一种复合衬底的热膨胀系数测试方法技术

本发明专利技术公开了一种复合衬底的热膨胀系数测试方法，所述方法包括以下步骤：在复合衬底处于第一温度时，获取复合衬底的第一曲率；加热复合衬底，使得复合衬底以预设升温速度升温，直至复合衬底的温度达到第二温度，获取复合衬底的第二曲率；冷却复合衬底，使得复合衬底以预设降温速度降温，直至复合衬底的温度达到第一温度；在第一温度至第二温度之间选取至少一个目标温度，获取复合衬底的目标曲率；根据复合衬底的第一曲率、至少一个目标曲率和第二曲率，计算得到复合衬底的曲率变化率；根据衬底和薄膜的特性参数和曲率变化率，获得复合衬底的热应力；根据衬底和薄膜的特性参数和复合衬底的热应力，计算得到复合衬底的热膨胀系数。

【技术实现步骤摘要】
一种复合衬底的热膨胀系数测试方法
本专利技术涉及压电薄膜及器件测试
，特别涉及一种复合衬底的热膨胀系数测试方法及压电器件的温度稳定性测试方法。
技术介绍
近年来，压电薄膜的兴起使得相关光学、声学器件能够大大缩小器件尺寸，提高工作效率，实现新颖的工作模式；相关的电光调制器、声学滤波器都使得压电薄膜材料成为重要的热点；其中，相关器件的温度稳定性是其在实际应用中的一个重要参数。但是现有技术中，相关器件的温度稳定性的测试需要在制备完成整体器件后才能实现该项参数的提取，往往需要耗费大量时间及工艺成本，因此有必要实现一种在制备器件前就能提取相关参数的方法。
技术实现思路
针对现有技术的上述问题，本专利技术提供一种复合衬底的热膨胀系数测试方法，通过在复合衬底中引入的热应力造成衬底的曲率变化，可实现实时快速的衬底曲率测定及复合衬底热膨胀系数的快速提取。本专利技术提供一种复合衬底的热膨胀系数测试方法，所述复合衬底包括薄膜和衬底，所述方法包括以下步骤：S1：在所述复合衬底处于第一温度时，获取所述复合衬底的曲率，得到第一曲率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合衬底的热膨胀系数测试方法，其特征在于：所述复合衬底包括薄膜和衬底，所述方法包括以下步骤：/nS1：在所述复合衬底处于第一温度时，获取所述复合衬底的曲率，得到第一曲率；/nS2：加热所述复合衬底，使得所述复合衬底以预设升温速度升温，直至所述复合衬底的温度达到第二温度，获取所述复合衬底处于所述第二温度时的曲率，得到第二曲率；/nS3：冷却所述复合衬底，使得所述复合衬底以预设降温速度降温，直至所述复合衬底的温度达到第一温度；/nS4：在所述第一温度至所述第二温度之间选取至少一个目标温度，获取所述复合衬底处于所述目标温度时的曲率，得到目标曲率；/nS5：根据在第一温度、至少一个目标温度以及...

【技术特征摘要】
1.一种复合衬底的热膨胀系数测试方法，其特征在于：所述复合衬底包括薄膜和衬底，所述方法包括以下步骤：
S1：在所述复合衬底处于第一温度时，获取所述复合衬底的曲率，得到第一曲率；
S2：加热所述复合衬底，使得所述复合衬底以预设升温速度升温，直至所述复合衬底的温度达到第二温度，获取所述复合衬底处于所述第二温度时的曲率，得到第二曲率；
S3：冷却所述复合衬底，使得所述复合衬底以预设降温速度降温，直至所述复合衬底的温度达到第一温度；
S4：在所述第一温度至所述第二温度之间选取至少一个目标温度，获取所述复合衬底处于所述目标温度时的曲率，得到目标曲率；
S5：根据在第一温度、至少一个目标温度以及第二温度下时测得的所述复合衬底的所述第一曲率、至少一个所述目标曲率和所述第二曲率，计算得到复合衬底的曲率变化率；
S6：根据所述衬底和所述薄膜的特性参数和所述曲率变化率，获得所述复合衬底的热应力；
S7：根据所述衬底和所述薄膜的特性参数和所述复合衬底的热应力，计算得到复合衬底的热膨胀系数。


2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：获取所述复合衬底的曲率包括：
在所述复合衬底的温度达到预设温度之后，等待预设时长，至所述复合衬底在所述预设温度下的曲率达到稳定状态，其中，所述预设温度包括所述第一温度、所述第二温度和所述目标温度；
当所述复合衬底处于预设温度时的曲率达到稳定状态时，对所述复合衬底的曲率进行测试，以得到所述复合衬底处于所述预设温度时的曲率。


3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于：所述预设时长为1-10min。


4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：步骤S2中，所述第二温度小于所述所述薄膜或所述衬底的相变点。


5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：步骤S2中，所述预设升温速度为0.1-10℃/min；
步骤S3中，所述预设降温速度为0.1-10℃/min。


6.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：所述衬底和所述薄膜的特性参数包括所述衬底的杨氏模量和泊松比、所述薄膜的杨氏模量和泊松比、所述薄膜的厚度和所述衬底的厚度。


7.根据权利要求6所述的测试方法，其特征在于：步骤S6中，根据所述衬底和所述薄膜的特性参数、所述曲率变化率以及所述应力...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧欣，李忠旭，黄凯，
申请(专利权)人：上海新硅聚合半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31