晶圆重组和裸片拼接制造技术

描述了拼接式裸片封装技术和结构，其中使用晶圆重组和裸片拼接技术形成重组芯片。在一个实施方案中，芯片包括重组的芯片级后道工艺(BEOL)积层结构(310)，以连接嵌入在无机间隙填充材料(130)中的裸片集(110,110)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶圆重组和裸片拼接相关专利申请本专利申请要求于2018年11月29日提交的美国临时专利申请序列第62/773135号的优先权权益，该临时专利申请的全部公开内容以引用方式并入本文。
本文所述的实施方案涉及集成电路(IC)制造以及多个裸片(die)的互连。
技术介绍
多芯片模块(MCM)通常是多个裸片集成在基板上的电子组件。MCM的各种实施方式包括2D、2.5D和3D封装。一般来讲，2D封装模块包括并排布置在封装基板上的多个裸片。在2.5D封装技术中，利用微凸块将多个裸片键合到中介层。中介层继而被键合到封装基板。中介层可包括用于使相邻裸片互连的布线。因此，2.5D封装中的裸片可直接连接到中介层，并且通过中介层内的布线彼此连接。一般来讲，3D封装模块包括竖直堆叠在彼此顶部上的多个裸片。因此，3D封装中的裸片可彼此直接连接，其中底部裸片直接连接到封装基板。3D封装中的顶部裸片可使用各种构型连接到封装基板，该各种构型包括焊线和穿过底部裸片的硅通孔(TSV)。晶圆上芯片(CoW)是一种特定的并列型封装构型，其可用于提供致密布线、异质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片，包括：/n包括多个互连的重组的芯片级后道工艺(BEOL)积层结构；/n所述重组的芯片级BEOL积层结构上的裸片集；以及/n在所述重组的芯片级BEOL积层结构上并围绕所述裸片集的无机间隙填充材料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181129 US 62/773,135;20190705 US 16/503,8061.一种芯片，包括：
包括多个互连的重组的芯片级后道工艺(BEOL)积层结构；
所述重组的芯片级BEOL积层结构上的裸片集；以及
在所述重组的芯片级BEOL积层结构上并围绕所述裸片集的无机间隙填充材料。


2.根据权利要求1所述的芯片，其中所述裸片集包括第一裸片和第二裸片。


3.根据权利要求2所述的芯片，其中所述第一裸片包括第一裸片级BEOL积层结构，并且所述第二裸片包括第二裸片级BEOL积层结构。


4.根据权利要求3所述的芯片，其中所述第一裸片级BEOL积层结构和所述第二裸片级BEOL积层结构中的每一个包括镶嵌互连。


5.根据权利要求4所述的芯片，其中所述重组的芯片级BEOL积层结构包括镶嵌互连。


6.根据权利要求5所述的芯片，其中所述重组的芯片级BEOL积层结构包括铝镶嵌互连。


7.根据权利要求5所述的芯片，其中所述无机间隙填充材料是氧化物或氮氧化物。


8.根据权利要求5所述的芯片，其中所述无机间隙填充材料包括硅基体。


9.根据权利要求3所述的芯片，其中所述重组的芯片级BEOL积层结构包括用于所述第一裸片的裸片内互连、用于所述第二裸片的裸片内互连、以及所述第一裸片和所述第二裸片之间的裸片到裸片互连。


10.根据权利要求9所述的芯片，其中第一裸片和第二裸片之间的所述裸片到裸片互连不包括ESD保护电路。


11.根据权利要求10所述的芯片，其中所述重组的芯片级BEOL积层结构包括连接到外部重组芯片级接触焊盘的ESD保护电路。


12.根据权利要求9所述的芯片，其中所述重组的芯片级BEOL积层结构包括深通孔，所述深通孔连接到所述第一裸片级BEOL积层结构，并且延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·达布拉尔，翟军，KY·赖，胡坤忠，V·拉马钱德兰，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：美国;US