【技术实现步骤摘要】
VO2@SiO2纳米粒子填充型电致相变复合材料及制法
[0001]本专利技术涉及电致相变复合材料
,尤其是一种VO2@SiO2纳米粒子填充型电致相变复合材料及制法。
技术介绍
[0002]1949年,N.F.Motto通过能带理论预测了金属氧化物的绝缘
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金属相变(MIT,metal
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insulator transition),1959年,Morin在贝尔实验室首次发现单晶二氧化钒(VO2)相变现象,自此VO2相变特性成为凝聚态物理领域关注的重要课题。作为一种典型的强关联系统材料,它在温度、光和电压的作用下,能经历独特的可逆金属
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绝缘体相变(MIT)。伴随着相变,它显示了光学性质、热性质和磁性性质的剧烈变化。目前,磁控溅射、分子束外延、溶胶
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凝胶法以及脉冲激光沉积等技术均可在特定基底上直接形成VO2薄膜,但对设备和工艺条件要求较高,而利用水热法制备纳米结构VO2,具有纯度高,形貌可调,成型灵活等优点,是大规模应用VO2的理想选择。但纳米二氧化 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.VO2@SiO2纳米粒子填充型电致相变复合材料制法,其特征在于:包括如下步骤:(1)将VO2(M)纳米颗粒加入到去离子水和无水乙醇的混合溶液中,分散后,加入氨水,搅拌均匀后,溶液pH值为8.7
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11.8,然后在搅拌状态下,加入正硅酸乙酯乙醇溶液,继续反应8
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24h,抽滤,清洗,真空干燥后得到SiO2包覆的VO2纳米颗粒,0nm<SiO2包覆厚度≤3nm;(2)首先制备聚乙烯吡咯烷酮PVP水溶液,再将SiO2包覆的VO2纳米颗粒与PVP水溶液混合,涂覆在基板上,干燥后得到VO2@SiO2纳米粒子填充型电致相变复合材料。2.根据权利要求1所述的VO2@SiO2纳米粒子填充型电致相变复合材料制法,其特征在于:步骤(1)所用去离子水和无水乙醇的混合溶液中,去离子水和无水乙醇的体积比为1:3
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1:5。3.根据权利要求1所述的VO2@SiO2纳米粒子填充型电致相变复合材料制法,其特征在于:步骤(1)所用氨水的浓度为25wt%
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28wt%。4.根据权利要求1所述的VO2@SiO2纳米粒子填充型电致相变复合材料制法,其特征在于:步...
【专利技术属性】
技术研发人员:王庆国,孙肖宁,曲兆明,
申请(专利权)人:中国人民解放军陆军工程大学,
类型:发明
国别省市:
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