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本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件在阻变层和第一电极之间增加了一层籽晶层，该籽晶层为金属材料形成的颗粒结构的成膜前状态。由于籽晶层的颗粒结构改变了阻变层的地势形态，使其呈现凹凸不平状，进而在凸起处更易形成多...
该专利属于厦门半导体工业技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门半导体工业技术研发有限公司授权不得商用。

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