一种可支援多个SIM卡的LTE模组系统技术方案

技术编号:29363172 阅读:13 留言:0更新日期:2021-07-20 18:53
本发明专利技术公开一种可支援多个SIM卡的LTE模组系统,包括一级主DUAL SIM IC,以及N级副DUAL SIM IC,其中一级主DUAL SIM IC连接2~m组二级副DUAL SIM IC,每个二级副DUAL SIM IC连接2~m组三级副DUAL SIM IC,以相同连接方式,直至每个N‑1级副DUAL SIM IC连接2~m组N级副DUAL SIM IC,每个N级副DUAL SIM IC分为L支路,其中L≥2;每条支路上并联一组SIM卡安装设备和一组eSIM卡安装设备。可以实现一个LTE主模组可弹性搭配二至多个SIM Connector或是eSIM IC使用,增加信号传输备援能力。

【技术实现步骤摘要】
一种可支援多个SIM卡的LTE模组系统
本专利技术属于通讯设备
,具体涉及一种可支援多个SIM卡的LTE模组系统。
技术介绍
随着通讯技术的不断发展,人们对网络通讯设备的依赖程度越来越高,这就要求网络通讯设备的作业稳定性,避免因断网等问题影响正常工作、生活。通讯设备中一般是由LTE模组支援SIM卡,完成通讯作业,而现有的LTE模组一般仅能支援一张SIM卡,主要结构为LTE模组、电阻和SIMConnector,SIM卡对应安装在SIMConnector上,此种设计方式局限于使用一个LTE模组搭配一张SIM卡,当网络运营商一旦中断信号时,LTE连线即会失效,造成资料无法传输,对使用者造成较大的困扰,信号传输无备援状态下,只能等待网络运营商修复。等待期间的损失严重,不仅仅是用金钱可以衡量的。此外,一个LTE模组搭配一张SIM卡,传输资料的安全防护能力偏低,资料内容容易被窃取,综上,需要对现有的LTE模组支援SIM卡的系统进行改进。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术目的在于针对现有技术的不足,提供一种可支援多个SIM卡的LTE模组系统。技术方案:本专利技术所述一种可支援多个SIM卡的LTE模组系统,包括一级主DUALSIMIC,以及N级副DUALSIMIC,其中一级主DUALSIMIC连接2~m组二级副DUALSIMIC,每个二级副DUALSIMIC连接2~m组三级副DUALSIMIC,以相同连接方式,直至每个N-1级副DUALSIMIC连接2~m组N级副DUALSIMIC,每个N级副DUALSIMIC分为L支路,其中L≥2;每条支路上并联一组SIM卡安装设备和一组eSIM卡安装设备。进一步地,作为较优实施方式,N值为1,一级主DUALSIMICU4连接2组二级副DUALSIMICU2和U6,每个二级副DUALSIMIC分为两条支路,每条支路上并联一组SIM卡安装设备和一组eSIM卡安装设备。本专利技术还提供了上述可支援多个SIM卡的LTE模组系统的电路系统,所述一级主DUALSIMICU4上设有I/O1输入口、RST1输入口、CLK1输入口以及VCC1输入口,对称设置I/O-A1和I/O-B1输出口、RST-A1和RST-B1输出口、CLK-A1和CLK-B1输出口,VCC-A1输出口和VCC-B1输出口;所述二级副DUALSIMICU2上设有I/O2输入口、RST2输入口、CLK2输入口以及VCC2输入口,对称设置I/O-A2和I/O-B2输出口、RST-A2和RST-B2输出口、CLK-A2和CLK-B2输出口,VCC-A2输出口和VCC-B2输出口;所述二级副DUALSIMICU6上设有I/O3输入口、RST3输入口、CLK3输入口以及VCC3输入口,对称设置I/O-A3和I/O-B3输出口、RST-A3和RST-B3输出口、CLK-A3和CLK-B3输出口,VCC-A3输出口和VCC-B3输出口;所述一级主DUALSIMICU4上的I/O1输入口、RST1输入口、CLK1输入口以及VCC1输入口连接外部信号输送设备,所述I/O-A1、RST-A1以及CLK-A1输出口分别连接二级副DUALSIMICU2上的I/O2输入口、RST2输入口以及CLK2输入口;I/O-B1输出口、RST-B1输出口以及CLK-B1输出口分别连接二级副DUALSIMICU6上的I/O3输入口、RST3输入口以及CLK3输入口;VCC-A1输出口接入二级副DUALSIMICU2上的VCC2输入口,VCC-B1输出口连接二级副DUALSIMICU6上的VCC3输入口;所述的二级副DUALSIMICU2的两组输出端分别对称连接并联的U1eSIM卡安装设备和U1SIM卡安装设备和并联的U3eSIM卡安装设备和U3SIM卡安装设备;所述的二级副DUALSIMICU6的两组输出端分别对称连接并联的U5eSIM卡安装设备和U5SIM卡安装设备和并联的U7eSIM卡安装设备和U7SIM卡安装设备。进一步地,所述的U1eSIM卡安装设备、U3eSIM卡安装设备、U5eSIM卡安装设备和U7eSIM卡安装设备结构一致;U1SIM卡安装设备、U3SIM卡安装设备、U5SIM卡安装设备和U7SIM卡安装设备结构一致;U1eSIM卡安装设备设有I/O-eU1输入端,VDD-eU1输出端、RST-eU1输出端和CLK-eU1输出端;U1SIM卡安装设备设有VCC-U1输入端、RST-U1输入端、CLK-U1输入端和I/O-U1输入端;U3eSIM卡安装设备设有I/O-eU3输入端,VDD-eU3输出端、RST-eU3输出端和CLK-eU3输出端;U3SIM卡安装设备设有VCC-U3输入端、RST-U3输入端、CLK-U3输入端和I/O-U3输入端;U5eSIM卡安装设备设有I/O-eU5输入端,VDD-eU5输出端、RST-eU5输出端和CLK-eU5输出端;U5SIM卡安装设备设有VCC-U5输入端、RST-U5输入端、CLK-U5输入端和I/O-U5输入端;U7eSIM卡安装设备设有I/O-eU7输入端,VDD-eU7输出端、RST-eU7输出端和CLK-eU7输出端;U7SIM卡安装设备设有VCC-U7输入端、RST-U7输入端、CLK-U7输入端和I/O-U7输入端;二级副DUALSIMICU2的I/O-A2的输出端分为两条支路,一条支路通过调节电阻R11接入I/O-eU1输入端,另一条支路通过串联的调节电阻R4和调节电阻R4接入I/O-U1输入端;U1eSIM卡安装设备的VDD-eU1输出端串接调节电阻R9后与VCC-A2输出端合并,并且串接调节电阻R6以及调节电阻R1后接入VCC-U1输入端;RST-eU1输出端串接调节电阻R10后与RST-A2输出端合并,并且串接调节电阻R7以及调节电阻R2后接入RST-U1输入端;CLK-eU1输出端串接调节电阻R12后与CLK-A2输出端合并,并且串接调节电阻R8以及调节电阻R3后接入CLK-U1输入端;二级副DUALSIMICU2的I/O-B2的输出端分为两条支路,一条支路通过调节电阻R13接入I/O-Eu3输入端,另一条支路通过串联的调节电阻R26和调节电阻R25接入I/O-U3输入端;U3eSIM卡安装设备的VDD-eU3输出端串接调节电阻R17后与VCC-B2输出端合并,并且串接调节电阻R14以及调节电阻R23后接入VCC-U3输入端;RST-eU3输出端串接调节电阻R18后与RST-B2输出端合并,并且串接调节电阻R15以及调节电阻R20后接入RST-U3输入端;CLK-eU3输出端串接调节电阻R19后与CLK-B2输出端合并,并且串接调节电阻R16以及调节电阻R24后接入CLK-U3输入端;二级副DUALSIMICU6的I/O-A3的输出端分为两条支路,一条支路通过调节电阻R27接入I/O-eU5输入端,另一条支路通过串联的调节电阻R40和调节电阻R39接入I/O-U5输入端;U5eSIM卡安装设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可支援多个SIM卡的LTE模组系统,其特征在于:包括一级主DUAL SIM IC,以及N级副DUAL SIM IC,其中一级主DUAL SIM IC连接2~m组二级副DUAL SIM IC,每个二级副DUAL SIM IC连接2~m组三级副DUAL SIM IC,以相同连接方式,直至每个N-1级副DUAL SIMIC连接2~m组N级副DUAL SIM IC,每个N级副DUAL SIM IC分为L支路,其中L≥2;每条支路上并联一组SIM卡安装设备和一组eSIM卡安装设备。/n

【技术特征摘要】
1.一种可支援多个SIM卡的LTE模组系统,其特征在于:包括一级主DUALSIMIC,以及N级副DUALSIMIC,其中一级主DUALSIMIC连接2~m组二级副DUALSIMIC,每个二级副DUALSIMIC连接2~m组三级副DUALSIMIC,以相同连接方式,直至每个N-1级副DUALSIMIC连接2~m组N级副DUALSIMIC,每个N级副DUALSIMIC分为L支路,其中L≥2;每条支路上并联一组SIM卡安装设备和一组eSIM卡安装设备。


2.根据权利要求1所述的可支援多个SIM卡的LTE模组系统,其特征在于:所述N值为1,一级主DUALSIMICU4连接2组二级副DUALSIMICU2和U6,每个二级副DUALSIMIC分为两条支路,每条支路上并联一组SIM卡安装设备和一组eSIM卡安装设备。


3.根据权利要求2所述可支援多个SIM卡的LTE模组系统,其特征在于:
所述一级主DUALSIMICU4上设有I/O1输入口、RST1输入口、CLK1输入口以及VCC1输入口,对称设置I/O-A1和I/O-B1输出口、RST-A1和RST-B1输出口、CLK-A1和CLK-B1输出口,VCC-A1输出口和VCC-B1输出口;
所述二级副DUALSIMICU2上设有I/O2输入口、RST2输入口、CLK2输入口以及VCC2输入口,对称设置I/O-A2和I/O-B2输出口、RST-A2和RST-B2输出口、CLK-A2和CLK-B2输出口,VCC-A2输出口和VCC-B2输出口;
所述二级副DUALSIMICU6上设有I/O3输入口、RST3输入口、CLK3输入口以及VCC3输入口,对称设置I/O-A3和I/O-B3输出口、RST-A3和RST-B3输出口、CLK-A3和CLK-B3输出口,VCC-A3输出口和VCC-B3输出口;
所述一级主DUALSIMICU4上的I/O1输入口、RST1输入口、CLK1输入口以及VCC1输入口连接外部信号输送设备,所述I/O-A1、RST-A1以及CLK-A1输出口分别连接二级副DUALSIMICU2上的I/O2输入口、RST2输入口以及CLK2输入口;I/O-B1输出口、RST-B1输出口以及CLK-B1输出口分别连接二级副DUALSIMICU6上的I/O3输入口、RST3输入口以及CLK3输入口;VCC-A1输出口接入二级副DUALSIMICU2上的VCC2输入口,VCC-B1输出口连接二级副DUALSIMICU6上的VCC3输入口;
所述的二级副DUALSIMICU2的两组输出端分别对称连接并联的U1eSIM卡安装设备和U1SIM卡安装设备和并联的U3eSIM卡安装设备和U3SIM卡安装设备;
所述的二级副DUALSIMICU6的两组输出端分别对称连接并联的U5eSIM卡安装设备和U5SIM卡安装设备和并联的U7eSIM卡安装设备和U7SIM卡安装设备。


4.根据权利要求3所述的可支援多个SIM卡的LTE模组系统,其特征在于:所述的U1eSIM卡安装设备、U3eSIM卡安装设备、U5eSIM卡安装设备和U7eSIM卡安装设备结构一致;U1SIM卡安装设备、U3SIM卡安装设备、U5SIM卡安装设备和U7SIM卡安装设备结构一致;
U1eSIM卡安装设备设有I/O-eU1输入端,VDD-eU1输出端、RST-eU1输出端和CLK-eU1输出端;U1SIM卡安装设备设有VCC-U1输入端、RST-U1输入端、CLK-U1输入端和I/O-U1输入端;
U3eSIM卡安装设备设有I/O-eU3输入端,VDD-eU3输出端、RST-eU3输出端和CLK-eU3输出端;U3SIM卡安装设备设有VCC-U3输入端、RST-U3输入端、CLK-U3输入端和I/O-U3输入端;
U5eSIM卡安装设备设有I/O-eU5输入端,VDD-eU5输出端、RST-eU5输出端和CLK-eU5输出端;U5SIM卡安装设备设有VCC-U5输...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖启富温祥洲
申请(专利权)人:中波动光工业通信江苏有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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