基于无掩模光刻的扇出封装系统、方法及重布线方法技术方案

技术编号:29408301 阅读:27 留言:0更新日期:2021-07-23 22:48
基于无掩模光刻的扇出封装系统、方法及重布线方法,无掩模光刻方法,其基于数字微镜的无掩模光刻技术,通过改变输入DMD中的CAD位图来改变光刻线路来配合偏移的芯片进行光刻,它不需要直接使用掩模版就能实现在芯片上进行加工,削减了封装成本;布线方法通过无掩模光刻方法在芯片表面形成多层导电层;其方法通过布线方法能实现无掩模的芯片扇出封装;其系统包括:激光发生器、工业相机、数据处理装置、光刻光源和数字微镜阵列DMD。同时,基于数据处理装置视觉的算法处理,本无掩模光刻方法根据偏移量与角度生成一个新的掩模图像,即该方法可以解决扇出型封装中的芯片偏移问题,极大地提高了封装的灵活性。

【技术实现步骤摘要】
基于无掩模光刻的扇出封装系统、方法及重布线方法
本专利技术涉及芯片
,尤其涉及一种基于无掩模光刻的扇出封装系统、方法及重布线方法。
技术介绍
扇出型封装在集成电路封装中受到越来越多的关注。其在封装体积、产品性能、封装成本和封装效率上都具有明显优势,并在近年来取得了长足进步。然而在应用扇出型晶圆级封装时存在许多问题需要解决。其中之一便是芯片位置准确度的问题。在重新构建晶圆时,必须要保证芯片从拾取及放置于载板上的位置的精确度控制在5微米,同时塑封过程中,每一层的热膨胀系数不同也可能导致芯片的偏移。由于后续再布线层(RDL)技术中,光学光刻技术要求掩模版和晶圆严格对准。若芯片的位置发生偏移,则会导致后续光刻出来的线路失效。针对芯片偏移问题,现有技术都把目光聚焦于塑封步骤中,忽略了拾取及放置于载板上的位置的精确度问题。同时,若在使用这些方法时还是出现了芯片偏移现象,下一步就只能把这个芯片来去掉重新制作和封装,并不能进行一定程度的补救,仍不能很好地解决芯片偏移问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种芯片扇出封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片扇出封装的无掩模光刻方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤(1):基于已装贴于载板且已完成塑封的至少一个芯片,对载板和芯片扫描;拍摄芯片在载板形成的芯片阵列图,并传到数据处理装置;对芯片阵列图的芯片进行识别并计算各个芯片的位置和角度,获得芯片偏移信息;/n若芯片的位置和/或角度有偏移,则从步骤(2)开始执行;若芯片的位置和/或角度无偏移,则从步骤(3)开始执行,数字微镜阵列DMD依预设的电路图工作;/n步骤(2):根据芯片阵列图中非偏移芯片的端口特征及位置,结合芯片偏移信息,计算并设计出新的电路图;/n步骤(3):在塑封后的芯片表面涂光刻胶,并对光刻胶版进行光刻处理;将光刻光源反...

【技术特征摘要】
1.一种芯片扇出封装的无掩模光刻方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤(1):基于已装贴于载板且已完成塑封的至少一个芯片,对载板和芯片扫描;拍摄芯片在载板形成的芯片阵列图,并传到数据处理装置;对芯片阵列图的芯片进行识别并计算各个芯片的位置和角度,获得芯片偏移信息;
若芯片的位置和/或角度有偏移,则从步骤(2)开始执行;若芯片的位置和/或角度无偏移,则从步骤(3)开始执行,数字微镜阵列DMD依预设的电路图工作;
步骤(2):根据芯片阵列图中非偏移芯片的端口特征及位置,结合芯片偏移信息,计算并设计出新的电路图;
步骤(3):在塑封后的芯片表面涂光刻胶,并对光刻胶版进行光刻处理;将光刻光源反射至数字微镜阵列DMD,数字微镜阵列DMD根据电路图调整每个微镜的偏移角度,将光束照射于光刻胶上,依电路图的形状在光刻胶的表面刻蚀出电路光刻道。


2.根据权利要求1所述的无掩模光刻方法,其特征在于,所述步骤(1)中,使用预先设定的芯片阵列标准图对芯片阵列图的全局图像进行模板匹配,对芯片阵列图中所有芯片所在位置进行遍历,由芯片阵列图与芯片阵列标准图进行相减,得出两者的像素差值,利用差值推算出偏移芯片的位移量(X,Y)与角度θ。


3.根据权利要求1所述的无掩模光刻方法,其特征在于,所述步骤(3),以数字微镜阵列DMD作为数字图形发生器,对微镜的底层的一对存储状态始终互补的双CMOS型存储器进行控制,把逻辑状态提前加载到微镜的存储元上,然后通过微镜定时脉冲批量改变微镜的偏转,光路照射到数字微镜阵列DMD上生成虚拟的掩模,通过光学仪器使光束透过此虚拟掩模照射在涂油光刻胶板上,完成光刻的过程。


4.根据权利要求1所述的无掩模光刻方法,其特征在于,所述步骤(1)中,将芯片放置于载板后,芯片经可塑材料塑成、研磨和保护层沉积后,对芯片的载体拆除,使每个芯片经物理气相沉积或化学气相沉积固封在保护层。


5.根据权利要求4所述的无掩模光刻方法,其特征在于,在晶圆上将芯片切割后,对芯片进行表面处理,使用机械手将芯片逐一放置在已经进行胶带层压的载板。

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【专利技术属性】
技术研发人员:刘强陈新汤晖卢振威吴诗锐詹子凡崔成强高健
申请(专利权)人:广东工业大学
类型:发明
国别省市:广东;44

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