改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法技术

本发明专利技术涉及一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，所属半导体材料技术领域，如下操作步骤：步骤一：LTO背封层成膜后通过目检筛选出膜面上有缺陷的不良片，包括颗粒造成的成膜不良；筛选出LTO层内或者嵌入LTO层的颗粒造成的成膜不良片。步骤二：通过刷片清洗机的PVA刷进行刷硅片的清洗。步骤三：抛光前进行清洗，第一步采用去离子水进行清洗，第二步采用SC1对LTO背封硅片进行两次清洗，第三步再次采用去离子水进行清洗。步骤四：完成清洗后的LTO背封硅片进行抛光处理。具有运行稳定性好和产品合格率高的特点。解决了背封层表面附着颗粒及LTO背封硅片在抛光时发生凹坑的问题。

【技术实现步骤摘要】
改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法
本专利技术涉及半导体材料
，具体涉及一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法。
技术介绍
化学机械抛光即ChemicalMachinePolishing,CMP，是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合，在施加一定压力下，通过硅片和抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面。抛光前的的涂蜡贴片过程中，如果引入了一定粒径大小的颗粒，施加压力后硅片抛光面产生凸起，抛光过程中该凸起被修平，硅片剥离下来后，应力恢复，凸起部分就会出现凹坑，凹坑的产生直接影响硅片表面局部平整度参数波动。背封硅片通常是用化学气相沉积的方法在硅片背面沉积一层LTO，LTO即低温二氧化硅，LTO背封层不可避免会有颗粒附着在上面，主要有两种模式，一种是LTO背封层封住的颗粒，另一种是背封层表面附着的颗粒。这导致LTO背封硅片在抛光时凹坑的发生率较高。目前对于LTO背封硅片通常在抛光贴片前使用氨水和双氧水药液清洗，不能有效解决此问题。
技术实现思路
本专利技术主要解决现有技术中存在运行稳定性差和产品合格率低的不足，提供了一种改善L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其特征在于包括如下操作步骤：/n步骤一：LTO背封层成膜后通过目检筛选出膜面上有缺陷的不良片，包括颗粒造成的成膜不良；筛选出LTO层内或者嵌入LTO层的颗粒造成的成膜不良片；/n步骤二：通过刷片清洗机的PVA刷进行刷硅片的清洗；/n步骤三：抛光前进行清洗，第一步采用去离子水进行清洗，第二步采用SC1对LTO背封硅片进行两次清洗，第三步再次采用去离子水进行清洗；/n步骤四：完成清洗后的LTO背封硅片进行抛光处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
步骤一：LTO背封层成膜后通过目检筛选出膜面上有缺陷的不良片，包括颗粒造成的成膜不良；筛选出LTO层内或者嵌入LTO层的颗粒造成的成膜不良片；
步骤二：通过刷片清洗机的PVA刷进行刷硅片的清洗；
步骤三：抛光前进行清洗，第一步采用去离子水进行清洗，第二步采用SC1对LTO背封硅片进行两次清洗，第三步再次采用去离子水进行清洗；
步骤四：完成清洗后的LTO背封硅片进行抛光处理。


2.根据权利要求1所述的改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其特征在于：目检采用荧光灯和聚光灯两种方式观察。


3.根据权利要求1所述的改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其特征在于：每个药液清洗时间为2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张聪，张森阳，安人龙，戚定定，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33