硅片刻蚀装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片刻蚀装置，包括用于对硅片单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片进行支撑的支撑机构和用于限制硅片位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋机构和第一限位机构之间，当硅片放置在支撑机构上时，所述硅片与第一限制机构之间具有间隙，当所述喷淋装置对硅片单面喷射介质时，使用时，通过将硅片放置在支撑机构上进行支撑，而喷淋机构对硅片的单面进行喷淋介质，在介质的作用力下硅片悬浮并与限位机构接触，限位机构限制了硅片在支撑机构和限位机构之间的位移范围，由原有的浸泡改为喷淋，不会出现硅片由于介质波动而翻越至硅片另一面的现象，保证了硅片生产稳定可。

【技术实现步骤摘要】
硅片刻蚀装置
本专利技术涉及硅片生产设备
，尤其是涉及一种硅片刻蚀装置。
技术介绍
把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅)或金属薄膜(如铝及其合金)上去，制造出所需的薄层图案。刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀，湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。传统硅片生产工艺过程中需要在刻蚀槽内通过试剂溶液进行单面刻蚀，而输送轮输送硅片过程中会导致试剂溶液出现波动，而波动的试剂溶液很容易会翻腾至另一面，这样就导致硅片被试剂溶液接触并刻蚀，严重时导致硅片报废，增加生产成本，也降低了工作效率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：为了解决传统硅片生产工艺过程中需要在刻蚀槽内通过溶液进行单面刻蚀，而输送轮输送硅片过程中会导致溶液出现波动，而波动的溶液很容易会翻腾至另一面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片刻蚀装置，其特征在于：包括用于对硅片(8)单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片(8)进行支撑的支撑机构和用于限制硅片(8)位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋机构和第一限位机构之间，当硅片(8)放置在支撑机构上时，所述硅片(8)与第一限制机构之间具有间隙，当所述喷淋装置对硅片(8)单面喷射介质时，所述硅片(8)在介质的作用力下悬浮并脱离支撑机构，同时硅片(8)与第一限位机构接触并限制硅片(8)位移。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片刻蚀装置，其特征在于：包括用于对硅片(8)单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片(8)进行支撑的支撑机构和用于限制硅片(8)位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋机构和第一限位机构之间，当硅片(8)放置在支撑机构上时，所述硅片(8)与第一限制机构之间具有间隙，当所述喷淋装置对硅片(8)单面喷射介质时，所述硅片(8)在介质的作用力下悬浮并脱离支撑机构，同时硅片(8)与第一限位机构接触并限制硅片(8)位移。


2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：还包括槽体(1)，所述喷淋装置、支撑机构和限位机构均设置在槽体(1)上。


3.根据权利要求2所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述槽体(1)包括上槽(101)和下槽(102)，所述上槽(101)设置在下槽(102)上方，所述上槽(101)和下槽(102)之间相互连通。


4.根据权利要求2或3所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述槽体(1)上方盖设有盖板(2)。


5.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述第一限位机构包括设置在硅片(8)上方的芯轴(3)。


6.根据权利要求5所述的硅片刻蚀装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳俊，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32