一种大容量多引脚支架电容器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种大容量多引脚支架电容器及其制备方法，电容器包括两外侧框架、至少一个中部框架、高频框架、若干陶瓷芯片和高频芯片，中部框架包括若干依次间隔布置的第一支架，外侧框架包括若干依次间隔布置的第二支架，第一支架包括呈“匚”字型的第一引脚，第一支架内外侧面均焊接有陶瓷芯片，第一引脚上端与对应的陶瓷芯片接触以支撑陶瓷芯片，第二支架内侧面焊接有陶瓷芯片，陶瓷芯片的两端分别与相邻的两第一支架或者相邻的第一支架与第二支架焊接，高频框架与一外侧框架或者中部框架连接，高频芯片焊接在高频框架上。本发明专利技术具有容量大、占用空间小、抗热变形以及对高次谐波抗性好的特点。波抗性好的特点。波抗性好的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种大容量多引脚支架电容器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种大容量多引脚支架电容器及其制备方法。

技术介绍

[0002]陶瓷电容器焊接过程中由于陶瓷材料的材料特性，在经过回流焊焊接后容易因为端头部位应力集中，和PCB板受热变形及热膨胀而造成瓷体开裂现象。为解决上述问题，现有技术方案为使用支架电容器替换传统芯片陶瓷电容器。但现有的支架电容器的引脚通常为刚性设计，当PCB受热变形时，所能起到的缓冲作用非常有限，且支架电容器通常是单个的，在需要大容量的场合，只能将多个单个的支架电容器焊接于PCB板上，但是支架电容器对于安装间距是有要求的，导致多个支架电容器无法密集布置，如此将会造成较大的空间浪费。

技术实现思路

[0003]本专利技术提出一种大容量多引脚支架电容器及其制备方法，电容器具有容量大、占用空间小、抗热变形以及对高次谐波抗性好的特点。
[0004]本专利技术通过以下技术方案实现：
[0005]一种大容量多引脚支架电容器，包括两外侧框架、至少一个中部框架、高频框架、若干陶瓷芯片和高频芯片，中部框架包括若干依次间隔布置的第一支架和分别设置在两相邻的第一支架之间的多个缓冲机构，外侧框架包括若干依次间隔布置的第二支架和分别设置在两相邻的第二支架之间的多个缓冲机构，第一支架包括呈“匚”字型的第一引脚，第一支架内外侧面均焊接有陶瓷芯片，第一引脚上端与对应的陶瓷芯片接触以支撑陶瓷芯片，第二支架内侧面焊接有陶瓷芯片，陶瓷芯片的两端分别与相邻的两第一支架或者相邻的第一支架与第二支架焊接，高频框架与一外侧框架或者中部框架连接，高频芯片焊接在高频框架上。
[0006]进一步的，所述第一支架还包括竖直布置的第一芯片焊盘和分别设置在第一芯片焊盘下端两侧且水平向内延伸的两第一限位脚，所述第一引脚包括设置在第一芯片焊盘下端且向外延伸的第一横板、设置在第一横板外端的第一竖板和设置在第一竖板下端且向内延伸的第二横板。
[0007]进一步的，所述高频框架包括相对间隔布置的两第二芯片焊盘，一第二芯片焊盘与外侧框架或者中部框架连接，所述高频芯片焊接在两第二芯片焊盘之间。
[0008]进一步的，所述第二支架包括竖直布置的第三芯片焊盘、分别设置在第三芯片焊盘下端两侧且水平向内延伸的两第二限位脚、以及设置在第三芯片焊盘下端的第三引脚，第三引脚包括设置在第三芯片下端的第二竖板和设置在第二竖板下端且水平向内延伸的第三横板，两外侧框架的第三引脚相对布置，第三引脚下端与第一引脚下端处于同一平面。
[0009]进一步的，另一所述第二芯片焊盘下端设置有第二引脚，第二引脚下端与第一引脚下端处于同一平面。
[0010]进一步的，所述缓冲机构包括横截面为弧形的膨胀节。
[0011]进一步的，所述第一芯片焊盘和第三芯片焊盘上均开设有排气孔，排气孔可以为圆形、多边形或者十字形。
[0012]进一步的，所述两第一支架或者相邻的第一支架与第二支架之间焊接有层叠布置的两陶瓷芯片。
[0013]进一步的，所述第二芯片焊盘与外侧框架或者中部框架一体连接。
[0014]本专利技术还通过以下技术方案实现：
[0015]一种大容量多引脚支架电容器的制备方法，包括如下步骤：
[0016]A、首先在一外侧框架内侧面点上锡膏；
[0017]B、再将若干陶瓷芯片依次排列，并使各陶瓷芯片的一端与外侧框架内侧面接触；
[0018]C、然后在一中部框架内外两侧面均点上锡膏；
[0019]D、使步骤B中各陶瓷芯片另一端与步骤C中中部框架内侧面接触，再将若干陶瓷芯片依次排列，并使各陶瓷芯片的一端与中部框架外侧面接触，中部框架的第一引脚与步骤A中所述的外侧框架的第三引脚相对布置；
[0020]E、继续参照步骤C和步骤D放置需要数量的中部框架和陶瓷芯片，各中部框架的第一引脚方向相同；
[0021]F、在另一外侧框架内侧面点上锡膏，并使其与陶瓷芯片接触，该外侧框架的第三引脚与第一引脚方向相同；
[0022]G、在高频框架内点上锡膏并将高频芯片放入高频框架内；
[0023]H、进入回流焊进行焊接。
[0024]本专利技术具有如下有益效果：
[0025]1、本专利技术通过两外侧框架和至少一个中部框架，将若干陶瓷芯片密集布置并焊接成一体，使用时，通过多个第一引脚和多个第三引脚焊接于PCB板上，满足大容量要求的同时大大节约了空间，且可根据客户要求选择焊接的陶瓷芯片数量；中部框架的第一引脚具有特殊结构，焊接过程中，当PCB受热产生变形时，第一引脚以及各缓冲机构能够有效抵消变形量，从而避免陶瓷芯片损坏的情况；通过设置高频芯片，能够对电容器使用过程中产生的高次谐波形成低阻抗通路，达到有效抑制高次谐波和涌流的作用，从而防止出现电容器温度过高、绝缘介质老化、自愈性下降、使用寿命降低的现象，提高电容器的可靠性及稳定性；高频框架与外侧框架或者中部框架连接，使结构更为简单且可靠。
[0026]2、第一引脚由第一横板、第一竖板和第二横板形成“匚”字型结构，当PCB板因受热导致高度变形时，第一引脚随之同步变形，从而有效抵消陶瓷芯片在高度方向所受到的应力，各缓冲机构则可通过变形抵消垂直于框架方向所受到的应力；第一引脚还可用于支撑对应的陶瓷芯片，从而实现多个中部框架与陶瓷芯片的拼接。
附图说明
[0027]下面结合附图对本专利技术做进一步详细说明。
[0028]图1为本专利技术的结构示意图。
[0029]图2为本专利技术外侧框架的结构示意图。
[0030]图3为本专利技术中部框架的结构示意图。
[0031]图4为本专利技术中部框架另一角度的结构示意图。
[0032]图5为本专利技术高频框架的一第二芯片焊盘的结构示意图。
[0033]其中，1、外侧框架；11、第二支架；12、第三芯片焊盘；13、第二限位脚；14、第三引脚；141、第二竖板；142、第三横板；2、中部框架；21、第一支架；22、第一芯片焊盘；23、第一限位脚；24、第一引脚；241、第一横板；242、第一竖板；243、第二横板；31、第二芯片焊盘；32、第二引脚；4、陶瓷芯片；5、高频芯片；6、排气孔；7、缓冲机构。
具体实施方式
[0034]如图1至图5所示，大容量多引脚支架电容器包括两外侧框架1、八个中部框架2、高频框架、若干陶瓷芯片4和高频芯片5，两外侧框架1相对布置，八个中部框架2间隔设置在两外侧框架1之间，高频框架与一外侧框架1端部连接，外侧框架1与相邻的中部框架2之间设置有两层层叠的陶瓷芯片4，两相邻的中部框架2之间也设置有两层层叠的陶瓷芯片4。外侧框架1包括外侧框架1包括若干依次间隔布置的第二支架11和分别设置在两相邻的第二支架11之间的多个缓冲机构7，中部框架2包括若干依次间隔布置的第一支架21和分别设置在两相邻的第一支架21之间的多个缓冲机构7，缓冲机构7具体为横截面为弧形的膨胀节。
[0035]第一支架21包括竖直布置的第一芯片焊盘22、分别设置在第一芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：包括两外侧框架、至少一个中部框架、高频框架、若干陶瓷芯片和高频芯片，中部框架包括若干依次间隔布置的第一支架和分别设置在两相邻的第一支架之间的多个缓冲机构，外侧框架包括若干依次间隔布置的第二支架和分别设置在两相邻的第二支架之间的多个缓冲机构，第一支架包括呈“匚”字型的第一引脚，第一支架内外侧面均焊接有陶瓷芯片，第一引脚上端与对应的陶瓷芯片接触以支撑陶瓷芯片，第二支架内侧面焊接有陶瓷芯片，陶瓷芯片的两端分别与相邻的两第一支架或者相邻的第一支架与第二支架焊接，高频框架与一外侧框架或者中部框架连接，高频芯片焊接在高频框架上。2.根据权利要求1所述的一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：所述第一支架还包括竖直布置的第一芯片焊盘和分别设置在第一芯片焊盘下端两侧且水平向内延伸的两第一限位脚，所述第一引脚包括设置在第一芯片焊盘下端且向外延伸的第一横板、设置在第一横板外端的第一竖板和设置在第一竖板下端且向内延伸的第二横板。3.根据权利要求2所述的一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：所述高频框架包括相对间隔布置的两第二芯片焊盘，一第二芯片焊盘与外侧框架或者中部框架连接，所述高频芯片焊接在两第二芯片焊盘之间。4.根据权利要求2或3所述的一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：所述第二支架包括竖直布置的第三芯片焊盘、分别设置在第三芯片焊盘下端两侧且水平向内延伸的两第二限位脚、以及设置在第三芯片焊盘下端的第三引脚，第三引脚包括设置在第三芯片下端的第二竖板和设置在第二竖板下端且水平向内延伸的第三横板，两外侧框架的第三引脚相对布置，第三引脚下端与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱江滨，吴文辉，吴明钊，吴育东，
申请(专利权)人：福建火炬电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：