相同但浓度不同，从而使第一微型发光二极管990和第二微型发光二极管992发射的光的波长不同。其中，第一量子阱层12和第二量子阱层22所掺杂的物质浓度不同，可以理解为：所掺杂的各物质成分比例不同；也可以为所掺杂的物质总重量不同。请结合参看图2，其为第一实施方式的复合式微型发光二极管99的第一具体实施例示意图。第一极性为P型，第二极性为N型。第一半导体层10、第二半导体层11、第三半导体层20以及第四半导体层21采用的材质为氮化镓材质。即，第一半导体层10、第二半导体层11、第三半导体层20以及第四半导体层21具体为：P型氮化镓半导体层10a、N型氮化镓半导体层11a、N型氮化镓半导体层20a、P型氮化镓半导体层21a。请结合参看图3，其为第一实施方式复合式微型发光二极管99的第二具体实施例示意图。在本实施例中，第一极性也可以为N型，第二极性为P型。即，第一半导体层10、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合式微型发光二极管，其特征在于，包括：/n第一微型发光二极管，所述第一微型发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层以及设置于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第一量子阱层；以及/n第二微型发光二极管，所述第二微型发光二极管包括第三半导体层、第四半导体层、以及设置于所述第三半导体层和所述第四半导体层之间的第二量子阱层；/n其中，所述第一半导体层和所述第四半导体层具有第一极性；所述第二半导体层和所述第三半导体层具有第二极性，所述第二半导体层和所述第三半导体层材质相同，且所述第二半导体层和所述第三半导体层结合于一起以使得所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管结合于一起；且所述第一量子阱层和所述第二量子阱层掺杂的材料不同。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种复合式微型发光二极管，其特征在于，包括：
第一微型发光二极管，所述第一微型发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层以及设置于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第一量子阱层；以及
第二微型发光二极管，所述第二微型发光二极管包括第三半导体层、第四半导体层、以及设置于所述第三半导体层和所述第四半导体层之间的第二量子阱层；
其中，所述第一半导体层和所述第四半导体层具有第一极性；所述第二半导体层和所述第三半导体层具有第二极性，所述第二半导体层和所述第三半导体层材质相同，且所述第二半导体层和所述第三半导体层结合于一起以使得所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管结合于一起；且所述第一量子阱层和所述第二量子阱层掺杂的材料不同。


如权利要求1所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层和所述第三半导体层为N型半导体层，所述第一半导体层和所述第四半导体层为P型半导体层。


如权利要求2所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层和所述第三半导体层的材质为氮化镓。


如权利要求2所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层和所述第三半导体层为P型半导体层，所述第一半导体层和所述第四半导体层为N型半导体层。


如权利要求4所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，所述第二半导体和所述第三半导体层采用氮化镓材料。


如权利要求1所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管通过所述第一量子阱层和所述第二量子阱层使所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管的波长无重叠。


如权利要求2所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，还包括连接层、第一极性电极和两个第二极性电极；所述连接层设置于所述第二半导体层和所述第三半导体层之间以通过所述第二半导体和所述第三半导体层使所述第一量子阱层和所述第二量子阱层并联电性连接，所述第一极性电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈靖中，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50