一种显示器件及其制造方法技术

本公开提供一种显示器件及其制造方法，显示器件的像素区包括交替设置的第一像素区和第二像素区，显示器件包括：衬底基板；遮光层，设置于衬底基板的第一侧，设有多个第一镂空区；阵列层，位于遮光层的远离衬底基板的一侧，包括位于第一像素区的第一开关控制单元和位于第二像素区的第二开关控制单元；像素定义层，位于阵列层的远离衬底基板的一侧，包括位于第一像素区的第一开口和位于第二像素区的第二开口，第二开口与第一镂空区在衬底基板上的正投影完全重合；发光方向朝向衬底基板的第一侧的第一发光器件，位于第一像素区；发光方向朝向衬底基板的第二侧的第二发光器件，位于第二像素区。本公开的显示器件及其制造方法能够解决双面显示装置体积大、厚度大、重量大及背面显示屏亮度低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种显示器件及其制造方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示器件及其制造方法。
技术介绍
在相关技术中，顺应显示功能多样化的趋势，出现了双面显示装置。目前生产的双面显示装置通常是将两个单面显示面板对贴而形成的。单面显示面板例如可以是单面OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示面板或单面液晶(LiquidCrystal，简称LC)显示面板。采用这种方式形成的双面显示装置虽然能实现双面显示，但均存在体积大、厚度大、重量大等不足；对于OLED双面显示屏，其背面屏亮度提升是目前双面显示屏开发的技术难点，背面屏的低亮度使得背面屏上很难组装CPOL(圆偏光片)。
技术实现思路
本公开实施例提供了一种显示器件及其制造方法，能够解决相关技术中双面显示装置体积大、厚度大、重量大以及背面显示屏亮度低等技术问题。本公开实施例所提供的技术方案如下：本公开实施例中提供了一种显示器件，所述显示器件的像素区包括交替设置的多个第一像素区和多个第二像素区，所述显示器件具体包括：衬底基板，包括相背设置的第一侧和第二侧；遮光层，设置于所述衬底基板的第一侧，所述遮光层上设有多个第一镂空区；阵列层，位于所述遮光层的远离所述衬底基板的一侧，所述阵列层包括位于所述第一像素区的第一开关控制单元和位于所述第二像素区的第二开关控制单元；像素定义层，位于所述阵列层的远离所述衬底基板的一侧，所述像素定义层包括位于所述第一像素区的第一开口和位于所述第二像素区的第二开口，所述第二开口与所述第一镂空区在所述衬底基板上的正投影完全重合；第一发光器件，所述第一发光器件位于所述第一像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第一发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第一侧；第二发光器件，所述第二发光器件位于所述第二像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第二发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第二侧。示例性的，所述第一发光器件为顶发射发光器件，包括：位于所述像素定义层的远离所述衬底基板的一侧的第一阳极，所述第一阳极为反射性导电薄膜，所述第一阳极与所述第一开关控制单元连接；位于所述第一阳极的远离所述衬底基板的一侧的第一发光层，所述第一发光层位于所述第一开口内；位于所述第一发光层的远离所述衬底基板的一侧的第一阴极，所述第一阴极为透明导电薄膜。示例性的，所述第一阳极为ITO/Ag/ITO复合导电薄膜；所述第一阴极为Mg/Ag复合导电薄膜。示例性的，所述第二发光器件为底发射发光器件，包括：位于所述像素定义层的远离所述衬底基板的一侧的第二阳极，所述第二阳极为透光率大于80％的高透光性导电薄膜，所述第二阳极与所述第二开关控制单元连接；位于所述第二阳极的远离所述衬底基板的一侧的第二发光层，所述第二发光层位于所述第二开口内；位于所述第二发光层的远离所述衬底基板的一侧的第二阴极，所述第二阴极为反射率为100％的高反射性导电薄膜。示例性的，所述第二阳极为ITO/Ag/ITO复合导电薄膜，其中所述第二阳极中Ag膜层的膜层厚度为20±10nm；所述第二阴极为Al导电薄膜或Mg/Ag复合导电薄膜，其中所述Al导电薄膜的膜层厚度为200～300nm，所述Mg/Ag复合导电薄膜的膜层厚度为120～150nm。示例性的，所述遮光层包括Mo膜层。示例性的，在所述衬底基板与所述遮光层之间还设有选择性反射膜层。示例性的，所述选择性反射膜层为多层有色光学膜层叠层结构。示例性的，所述选择性反射膜层为对应整个所述显示器件的像素区设置的整个膜层；或者，所述选择性反射膜层上设有第二镂空区，且所述第二镂空区与所述第二开口在所述衬底基板上的正投影重合。示例性的，所述第一开关控制单元包括第一薄膜晶体管，所述第二开关控制单元包括第二薄膜晶体管。本公开实施例还提供了一种显示器件的制造方法，用于制造如上所述的显示器件，所述方法包括如下步骤：提供一衬底基板，所述衬底基板包括相背设置的第一侧和第二侧；在所述衬底基板的第一侧形成遮光层，所述遮光层上设有多个第一镂空区；在所述遮光层远离所述衬底基板的一侧形成阵列层，所述阵列层包括位于所述第一像素区的第一开关控制单元和位于所述第二像素区的第二开关控制单元；在所述阵列层的远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，并在所述像素定义层上刻蚀形成多个第一开口和多个第二开口，所述第一开口位于所述第一像素区，所述第二开孔位于所述第二像素区，且所述第二开口与所述第一镂空区在所述衬底基板上的正投影完全重合；在所述像素定义层上形成第一发光器件和第二发光器件，所述第一发光器件位于所述第一像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第一发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第一侧，所述第二发光器件位于所述第二像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第二发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第二侧。示例性的，在所述衬底基板与所述遮光层之间还设有选择性反射膜层，其中，在所述衬底基板的第一侧形成遮光层之前，所述方法还包括：在所述衬底基板的第一侧形成选择性反射膜层。示例性的，当所述选择性反射膜层上设有第二镂空区，且所述第二镂空区与所述第二开口在所述衬底基板上的正投影重合时，在所述衬底基板的第一侧形成选择性反射膜层，具体包括：在所述衬底基板的第一侧形成选择性反射膜层，其中所述选择性反射膜层包括多层有色光学膜层叠层结构时，所述多层有色光学膜层叠层结构中无机薄膜采用干刻方式进行镂空，所述多层有色光学膜层叠层结构中金属薄膜采用湿刻方式进行镂空，以形成所述第二镂空区。示例性的，所述在所述像素定义层上形成第一发光器件和第二发光器件，具体包括：在所述阵列层上沉积第一导电层，对所述第一导电层进行图案化处理，在所述第一导电层的图案包括第一去除区和第一保留区，所述第一保留区的图案形成为所述第一阳极或所述第二阳极中的一个；在所述阵列层上沉积第二导电层，并对所述第二导电层进行图案化处理，所述第二导电层的图案包括第二去除区和第二保留区，所述第二保留区的图案形成为所述第一阳极或所述第二阳极中的另一个；在所述第一阳极的远离所述衬底基板的一侧形成第一发光层，在所述第二阳极的远离所述衬底基板的一侧形成第二发光层；在所述第一发光层的远离所述衬底基板的一侧形成第三导电层，并对所述第三导电层进行图案化处理，所述第三导电层的图案包括第三去除区和第三保留区，所述第三保留区的图案形成为所述第一阴极或所述第二阴极中的一个；在所述第二发光层的远离所述衬底基板的一侧形成第四导电层，并对所述第四导电层进行图案化处理，所述第四导电层的图案包括第四去除区和第四保留区，所述第四保留区的图案形成为所述第一阴极或第二阴极中的另一个。本公开实施例所带来的有益效果如下：本公开实施例提供的显示器件及其制造方法，该显示器件的像素区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示器件，其特征在于，所述显示器件的像素区包括交替设置的多个第一像素区和多个第二像素区，所述显示器件具体包括：/n衬底基板，包括相背设置的第一侧和第二侧；/n遮光层，设置于所述衬底基板的第一侧，所述遮光层上设有多个第一镂空区；/n阵列层，位于所述遮光层的远离所述衬底基板的一侧，所述阵列层包括位于所述第一像素区的第一开关控制单元和位于所述第二像素区的第二开关控制单元；/n像素定义层，位于所述阵列层的远离所述衬底基板的一侧，所述像素定义层包括位于所述第一像素区的第一开口和位于所述第二像素区的第二开口，所述第二开口与所述第一镂空区在所述衬底基板上的正投影完全重合；/n第一发光器件，所述第一发光器件位于所述第一像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第一发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第一侧；/n第二发光器件，所述第二发光器件位于所述第二像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第二发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第二侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示器件，其特征在于，所述显示器件的像素区包括交替设置的多个第一像素区和多个第二像素区，所述显示器件具体包括：
衬底基板，包括相背设置的第一侧和第二侧；
遮光层，设置于所述衬底基板的第一侧，所述遮光层上设有多个第一镂空区；
阵列层，位于所述遮光层的远离所述衬底基板的一侧，所述阵列层包括位于所述第一像素区的第一开关控制单元和位于所述第二像素区的第二开关控制单元；
像素定义层，位于所述阵列层的远离所述衬底基板的一侧，所述像素定义层包括位于所述第一像素区的第一开口和位于所述第二像素区的第二开口，所述第二开口与所述第一镂空区在所述衬底基板上的正投影完全重合；
第一发光器件，所述第一发光器件位于所述第一像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第一发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第一侧；
第二发光器件，所述第二发光器件位于所述第二像素区，并与所述第一开关控制单元连接，所述第二发光器件的发光方向朝向所述衬底基板的第二侧。


2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
所述第一发光器件为顶发射发光器件，包括：
位于所述像素定义层的远离所述衬底基板的一侧的第一阳极，所述第一阳极为反射性导电薄膜，所述第一阳极与所述第一开关控制单元连接；
位于所述第一阳极的远离所述衬底基板的一侧的第一发光层，所述第一发光层位于所述第一开口内；
位于所述第一发光层的远离所述衬底基板的一侧的第一阴极，所述第一阴极为透明导电薄膜。


3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
所述第一阳极为ITO/Ag/ITO复合导电薄膜；
所述第一阴极为Mg/Ag复合导电薄膜。


4.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
所述第二发光器件为底发射发光器件，包括：
位于所述像素定义层的远离所述衬底基板的一侧的第二阳极，所述第二阳极为透光率大于80％的高透光性导电薄膜，所述第二阳极与所述第二开关控制单元连接；
位于所述第二阳极的远离所述衬底基板的一侧的第二发光层，所述第二发光层位于所述第二开口内；
位于所述第二发光层的远离所述衬底基板的一侧的第二阴极，所述第二阴极为反射率为100％的高反射性导电薄膜。


5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，
所述第二阳极为ITO/Ag/ITO复合导电薄膜，其中所述第二阳极中Ag膜层的膜层厚度为20±10nm；
所述第二阴极为Al导电薄膜或Mg/Ag复合导电薄膜，其中所述Al导电薄膜的膜层厚度为200～300nm，所述Mg/Ag复合导电薄膜的膜层厚度为120～150nm。


6.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
所述遮光层包括Mo膜层。


7.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
在所述衬底基板与所述遮光层之间还设有选择性反射膜层。


8.根据权利要求7所述的显示器件，其特征在于，
所述选择性反射膜层为多层有色光学膜层叠层结构。


9.根据权利要求7所述的显示器件，其特征在于，
所述选择性反射膜层为对应整个所述显示器件的像素区设置的整个膜层；
或者，所述选择性反射膜层上设有第二镂空区，且所述第二镂空区与所述第二开口在所述衬底基板上的正投影重合。

...

【专利技术属性】
技术研发人员：田雪雁，李良坚，陈登云，王纯阳，赵旭亮，秦成杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11