一种斜腔芯片结构制造技术

本申请实施例提供一种斜腔芯片结构，所述斜腔芯片结构包括：光源和发光区；其中，所述光源，用于产生光信号；所述发光区的出射端面镀有介质膜，所述介质膜对所述光信号中的第一子光信号的第一反射率与所述光信号中的第二子光信号的第二反射率不同，所述第一子光信号的出射功率与所述第二子光信号的出射功率之差小于第一阈值。本申请实施例提供的斜腔芯片结构能够降低经所述斜腔芯片结构出射的光信号的偏振度。

【技术实现步骤摘要】
一种斜腔芯片结构
本申请涉及光通信
，尤其涉及一种斜腔芯片结构。
技术介绍
随着光纤陀螺、光学层析成像系统、波分复用系统、光学相干层析成像等光纤通讯和医疗设备的迅速发展，超辐射发光二极管(SuperluminescentLightEmittingDiodes，SLD)因其宽光谱、高功率、低抖动、弱时间相干性、高光纤耦合效率等优良特性，在光纤通信领域展示出了广阔的应用前景。光纤陀螺零漂、噪声是衡量陀螺性能好坏的重要指标参数，与光源的偏振度(PER)有着直接关系；而PER由光源的TE模和TM模的光功率大小决定的。其中，TE模为电矢量震动方向平行于芯片表面的光信号，TM模为电矢量震动方向垂直于芯片表面的光信号。由理论分析和实验验证可知，光源出射光的偏振度PER越小，越有利于提高光纤陀螺零偏稳定性，并且能抑制光源引起的偏振噪声。因此，如何降低光源产生的光信号的偏振度是一致追求的目标。
技术实现思路
本申请实施例提供一种用于斜腔芯片结构，能够降低经所述斜腔芯片结构出射的光信号的偏振度。本申请实施例的技术方案是这样实现的：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种斜腔芯片结构，其特征在于，所述斜腔芯片结构包括：光源和发光区；其中，/n所述光源，用于产生光信号；/n所述发光区的出射端面镀有介质膜，所述介质膜对所述光信号中的第一子光信号的第一反射率与所述光信号中的第二子光信号的第二反射率不同，所述第一子光信号的出射功率与所述第二子光信号的出射功率之差小于第一阈值。/n

【技术特征摘要】
1.一种斜腔芯片结构，其特征在于，所述斜腔芯片结构包括：光源和发光区；其中，
所述光源，用于产生光信号；
所述发光区的出射端面镀有介质膜，所述介质膜对所述光信号中的第一子光信号的第一反射率与所述光信号中的第二子光信号的第二反射率不同，所述第一子光信号的出射功率与所述第二子光信号的出射功率之差小于第一阈值。


2.根据权利要求1所述的斜腔芯片结构，其特征在于，所述介质膜包括至少两种不同的源材料。


3.根据权利要求2所述的斜腔芯片结构，其中，所述源材料的厚度基于下述中的至少一种因素确定：
所述光信号的中心波长、所述第一反射率、所述第二反射率、所述源材料的折射率和所述光信号入射至所述介质膜的入射角。


4.根据权利要求2或3所述的斜腔芯片结构，其中，所述源材料的占比基于下述中的至少一种因素确定：
所述光信号的中心波长、所述第一反射率、所述第二反射率、所述源材料的折射率和所述光信号入射至所述介质膜的入射角。

【专利技术属性】
技术研发人员：单静春，李中坤，王定理，李明，汤宝，黄晓东，杨帆，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42