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本发明涉及一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，所属半导体材料技术领域，如下操作步骤：步骤一：LTO背封层成膜后通过目检筛选出膜面上有缺陷的不良片，包括颗粒造成的成膜不良；筛选出LTO层内或者嵌入LTO层的颗粒造成的成膜不良片。步骤二：通过...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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