一种高出光率深紫外LED制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高出光率深紫外LED，包括基板、围坝、透光窗口和深紫外LED芯片，所述围坝设于基板上，所述围坝上开设有深紫外LED芯片放置腔，所述深紫外LED芯片倒装设于深紫外LED芯片放置腔内，所述深紫外LED芯片的背面为发光面，所述深紫外LED芯片的正面设于基板上，所述透光窗口覆盖设于围坝上，所述深紫外LED芯片放置腔内壁为抛光内壁，所述深紫外LED芯片放置腔内壁上镀设有紫外高反射介质膜。本实用新型专利技术涉及LED光源技术领域，具体是提供了一种通过光学抛光配合真空镀膜技术，将侧向发出的紫外线能量反射至正面，提高深紫外LED出光效率的高出光率深紫外LED。

【技术实现步骤摘要】
一种高出光率深紫外LED
本技术涉及LED光源
，具体是指一种高出光率深紫外LED。
技术介绍
深紫外线是一种波长比较短的紫外线，杀灭细菌和病毒的效率比较高。深紫外线的应用很广泛，其中包括：饮用水、空气、饮料、药品包装的消毒；手术器械消毒及无菌状态保持；在冰箱内，杀灭存活的霉菌孢子，更加延长食物保存期。除消毒作用外，深紫外线还能够进行光化学催化、油墨固化等等。现有技术中，深紫外LED大都是采用芯片倒装的方式，仅有60％的紫外线能量从正面发出，另外40％的紫外线能量从侧面发出，深紫外LED的支架大部分选用陶瓷基板加金属围坝的结构，金属围坝无法反射深紫外LED芯片侧面发出的紫外线能量，导致从侧面发出的紫外线能量浪费。
技术实现思路
针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本技术提供了一种将侧面发出的紫外线能量反射至正面，提高深紫外LED出光效率的高出光率深紫外LED。本技术采取的技术方案如下：本技术一种高出光率深紫外LED，包括基板、围坝、透光窗口和深紫外LED芯片，所述围坝设于基板上，所述围坝上开设有深紫外LED芯片放置腔，所述深紫外LED芯片倒装设于深紫外LED芯片放置腔内，所述深紫外LED芯片的背面为发光面，所述深紫外LED芯片的正面设于基板上，所述透光窗口覆盖设于围坝上，所述深紫外LED芯片放置腔内壁为抛光内壁，所述深紫外LED芯片放置腔内壁上镀设有紫外高反射介质膜，紫外高反射介质膜通过真空镀膜技术完成，紫外高反射介质膜对发射至深紫外LED芯片放置腔内壁上的紫外光进行反射，与深紫外LED芯片通过深紫外LED芯片放置腔正上方开口发出的紫外光汇聚。进一步地，所述深紫外LED芯片放置腔呈碗状结构设置，深紫外LED芯片放置腔内侧的圆弧形可以使侧面发射的紫外光更便于反射。作为优选地，所述基板为陶瓷基板。作为优选地，所述围坝为石英围坝。作为优选地，所述透光窗口为石英透光窗口。采用上述结构本技术取得的有益效果如下：本方案一种高出光率深紫外LED通过将深紫外LED芯片放置腔设置为碗状结构，同时对深紫外LED芯片放置腔内侧壁进行光学抛光处理，并在抛光的深紫外LED芯片放置腔内侧壁真空镀设紫外高反射介质膜，通过光学抛光配合真空镀膜技术，实现了深紫外LED芯片侧面紫外光能量的高度集中反射，与深紫外LED芯片正上方的紫外光能量汇聚，提高了LED出光效率。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：图1为本技术一种高出光率深紫外LED的现有技术的工作状态示意图；图2为本技术一种高出光率深紫外LED的结构示意图；图3为本技术一种高出光率深紫外LED的工作状态示意图。其中，1、基板，2、围坝，3、透光窗口，4、深紫外LED芯片，5、深紫外LED芯片放置腔，6、紫外高反射介质膜。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。如图1所示，现有技术中深紫外LED包括基板1、围坝2、透光窗口3和深紫外LED芯片4，围坝2设于基板1上，围坝2上开设有深紫外LED芯片放置腔5，深紫外LED芯片放置腔5呈圆柱形结构设置，其中围坝2采用金属围坝，深紫外LED芯片4向深紫外LED芯片放置腔5侧边发射的紫外能量，不能有效反射，导致紫外能量的浪费。如图2～3所示，本技术一种高出光率深紫外LED，包括基板1、围坝2、透光窗口3和深紫外LED芯片4，围坝2设于基板1上，围坝2上开设有深紫外LED芯片放置腔5，深紫外LED芯片4倒装设于深紫外LED芯片放置腔5内，深紫外LED芯片4的背面为发光面，深紫外LED芯片4的正面设于基板1上，透光窗口3覆盖设于围坝2上，深紫外LED芯片放置腔5内壁为抛光内壁，深紫外LED芯片放置腔5内壁上镀设有紫外高反射介质膜6，紫外高反射介质膜6通过真空镀膜技术完成，紫外高反射介质膜6对发射至深紫外LED芯片放置腔5内壁上的紫外光进行反射，与深紫外LED芯片4通过深紫外LED芯片放置腔5正上方开口发出的紫外光汇聚。其中，深紫外LED芯片放置腔5呈碗状结构设置，深紫外LED芯片放置腔5内侧的圆弧形可以使侧面发射的紫外光更便于反射。基板1为陶瓷基板。围坝2为石英围坝。透光窗口3为石英透光窗口。图1和图3中的虚线区域内代表紫外线光线，图3中箭头表示紫光线反射方向。具体使用时，对深紫外LED芯片4通电时，深紫外LED芯片4发射深紫外光，部分紫外能量从深紫外LED芯片放置腔5正上方发射出，向深紫外LED芯片放置腔5侧边发射的紫外光能量经深紫外LED芯片放置腔5内侧壁的紫外高反射介质膜6反射，与深紫外LED芯片放置腔5正上方的紫外线能量汇聚，提高深紫外LED的出光率。要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高出光率深紫外LED，其特征在于：包括基板(1)、围坝(2)、透光窗口(3)和深紫外LED芯片(4)，所述围坝(2)设于基板(1)上，所述围坝(2)上开设有深紫外LED芯片放置腔(5)，所述深紫外LED芯片(4)倒装设于深紫外LED芯片放置腔(5)内，所述深紫外LED芯片(4)的背面为发光面，所述深紫外LED芯片(4)的正面设于基板(1)上，所述透光窗口(3)覆盖设于围坝(2)上，所述深紫外LED芯片放置腔(5)内壁为抛光内壁，所述深紫外LED芯片放置腔(5)内壁上镀设有紫外高反射介质膜(6)，所述深紫外LED芯片放置腔(5)呈碗状结构设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种高出光率深紫外LED，其特征在于：包括基板(1)、围坝(2)、透光窗口(3)和深紫外LED芯片(4)，所述围坝(2)设于基板(1)上，所述围坝(2)上开设有深紫外LED芯片放置腔(5)，所述深紫外LED芯片(4)倒装设于深紫外LED芯片放置腔(5)内，所述深紫外LED芯片(4)的背面为发光面，所述深紫外LED芯片(4)的正面设于基板(1)上，所述透光窗口(3)覆盖设于围坝(2)上，所述深紫外LED芯片放置腔(5)内壁为抛光内壁，所述深紫外...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志涛，
申请(专利权)人：扬州紫王优卫科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32