一种半导体集成电路器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件在阻变层和第一电极之间增加了一层籽晶层，该籽晶层为金属材料形成的颗粒结构的成膜前状态。由于籽晶层的颗粒结构改变了阻变层的地势形态，使其呈现凹凸不平状，进而在凸起处更易形成多条导电细丝。籽晶层可利用沉积工艺，在成膜前的原子成核阶段形成颗粒结构。该颗粒结构分布较为分散，从而能促成多条导电细丝的生成，可用于实现存算一体(CIM)的忆阻器等更多应用场景。现存算一体(CIM)的忆阻器等更多应用场景。现存算一体(CIM)的忆阻器等更多应用场景。

The invention relates to a semiconductor integrated circuit device and a manufacturing method thereof

【技术实现步骤摘要】
一种半导体集成电路器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件领域，尤其涉及一种电阻式随机存取存储器(RRAM)及其制造方法。

技术介绍

[0002]电阻式随机存取存储器的基本结构包括顶电极、阻变层和底电极。其中，阻变层多为各种氧化薄膜材料，例如过渡金属氧化物(TMO)，在外加电压的作用下，阻变层的电阻状态可在高阻态和低阻态之间进行转变，而不同阻态之间的转变主要是通过导电细丝的形成和断裂来实现的。
[0003]通常，阻变层中形成导电细丝的位置较为随机，从而导致RRAM器件转变参数的离散性较大。但在某些应用场景，例如，用于实现存算一体(Computing in Memory，CIM)的忆阻器，就特别要求导电细丝多条且分散分布以实现多阻态之间的线性转变。
[0004]因此，如何控制导电细丝的形成，使导电细丝的分布更为可控以满足更多应用场景的需要还是亟待解决的一个技术问题。

技术实现思路

[0005]针对上述技术问题，本专利技术人创造性地提供了一种半导体集成电路器件及其制备方法。
[0006]根据本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路器件，其特征在于，所述半导体集成电路器件包括：阻变层；分别位于所述阻变层两侧的第一电极和第二电极；位于所述阻变层与所述第一电极之间且与所述第二电极相对的第一籽晶层，所述籽晶层为金属材料形成的颗粒结构的成膜前状态。2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述半导体集成电路器件还包括：位于所述阻变层与所述第二电极之间的第二籽晶层，与所述第一籽晶层相对。3.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述阻变层为平面结构。4.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述阻变层为沟槽结构。5.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所述金属材料为活性金属材料。6.根据权利要求5所述的半导体集成电路器件，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：单利军，康赐俊，邱泰玮，沈鼎瀛，
申请(专利权)人：厦门半导体工业技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：