一种改善Micro OLED微腔室效应的CPL结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种改善Micro OLED微腔室效应的CPL结构及其制备方法，在OLED上制备第一封盖层；通过喷墨打印在第一封盖层上制备若干个间隔布置的凸起部，形成散射粒子以有效降低微腔对OLED器件影响，改善WOLED颜色漂移现象；满足产品需求的全彩硅基OLED显示器件结构。

【技术实现步骤摘要】
一种改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构及其制备方法
本专利技术属于MicroOLED显示领域，具体涉及一种改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构及其制备方法。
技术介绍
与传统的AMOLED显示技术相比，硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。受限于金属掩膜版的制作技术，现有的高ppi硅基OLED全彩产品大多数采用WOLED(白光OLED)加CF(彩色滤光片)技术，为了实现彩色显示，WOLED的光谱通常要包含RGB3个peak。由于RGB三种颜色的光对应不同的厚度的光学微腔，所以目前这种单一光学厚度的顶发射结构的WOLED容易出现颜色漂移的现象，如图1、图2所示。目前硅基OLED行业一般使用蒸镀的方式形成CPL层。由于CPL层较薄，几乎不具备水氧阻隔性，所以无法使用传统的光刻技术对其进行图案化。
技术实现思路
本专利技术提供了一种改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构，OLED层与TFE层之间有间隔布置的凸起部封盖层CPL层，形成散射离子，降低对OLED的微腔效应。本专利技术另一目的在于提供一种改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构的制备方法，利用对OLED无损伤的IJP喷墨打印方式打印间隔打印凸起部，形成散射粒子以有效降低微腔对OLED器件影响，改善WOLED颜色漂移现象。本专利技术具体技术方案如下：一种改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构，包括OLED层，所述OLED层上为第一封盖层；所述第一封盖层上为若干个间隔布置的凸起部。所述第一封盖层厚度190-220nm；优选为200nm；所述凸起部的高度80-310nm，优选100nm；所述第一封盖层和若干个间隔布置的凸起部共同组成封盖层，即CPL结构；所述封盖层的总厚度控制为300nm-500nm；所述第一封盖层材料为高透过率材料，优选为聚丙烯酸乙酯材料；所述凸起部材料为低透过率材料，优选为PVC材料。所述凸起部上设置薄膜封装层，即TFE层；所述薄膜封装层上设置彩色滤光片，即CF层。本专利技术提供的上述改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构的制备方法，包括以下步骤：1)在OLED上制备第一封盖层；2)通过喷墨打印在第一封盖层上制备若干个间隔布置的凸起部；步骤1)具体采用喷墨打印设备或用业内常用蒸镀方式第一封盖层；所述第一封盖层厚度190-220nm；优选为200nm；所述第一封盖层材料为高透过率材料，优选为聚丙烯酸乙酯材料；步骤2)中，所述凸起部为圆柱形，圆柱形柱状高宽比>1；柱状数量越多，散射效果越好。结合IJP设备能力，圆柱形直径为50nm-100nm，优选75nm；圆柱形高度80-310nm，优选100nm；步骤2)中，所述若干个间隔布置的凸起部，间隔距离100nm-150nm；间隔均匀。步骤2)中，所述凸起部材料为低透过率材料，优选为PVC材料；所述第一封盖层和若干个间隔布置的凸起部共同组成封盖层，封盖层总厚度控制在为300nm-500nm；优选为300nm。步骤1)和步骤2)制备过程中，通过纯化器形成低于水<1ppm、氧<1ppm腔体氛围；以免底层发光层(OLED层)触碰到水氧失效。所述OLED结构，其制备方法为：A、在硅基底上制备CMOS电路；B、在CMOS电路上制备阳极层；C、通过蒸镀的方式阳极层上蒸镀OLED各功能层；步骤2)之后，再根据业内成熟的工艺，在封盖层上使用PECVD/ALD制备薄膜封装层；最后根据业内成熟的工艺，薄膜封装层上沉积彩色滤光片。通过本专利技术方式，选用不同透过率材料，形成一种减少折射率的CPL层，从而降低微腔效应；垂直于CPL层光可透过CPL射出，随着角度的减少，其余角度光线被不透明凸起部反射或削减，可有效减少微腔效应。提供满足高亮产品需求的全彩硅基OLED显示器件和全彩硅基OLED显示方法的产品。与现有技术相比，本专利技术通过喷墨打印方式形成一种间隔柱状的CPL层结构(OLED层与TFE层之间)，在对OLED底层发光层无损伤且有效改善微腔效应，可有效降低MircroOLED白光颜色漂移现象，满足产品需求的全彩硅基OLED显示器件结构。附图说明图1为硅基OLED全彩结构；图2为WOLED光谱图；图3为本专利技术改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。下述实施例中所用的试验材料和试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径获得。实施例中未注明具体技术或条件者，均可以按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。实施例1一种改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构，包括OLED层，所述OLED层上为第一封盖层；所述第一封盖层上为若干个间隔布置的凸起部。所述第一封盖层厚度190-220nm；优选为200nm；所述凸起部的高度80-310nm，优选100nm；所述第一封盖层和若干个间隔布置的凸起部共同组成封盖层，即CPL结构；所述封盖层的总厚度控制为300nm-500nm；所述第一封盖层材料为高透过率材料，优选为聚丙烯酸乙酯材料；所述凸起部材料为低透过率材料，优选为PVC材料。所述凸起部上设置薄膜封装层，即TFE层；所述薄膜封装层上设置彩色滤光片，即CF层。实施例2一种改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构的制备方法，包括以下步骤：1)在硅基底上制备CMOS电路；在CMOS电路上制备阳极层；通过蒸镀的方式阳极层上蒸镀OLED各功能层；在OLED上制备第一封盖层，用业内常用蒸镀方式第一封盖层；所述第一封盖层厚度200nm；采用聚丙烯酸乙酯材料制备；2)通过喷墨打印在第一封盖层上制备若干个间隔布置的凸起部；凸起部材料为PVC材料，凸起部为圆柱形，结合IJP设备能力，圆柱形直径为75nm；圆柱形高度100nm；在喷墨打印时，打印若干行和若干列圆柱形，每行两个圆柱形间隔距离100nm,每列两个圆柱形间隔距离100nm。3)根据业内成熟的工艺，在封盖层上使用PECVD/ALD制备薄膜封装层；4)根据业内成熟的工艺，薄膜封装层上沉积彩色滤光片。制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善Micro OLED微腔室效应的CPL结构，其特征在于，包括OLED层，所述OLED层上为第一封盖层；所述第一封盖层上为若干个间隔布置的凸起部。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构，其特征在于，包括OLED层，所述OLED层上为第一封盖层；所述第一封盖层上为若干个间隔布置的凸起部。


2.根据权利要求1所述的改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构，其特征在于，所述第一封盖层厚度190-220nm。


3.根据权利要求1或2所述的改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构，其特征在于，所述凸起部的高度80-310nm。


4.根据权利要求1所述的改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构，其特征在于，所述高透过率材料。


5.根据权利要求1所述的改善MicroOLED微腔室效应的CPL结构，其特征在于，所述凸起部材料为低透过率材料。


6.一种权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：许嵩，刘胜芳，赵铮涛，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34