一种晶圆的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆的清洗方法，包括如下步骤：提供一边缘具有表面阻碍物的晶圆，并使晶圆沿轴心旋转，在晶圆上方设置主喷淋口，以对晶圆中间区域喷淋清洗药液进行清洗；在晶圆上方提供副喷淋口，对晶圆表面喷淋清洗药液进行清洗，副喷淋口到晶圆轴心线的距离不低于表面阻碍物到晶圆轴心线的距离，且副喷淋口的喷淋区域至少覆盖表面阻碍物旋转形成的圆环区域。本发明专利技术的清洗方法能够有效消除因激光打印等阻碍物引起的药印缺陷等问题，且清洗效率高、清洗效果好且稳定。清洗效果好且稳定。清洗效果好且稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的清洗方法


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，具体涉及一种晶圆的清洗方法，尤其涉及一种能去除晶圆表面因激光打字产生的药印的清洗方法。

技术介绍

[0002]现代工艺对用于外延的晶圆表面洁净度、平坦度、弯曲度的要求都非常高，因此，通常需要对晶圆进行清洗，以去除晶圆表面附着的颗粒杂质和表面的金属离子。晶圆清洗分为手动清洗和自动清洗，由于自动清洗存在清洗效率高、合格率稳定、出错率远低于手工清洗等优势，因而晶圆的清洗方法逐渐从手工清洗转变为自动清洗。
[0003]自动清洗方面主要有槽式清洗和单片清洗。槽式清洗是将晶圆放在晶舟内，每个槽分别放置不同的清洗药液，清洗时把晶舟按工艺顺序在槽内清洗，主要用于硅片的清洗；优点是可以批量生产，一个晶舟可以容纳25片；缺点是药液重复使用容易造成晶圆污染和药品的有效性降低,药液切换间隔比单片清洗要长。单片清洗与手工清洗的共同点是对晶圆一片片进行清洗，区别在于自动化程度高，药液切换可以做到无间隔冲洗；主要清洗方式是电机带动主轴旋转，晶圆放在上面与主轴旋转产生离心力，药液在晶圆中心正上方来回喷淋晶圆，由于离心力作用使药液均匀扩散到晶圆表面达到清洗效果。现有的自动化清洗优点是药液可以不断更新，没有冲洗间隔，自动化程序高，清洗效果稳定，效率较手工高；缺点是当扩散的药液经过的时间与其他地方不同或当晶圆表面存在较明显的平面凹凸（例如限定和带动晶圆的档柱等）时，会产生药印缺陷的痕迹。同时，晶圆经过表面抛光后其表面整体通常都是光滑的，但是有些为了某些需要会要求在晶圆主面上进行激光打字，当进行常规的单片清洗时，腐蚀性药液流过激光打字后会留下痕迹。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是克服以上
技术介绍
中提到的不足和缺陷，提供一种清洗效率高、清洗效果好，能够有效消除因激光打印等阻碍物引起的药印缺陷等问题的晶圆的清洗方法。
[0005]为实现以上目标，本专利技术采用如下的技术方案：一种晶圆的清洗方法，包括如下步骤：提供一边缘具有表面阻碍物的晶圆，并使晶圆沿轴心旋转，在晶圆上方设置主喷淋口，以对晶圆中间区域喷淋清洗药液进行清洗；在晶圆上方提供副喷淋口，对所述晶圆表面喷淋清洗药液进行清洗，所述副喷淋口到晶圆轴心线的距离不低于所述表面阻碍物到晶圆轴心线的距离，且所述副喷淋口的喷淋区域至少覆盖所述表面阻碍物旋转形成的圆环区域。
[0006]上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述副喷淋口的喷淋方向与所述晶圆的轴心线成一夹角，所述夹角的范围为0～20
°
，即副喷淋口的喷淋方向与晶圆表面呈90～110
°
夹角。
[0007]上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述副喷淋口喷淋清洗药液的喷淋速度为1～
3m/s。
[0008]上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述副喷淋口到晶圆表面的垂直距离为2～3cm。
[0009]上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述表面阻碍物为激光打字区域。
[0010]上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述主喷淋口的喷淋方向垂直于晶面。
[0011]上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述主喷淋口喷淋清洗药液的喷淋速度为0.5～1m/s。
[0012]上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述主喷淋口能沿晶圆的径向进行往复移动；所述往复移动以晶圆中心为中点，所述往复移动的最大距离为15～25mm。
[0013]上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述主喷淋口设于一可伸缩管上；所述主喷淋口包括一个或多个；每个主喷淋口用于喷淋不同的清洗药剂；所述副喷淋口与主喷淋口同时喷淋相同的清洗药剂。
[0014]上述的晶圆的清洗方法，优选地，所述晶圆的旋转速度根据晶圆尺寸确定。
[0015]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术的方法能够克服现有技术中因激光打字等阻碍物或晶圆表面不平时药物旋转而造成通过常规单片清洗过程中产生或带来的药印缺陷等问题，能够代替手工清洗，可有效改善清洗后晶片上出现的药印缺陷问题，得到没有药印缺陷的合格镜片，提高晶片的合格率；且由于增加了副喷淋口，在提高清洗效果的同时，还能缩短清洗过程的喷药时间，从而提高清洗效率。相比于手工清洗，不仅能提升清洗效率，还能保证清洗结果的稳定性；相比于现有的单一的喷淋方式，能增加单片清洗机可清洗的晶片种类，提高单片清洗机的使用范围，在有效解决因激光打字造成的药印问题的同时，不会对晶片清洗效果产生影响。
附图说明
[0016]构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。
[0017]图1为本专利技术的晶圆清洗示意图。
[0018]表中各标注表示：1、主喷淋口；2、伸缩管；3、晶圆；4、激光打字区域；5、晶圆表面液体流动方向；6、副喷淋口。
具体实施方式
[0019]下面结合附图对本专利技术进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本专利技术的保护范围有任何的限制作用。此外，本领域技术人员根据本文件的描述，可以对本文件中实施例中以及不同实施例中的特征进行相应组合。
[0020]现有的晶圆清洗方法通常是在晶圆中心处向晶圆表面喷淋清洗药液，利用晶圆旋转产生的离心力使清洗药液向边缘甩出，来对表面清洗均匀清洗。但是，当晶圆表面存在凹凸不平的情况，或者为了某些需要在晶圆主面上进行激光打字，当进行常规的单片清洗时，腐蚀性药液流过激光打字后会留下痕迹。
[0021]本专利技术针对现有技术存在的上述缺陷，提供了一种去除晶圆表面药印的方法，其
清洗示意图如图1所示，包括如下步骤：提供一表面边缘具有阻碍物的晶圆3，并使晶圆3沿轴心旋转，在晶圆3中间区域的上方提供主喷淋口1，对晶圆3中间区域喷淋清洗药液进行清洗；在晶圆3的上方提供副喷淋口6，对所述晶圆3的边缘处喷淋清洗药液进行清洗，所述副喷淋口6到晶圆3轴心线的距离不低于所述激光打字区域4到晶圆3的距离，且所述副喷淋口6的喷淋区域至少覆盖所述激光打字区域4旋转形成的圆环区域。
[0022]本专利技术中，当清洗药液从升缩管2的主喷淋口1喷出，清洗药液从正上方喷到晶圆3表面，通过晶圆3旋转产生离心力使清洗药液向边缘扩散甩出，达到表面均匀清洗的效果。但表面有激光打字区域4时，在晶圆3表面的药液沿流动方向经过激光打字区域4时形成切割状态，而激光打字区域4存在凹陷，当有腐蚀性药液经过该凹陷时，会产生明显痕迹（药印缺陷），且激光打字区域4越先切割出来的药液液面拖出的痕迹越明显，因而药印缺陷会由重到轻，产生原因是由于激光打字区域4的字体把表面药液的均匀状态打破，且药从中心向外的过程中药效也会减弱，导致腐蚀掉量不一致，从字体后面拉出一条痕迹。本专利技术通过在激光打字区域4（激光打字区域4指边缘向内3～5mm距离区域）附近做一个副喷淋口6作为补充新药点，由于副喷淋口6到晶圆3轴心线的距离不小于激光打字区域4到晶圆3轴心线的距离，且所述副喷淋口6的喷淋区域至少覆盖所述激光打字区域4旋转形成的圆环区域，因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一边缘具有表面阻碍物的晶圆，并使晶圆沿轴心旋转，在晶圆上方设置主喷淋口，以对晶圆中间区域喷淋清洗药液进行清洗；在晶圆上方提供副喷淋口，对所述晶圆表面喷淋清洗药液进行清洗，所述副喷淋口到晶圆轴心线的距离不低于所述表面阻碍物到晶圆轴心线的距离，且所述副喷淋口的喷淋区域至少覆盖所述表面阻碍物旋转形成的圆环区域。2.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述副喷淋口的喷淋方向与所述晶圆的轴心线成一夹角，所述夹角的范围为0～20
°
。3.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述副喷淋口喷淋清洗药液的喷淋速度为1～3m/s。4.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述副喷淋口到晶圆表面的垂直距离为2～3cm。5.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭炳熙，米艳娇，周铁军，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：