一种防护型MOS管并联驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及MOS管并联驱动电路，具体涉及一种防护型MOS管并联驱动电路，包括MOS管并联电路，MOS管的栅极、源极之间连接有滤波电路和钳位二极管，MOS管的栅极上连接有限流电阻，以在高压电平进入MOS管的栅极时将该MOS管切断隔离；本发明专利技术提供的技术方案能够有效克服现有技术所存在的不能及时将故障MOS管从MOS管并联电路中切断隔离的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种防护型MOS管并联驱动电路
本专利技术涉及MOS管并联驱动电路，具体涉及一种防护型MOS管并联驱动电路。
技术介绍
MOS管是金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)。随着电子电力技术的发展，功率MOSFET以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等，得到了越来越广泛的应用。在低压大功率的许多应用场合，如电动三轮车、小型电动叉车等，为了满足电流的要求，大多数都会采用并联MOS管的方法。但MOS管并联使用时，均流问题一直没有得到有效解决，这样就可能会因电流不均导致单个MOS管损坏，从而导致多个并联的MOS管直通、损坏，而一组MOS管的损坏又会带来更多的连带故障。同时，在MOS管使用时，很少加入对MOS管的短路保护功能，即使加入了MOS管的保护电路，也会因为对保护状态的误判或者反应不及时而无法起到有效作用，同样容易导致多个并联的MOS管直通、损坏，大大提高了研发成本。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防护型MOS管并联驱动电路，其特征在于：包括MOS管并联电路，所述MOS管的栅极、源极之间连接有滤波电路和钳位二极管，所述MOS管的栅极上连接有限流电阻，以在高压电平进入MOS管的栅极时将该MOS管切断隔离。/n

【技术特征摘要】
1.一种防护型MOS管并联驱动电路，其特征在于：包括MOS管并联电路，所述MOS管的栅极、源极之间连接有滤波电路和钳位二极管，所述MOS管的栅极上连接有限流电阻，以在高压电平进入MOS管的栅极时将该MOS管切断隔离。


2.根据权利要求1所述的防护型MOS管并联驱动电路，其特征在于：所述限流电阻包括限流电阻R10、限流电阻R11、限流电阻R12，所述限流电阻R10、限流电阻R11、限流电阻R12分别与MOS管的栅极相连。


3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈家松，杨卫国，
申请(专利权)人：安徽智纳智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34