【技术实现步骤摘要】
电阻式存储器结构及其制作方法
[0001]本专利技术涉及一种电阻式存储器结构及其制作方法，特别是涉及一种电阻式存储器设置于基底中的存储器结构及其制作方法。
技术介绍
[0002]电阻式存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM))是一种非挥发性存储器的类型，提供下列优点：小的存储单元尺寸、超高速操作、低功率操作、高耐久性以及CMOS相容性。
[0003]电阻式存储器是主要的操作原理是利用金属氧化物的阻值会随着所加外加偏压而改变进而产生不同的阻值来存储数据，而如何办别内部存储的值，则由内部的阻值高低来做分别。
[0004]传统上电阻式存储器通常设置在后段制作工艺的金属内连线中，取代原本金属内连线的部分插塞的位置，然而此种方式在制作工艺上需要额外增加多张光掩模以定义电阻式存储器，此外为了配合金属内连线的厚度，电阻式存储器的上电极、下电极和金属氧化层的厚度不能够随意调整。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本专利技术提供一种电阻式存储器结构及其制作方法，以解决上述问题。
[0006]根据本专利技术的一优选实施例，一种电阻式存储器结构包含一基底，一电阻式存储器埋入基底，其中电阻式存储器包含一下电极、一金属氧化物层和一上电极，一第一掺杂区埋入基底并且围绕下电极，一晶体管设置于电阻式存储器的一侧，其中晶体管包含一栅极结构位于基底上，一源极位于栅极结构的一侧并且埋入基底，一漏极位于栅极结构的另一侧并且埋入基底，其中第一掺杂区和漏极接触。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电阻式存储器结构，其特征在于，包含：基底；电阻式存储器，埋入该基底，其中该电阻式存储器包含下电极、金属氧化物层和上电极；第一掺杂区，埋入该基底并且围绕该下电极；以及晶体管，设置于该电阻式存储器的一侧，其中该晶体管包含：栅极结构，位于该基底上；源极，位于该栅极结构的一侧并且埋入该基底；以及漏极，位于该栅极结构的另一侧并且埋入该基底，其中该第一掺杂区和该漏极接触。2.如权利要求1所述的电阻式存储器结构，另包含金属硅化物层，接触并且围绕该电阻式存储器。3.如权利要求1所述的电阻式存储器结构，其中该金属氧化物层围绕该上电极，该下电极围绕该金属氧化物层。4.如权利要求3所述的电阻式存储器结构，其中该金属氧化物层具有第一凹入形状，该下电极具有第二凹入形状，该第一凹入形状的开口朝向该基底的上表面，该第二凹入形状的开口朝向该基底的上表面。5.如权利要求4所述的电阻式存储器结构，其中该上电极的上表面和该基底的上表面切齐，该第一凹入形状的两末端和该基底的上表面切齐，该第二凹入形状的两末端和该基底的上表面切齐。6.如权利要求1所述的电阻式存储器结构，其中该源极和该漏极各自包含第二掺杂区，埋入该基底。7.如权利要求6所述的电阻式存储器结构，其中该源极和该漏极各自包含含硅外延层，埋入该基底。8.如权利要求6所述的电阻式存储器结构，其中该第一掺杂区和该第二掺杂区都包含N型掺质。9.如权利要求1所述的电阻式存储器结构，其中该漏极的上表面没有和任何金属硅化物层接触。10.如权利要求1所述的电阻式存储器结构，其中该源极的上表面设置有金属硅化物层，接触该源极。11.一种电阻式存储器...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄清俊，邓允斌，欧阳锦坚，谈文毅，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：
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