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本申请实施例提供一种斜腔芯片结构，所述斜腔芯片结构包括：光源和发光区；其中，所述光源，用于产生光信号；所述发光区的出射端面镀有介质膜，所述介质膜对所述光信号中的第一子光信号的第一反射率与所述光信号中的第二子光信号的第二反射率不同，所述第一子...
该专利属于武汉光迅科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光迅科技股份有限公司授权不得商用。

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