复合式微型发光二极管、显示面板、及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种复合式微型发光二极管,该复合式微型发光二极管包括第一微型发光二极管和第二微型发光二极管；第一微型发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层以及第一量子阱层；第二微型发光二极管包括第三半导体层、第四半导体层以及第二量子阱层；第一半导体层和所述第四半导体层具有第一极性，第二半导体层和第三半导体层具有第二极性；第二半导体层和第三半导体层材质相同，第二半导体层和第三半导体层结合于一起以使得第一微型发光二极管和第二微型发光二极管结合于一起；第一量子阱层和第二量子阱层参杂的材质不同。此外，本发明专利技术还提供了一种显示面板和电子设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合式微型发光二极管、显示面板、及电子设备
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种复合式微型发光二极管、显示面板、及电子设备。
技术介绍
发光二极管(LED)通常通过单色光之LED搭配波长转换物质产生白光效果，如红色LED、蓝色LED或绿色LED分别通过搭载量子点层、荧光粉层或磷光体层的方式产生白光效果,或者透过晶圆转接(wafertransfer)方式将不同材料的芯片压焊在一起，使得原本发出不同光线的芯片组合，以发出复合光线。例如，材质为GaN的半导体层用于制作绿色MicroLED或蓝色MicroLED，材质为GaAsP的半导体层用于制作红色MicroLED。将两种发出不同单色光的芯片通过压焊的工艺方式进行封装，使得可以发出复合光线。即，不同单色光的采用的材料也不同。又例如，当半导体层的材质为GaN时，半导体器件可以发出蓝光或绿光。当将两个同为蓝色或同为绿色的芯片压焊在一起时，现有技术中结合面分别为N型半导体层和P型半导体层，N型半导体层的主要成分为Si，P型半导体层的主要成分为Mg。即，N型半导体层和P型半导体层的材料不同。...

【技术保护点】
一种复合式微型发光二极管，其特征在于，包括：/n第一微型发光二极管，所述第一微型发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层以及设置于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第一量子阱层；以及/n第二微型发光二极管，所述第二微型发光二极管包括第三半导体层、第四半导体层、以及设置于所述第三半导体层和所述第四半导体层之间的第二量子阱层；/n其中，所述第一半导体层和所述第四半导体层具有第一极性；所述第二半导体层和所述第三半导体层具有第二极性，所述第二半导体层和所述第三半导体层材质相同，且所述第二半导体层和所述第三半导体层结合于一起以使得所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管结合于一起；且所述第一...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种复合式微型发光二极管，其特征在于，包括：
第一微型发光二极管，所述第一微型发光二极管包括第一半导体层、第二半导体层以及设置于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第一量子阱层；以及
第二微型发光二极管，所述第二微型发光二极管包括第三半导体层、第四半导体层、以及设置于所述第三半导体层和所述第四半导体层之间的第二量子阱层；
其中，所述第一半导体层和所述第四半导体层具有第一极性；所述第二半导体层和所述第三半导体层具有第二极性，所述第二半导体层和所述第三半导体层材质相同，且所述第二半导体层和所述第三半导体层结合于一起以使得所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管结合于一起；且所述第一量子阱层和所述第二量子阱层掺杂的材料不同。


如权利要求1所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层和所述第三半导体层为N型半导体层，所述第一半导体层和所述第四半导体层为P型半导体层。


如权利要求2所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层和所述第三半导体层的材质为氮化镓。


如权利要求2所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层和所述第三半导体层为P型半导体层，所述第一半导体层和所述第四半导体层为N型半导体层。


如权利要求4所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，所述第二半导体和所述第三半导体层采用氮化镓材料。


如权利要求1所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管通过所述第一量子阱层和所述第二量子阱层使所述第一微型发光二极管和所述第二微型发光二极管的波长无重叠。


如权利要求2所述的复合式微型发光二极管，其特征在于，还包括连接层、第一极性电极和两个第二极性电极；所述连接层设置于所述第二半导体层和所述第三半导体层之间以通过所述第二半导体和所述第三半导体层使所述第一量子阱层和所述第二量子阱层并联电性连接，所述第一极性电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈靖中，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50