晶片叠对标记、叠对测量系统及相关方法技术方案

本申请案涉及晶片叠对标记及叠对测量系统及相关方法。一种用于确定叠对测量的方法包含使晶片定向以将叠对标记的图案的线的部分与其中照明源在所述晶片处发射光的方向对准及对准所述图案的所述线的其它部分以在垂直于其中所述照明源在所述晶片处发射光的所述方向的方向上延伸。所述方法包含经由成像仪传感器捕获所述晶片的至少一个图像。所述方法也包含确定所述叠对标记的区域的对比度且确定所述叠对标记的位置。叠对标记包含定义列阵列的图案。每一列包含彼此平行定向且在列的第一区域内在第一方向上延伸且在所述列的第二区域内在第二不同方向上延伸的一组连续线。

【技术实现步骤摘要】
晶片叠对标记、叠对测量系统及相关方法交叉参考本申请案主张2019年12月18日申请的“晶片叠对标记、叠对测量系统及相关方法(WaferOverlayMarks,OverlayMeasurementSystems,andRelatedMethods)”的第16/719,366号美国专利申请案的申请日期的优先权。
本公开大体涉及晶片叠对标记及叠对测量系统。另外，本公开涉及叠对标记，其包含最小到没有中断的连续图案。
技术介绍
光刻设备是将预期图案施加到衬底，通常施加到块体半导体衬底(例如，半导体晶片)的目标部分上的机器。例如，可在半导体装置的制造中使用光刻设备。在所述例项中，在此项技术中称为掩膜或光罩的图案化装置可用于从晶片的有源表面上的个别材料层级产生将形成在裸片位置上的电路图案。此图案可转移到晶片(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包含一个或若干裸片位置的部分)上。图案转印通常经由成像到设置在晶片上的辐射敏感材料(即，光阻剂)层上来实现。一般来说，晶片将含有对应于经连续图案化的裸片位置的邻近目标部分的网格。在光刻工艺中，通常期望经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n使晶片定向以将叠对标记的图案的第一区域的线与其中照明源在所述晶片处发射光的方向对准；/n经由所述照明源在所述晶片处发射光；/n经由成像仪传感器捕获所述晶片的至少一个图像；及/n至少部分基于所述经捕获的至少一个图像，确定其中所述图案的线与其中所述照明源在所述晶片处发射光的所述方向不对准的所述叠对标记的所述图案的第二区域的对比度，且确定所述叠对标记的所述图案的所述第一区域的对比度。/n

【技术特征摘要】
20191218 US 16/719,3661.一种方法，其包括：
使晶片定向以将叠对标记的图案的第一区域的线与其中照明源在所述晶片处发射光的方向对准；
经由所述照明源在所述晶片处发射光；
经由成像仪传感器捕获所述晶片的至少一个图像；及
至少部分基于所述经捕获的至少一个图像，确定其中所述图案的线与其中所述照明源在所述晶片处发射光的所述方向不对准的所述叠对标记的所述图案的第二区域的对比度，且确定所述叠对标记的所述图案的所述第一区域的对比度。


2.根据权利要求1所述的方法，其中使所述晶片定向包括使所述晶片相对于所述晶片的默认位置旋转约45°，以便将所述叠对标记的所述图案的所述第一区域的所述线与其中所述照明源在所述晶片处发射光的所述方向对准。


3.根据权利要求1所述的方法，其中使所述晶片定向包括使所述晶片相对于所述晶片的默认位置旋转约45°，以便使所述叠对标记的所述图案的所述第二区域的所述线在垂直于其中所述照明源在所述晶片处发射光的所述方向的方向上延伸。


4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括至少部分基于所述第一及第二区域的所述经确定对比度，确定所述叠对标记的质心的位置。


5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括至少部分基于所述叠对标记的所述质心的所述经确定位置确定所述叠对标记相对于形成在所述晶片的另一层级上的另一配准的位置偏移。


6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其中确定所述叠对标记的所述图案的所述第一及第二区域的对比度包括确定所述第二区域与所述晶片的周围区域之间的对比度电平，其高于所述第一区域与所述晶片的所述周围区域之间的对比度电平。


7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其中使晶片定向以使叠对标记的所述图案的所述第一区域的线与其中所述照明源在所述晶片处发射光的所述方向对准且经由所述照明源在所述晶片处发射光在经由所述第一区域或所述第二区域中的至少一者的所述图像传感器成像时实现偏光滤光器。


8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其中进一步包括至少部分基于所述第一及第二区域的所述经确定对比度，确定所述叠对标记的至少一个条形标记的位置及形状。


9.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其中进一步包括至少部分基于所述第一及第二区域的所述经确定对比度，确定所述叠对标记的条形标记的至少一个列的位置及形状。


10.一种晶片的叠对标记，其包括：
定义列阵列的图案，每一列包括一组平行条形标记，其中每一条形标记通过间隔标记与邻近条形标记间隔开，且其中所述列阵列的每一列内的所述图案包括彼此平行定向且在相应列的每一条形标记内在第一方向上延伸且在所述相应列的每一间隔标记中在第二不同方向上延伸的一组线，其中所述线组的每一线是连续的且从所述相应列的最上区域延伸到所述相应列的最下区域。


11.根据权利要求10所述的晶片的叠对标记，其中所述第一方向垂直于所述第二不同方向。


12.根据权利要求10所述的晶片的叠对标记，其中所述第一方向以相对于所述相应列的纵轴的45°角延伸，且其中所述第二不同方向以相对于所述相应列的所述纵轴的135°角延伸。


13.根据权利要求10所述的晶片的叠对标记，其中所述图案的所述线组的每一线包括周期性形状。


14.根据权利要求10所述的晶片的叠对标记，其中在所述相应列的纵轴的方向上的所述相应列的每一条形标记的宽度至少大体上等于在所述相应列的纵轴的方向上的所述相应列的每一间隔标记的宽度。


15.根据权利要求10到14中任一权利要求所述的晶片的叠对标...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·S·弗罗斯特，R·T·豪斯利，D·S·普拉特，T·D·伽韦，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US