高温开关装置制造方法及图纸

本公开的各实施例涉及高温开关装置。示例装置包括陶瓷接触基底，其中具有被配置为可移除地接收接触件的开口；第一陶瓷柱塞壳体部分和第二陶瓷柱塞壳体部分，第一陶瓷柱塞壳体部分包括第一突起，第二陶瓷柱塞壳体部分包括第一凹部，第一凹部用于接收第一突起；以及第一陶瓷接触壳体部分和第二陶瓷接触壳体部分，第一陶瓷接触壳体部分包括第二突起和第一空腔，第二陶瓷接触壳体部分包括第二凹部和第二空腔，第一陶瓷柱塞壳体部分、第二陶瓷柱塞壳体部分以及陶瓷接触基底被配置为当第二凹部接收第二突起时被耦合在第一空腔与第二空腔之间。

High temperature switchgear

【技术实现步骤摘要】
高温开关装置相关申请的交叉引用本专利源于2020年1月24日提交的第67/965,629号美国临时专利申请的延续。第67/965,629号美国临时专利申请通过引用其整体并入本文。本文要求第67/965,629号美国临时专利申请的优先权。
本公开总体涉及开关，并且更具体地说，涉及高温开关装置。
技术介绍
开关通常包括执行器(诸如按钮或杠杆)。通常，执行器的一部分是导电的。当执行器从第一位置移动到第二位置时，执行器的导电部分通常接合(即，闭合)或脱离(即，断开)一组或多组电接触件。在一些开关中，弹簧将执行器移动回第一位置以重置开关。
技术实现思路
示例装置包括：陶瓷接触基底，具有在陶瓷接触基底中的开口，该开口被配置为可移除地接收接触件；第一陶瓷柱塞壳体部分和第二陶瓷柱塞壳体部分，第一陶瓷柱塞壳体部分包括第一突起，第二陶瓷柱塞壳体部分包括第一凹部，第一凹部用于接收第一突起；以及第一陶瓷接触壳体部分和第二陶瓷接触壳体部分，第一陶瓷接触壳体部分包括第二突起和第一空腔，第二陶瓷接触壳体部分包括第二凹部和第二空腔，第一陶瓷柱塞壳体部分、第二陶瓷柱塞壳体部分和陶瓷接触基底被配置为当第二凹部接收第二突起时被耦合在第一空腔与第二空腔之间。示例装置包括：接触组件，接触组件包括第一接触件、第二接触件以及第三接触件；第一可变形金属套管，包括近端和远端，近端被压接到第一接触件，远端被压接到第一导体；第二可变形金属套管，包括近端和远端，近端被压接到第二接触件，远端被压接到第二导体；第三可变形金属套管，包括近端和远端，近端被压接到第三接触件，远端被压接到第三导体；以及开关执行器，用于当物体处于磁触发接近开关的阈值感测区域内时，平移第三接触件。附图说明图1示出了第一已知类型的开关。图2示出了第二已知类型的开关。图3示出了图2的主磁体组件在图2的第一壳体部分中装配时的横截面视图。图4示出了根据本公开的所教学的示例开关的分解视图。图5是图4的示例接触基底的等距视图。图6是根据本公开的所教学的备选示例开关的分解视图。图7是图6的示例执行器组件以及示例第一、第二以及第三可变形套管的放大视图。附图不是按比例的。相反，这些层或区域的厚度可以在附图中被放大。通常，在附图和附带的书面说明中相同的参考标记用于指示相同或相似的部件。如本专利中所使用的，说明任何部件(例如，层、膜、区、区域或片)以任何方式(例如，定位于、位于、布置在或形成等)在另一部件上，是指参考的部件与另一部件接触，或者参考的部件通过一个或多个位于参考的部件与另一部件之间的中间部件在另一部件上。连接引用(例如，附接、耦合、连接和结合)应该被广泛地解释并且可以包括元件的集合之间的中间部件以及元件之间的相对移动，除非另有说明。同样地，连接引用不一定是指两个元件直接连接或彼此的固定关系。说明任何部件与另一部件“接触”意味着两个部件之间没有中间部件。尽管附图示出了具有清楚的线和边界的层和区域，但是这些线和/或边界中的一些或全部可能是理想化的。事实上，边界和/或线可能是不可见的、混合的和/或不规则的。当标识可以单独指示的多个元件或部件时，在本文中使用描述符“第一”、“第二”、“第三”等。除非另有规定或者基于其使用的上下文来理解，否则这种描述符不旨在赋予任何优先级、物理顺序或列表中的布置的含义，或者按时间排序，而是仅用作单独指示多个元件或部件的标签，以便用于易于理解所公开的示例。在一些示例中，描述符“第一”可以用于指示详细描述中的元件，而相同的元件在权利要求中可以以不同的描述符(诸如“第二”或“第三”)来指示。在这种实例中，应该理解的是，这种描述符仅用于易于引用多个元件或部件。具体实施方式接近开关可以用于检测不直接耦合到接近开关的、附近的物体的存在。例如，接近开关可以标识机械、机械设备位置等中的振动测量值。在操作中，接近开关可以使用响应于从接近开关发射并返回到接近开关的电磁场中的变化、电磁辐射束(例如，红外等)等的多个接触件来断开或闭合电路，。同样地，与机械开关相比，接近开关能够实现可靠且持久的功能寿命，这至少是因为接近开关与感测物体之间缺少物理接触。接近开关通常被设计和制造为在低热量环境下操作。如本文所使用的，低热量环境是包括温度上至350华氏度的环境。例如，磁触发接近开关通常使用单环氧树脂超模压壳体来设计，以耦合和/或以其他方式容纳开关中的部件。在一些实例中，在低热量环境中操作的接近开关使用密封有环氧树脂的印刷电路板(PCB)上的焊料进行电耦合(例如，开关中的导电接触件被耦合到一个或多个电导体)。这种示例接近开关在高热量环境中发生故障(例如，开关损坏、开关退化、部件故障等)的可能性增加。如本文所使用的，高热量环境是包括温度大于350华氏度的环境。同样地，如本文所使用的，能够耐受高热量环境中的温度的设备、材料和/或物质是指适用于被包括在高热量环境中的温度下有效和适当地操作的设备、材料和/或物质。本文公开的示例包括在高热量环境中操作开关(例如，接近开关)的方法和装置。本文公开的示例包括使用在高热量环境中能够耐受温度的材料(例如，不锈钢等)进行机械地耦合(例如，将开关中的导电接触件压接到一个或多个电导体)。同样地，本文所公开的示例使得能够在高热量环境中具有导电性和有效的开关操作。在本文公开的一些示例中，接近开关可以使用被压接的微型不锈钢管进行机械地耦合。为了使接近开关能够在高热量环境中有效地操作，本文公开的示例利用至少一个两部分(例如，两个部分)的壳体来耦合接近开关中的至少一个接触件。例如，开关壳体被分为第一壳体部分和第二壳体部分，其中至少一个接触件被耦合在第一壳体部分与第二壳体部分之间。在这种示例中，接近开关可以被设计为使用能够耐受高热量环境中的温度的材料(诸如陶瓷、玻璃、无机材料和/或能够耐受高热量环境中的温度的任何适当的电绝缘材料)。本文公开的示例通过利用被设计为能够插入和/或移除接触件的接触基底，进一步使得接近开关能够在高热量环境中有效地操作。同样地，接触基底由能够耐受高热量环境中的温度的材料组成，例如陶瓷、玻璃和/或能够耐受高热量环境中的温度的任何适当的绝缘材料。图1示出了第一已知类型的开关100。开关100如分解视图中所示。开关100包括主磁体组件102、接触壳体104、柱塞组件106以及接触基底108。偏置磁体被耦合在接触壳体104内部。接触基底108包括柔性导体110、第一接触叶112以及第二接触叶114。第一接触叶112包括第一接触焊盘116。第二接触叶114包括第二接触焊盘118。接触基底108是单个塑料超模压组件，被配置为容纳柱塞组件106、接触基底108以及柱塞凸耳120。柱塞组件106由单个塑料超模压组件122封装。当装配时，柔性导体110被焊接到柱塞凸耳120。此外，柔性导体110、第一接触叶112以及第二接触叶114相对于接触基底108是固定的。在操作中，接近开关100(即，在感测场内)的目标(例如，外部磁体、铁质物体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，包括：/n陶瓷接触基底，具有在所述陶瓷接触基底中的开口，所述开口被配置为可移除地接收接触件；/n第一陶瓷柱塞壳体部分和第二陶瓷柱塞壳体部分，所述第一陶瓷柱塞壳体部分包括第一突起，所述第二陶瓷柱塞壳体部分包括第一凹部，所述第一凹部用于接收所述第一突起；以及/n第一陶瓷接触壳体部分和第二陶瓷接触壳体部分，所述第一陶瓷接触壳体部分包括第二突起和第一空腔，所述第二陶瓷接触壳体部分包括第二凹部和第二空腔，所述第一陶瓷柱塞壳体部分、所述第二陶瓷柱塞壳体部分以及所述陶瓷接触基底被配置为当所述第二凹部接收所述第二突起时被耦合在所述第一空腔与所述第二空腔之间。/n

【技术特征摘要】
20200124 US 62/965,629;20200220 US 16/796,5701.一种装置，包括：
陶瓷接触基底，具有在所述陶瓷接触基底中的开口，所述开口被配置为可移除地接收接触件；
第一陶瓷柱塞壳体部分和第二陶瓷柱塞壳体部分，所述第一陶瓷柱塞壳体部分包括第一突起，所述第二陶瓷柱塞壳体部分包括第一凹部，所述第一凹部用于接收所述第一突起；以及
第一陶瓷接触壳体部分和第二陶瓷接触壳体部分，所述第一陶瓷接触壳体部分包括第二突起和第一空腔，所述第二陶瓷接触壳体部分包括第二凹部和第二空腔，所述第一陶瓷柱塞壳体部分、所述第二陶瓷柱塞壳体部分以及所述陶瓷接触基底被配置为当所述第二凹部接收所述第二突起时被耦合在所述第一空腔与所述第二空腔之间。


2.根据权利要求1所述的装置，其中所述陶瓷接触基底包括在所述陶瓷接触基底中的第二开口，其中所述第二开口被配置为可移除地接收第二接触件。


3.根据权利要求1所述的装置，还包括柱塞组件，当所述第一凹部接收所述第一突起时，所述柱塞组件被耦合在所述第一陶瓷柱塞壳体部分与所述第二陶瓷柱塞壳体部分之间。


4.根据权利要求3所述的装置，其中所述柱塞组件包括穿过磁体的孔的轴。


5.根据权利要求4所述的装置，其中所述轴被机械地耦合到第二磁体。


6.根据权利要求5所述的装置，其中所述磁体是第一磁体，并且其中所述第一磁体和所述第二磁体能够耐受高热量环境中的温度。


7.根据权利要求1所述的装置，其中当物体位于所述装置的感测场内时，所述接触件是可移动的以邻接第二接触件。


8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二接触件可移除地被耦合到所述陶瓷接触基底。


9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一陶瓷接触壳体部分和所述第二陶瓷接触壳体部分形成单个陶瓷接触壳体。


10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一陶瓷接触壳体部分包括第三突起，所述第二陶瓷接触壳体部分包括第三凹部，所述第三凹部被配置为接收所述第一陶瓷接触壳体部分的所述第三突起。

【专利技术属性】
技术研发人员：R·L·拉方泰恩，A·W·克洛斯特曼，M·J·西蒙斯，
申请(专利权)人：通用设备和制造公司，
类型：发明
国别省市：美国;US