一种太阳能硅片清洗系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种太阳能硅片清洗系统，包括用于对硅片进行清洗的预清洗部、用于对硅片进行药液清洗的药液清洗部、用于对硅片进行氧化清洗的氧化清洗部和用于对硅片进行烘干的烘干部，还包括用于对硅片进行低温氧化清洗的低温氧化清洗部、用于对硅片进行氧化去除的氧化去除部和用于对硅片进行漂洗的第一漂洗部，预清洗部、低温氧化清洗部、氧化去除部、第一漂洗部、药液清洗部、氧化清洗部与烘干部依次设置，对硅片依次进行清洗。本实用新型专利技术的有益效果是在低温环境下对硅片进行清洗，降低金属离子在硅片中的扩散速度，减少硅片金属离子含量，提高硅片少数载流子寿命，提高硅片性能，提升太阳能电池转换效率。提升太阳能电池转换效率。提升太阳能电池转换效率。

A solar wafer cleaning system

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能硅片清洗系统


[0001]本技术属于硅片生产
，尤其是涉及一种太阳能硅片清洗系统。

技术介绍

[0002]在现有技术中，硅片的常规清洗工艺为：
[0003]1、预清洗：超声+去离子水，温度45
‑
60℃；
[0004]2、药液清洗：一定比例的清洗剂+去离子水，温度45
‑
60℃，该过程主要去除有机物等杂质；
[0005]3、漂洗：去离子水漂洗，温度45
‑
60℃；
[0006]4、氧化清洗：氢氧化钾(KOH)+双氧水(H2O2)+去离子水，温度55
‑
65℃，该过程主要去除表面金属离子；
[0007]5、漂洗：去离子水漂洗，温度45
‑
60℃；
[0008]6、烘干。
[0009]从上述工艺过程中可以看出，硅片需要经历一个大概45
‑
65℃的相对高温的过程。硅片在前期的切割过程中会在表面引入各种杂质，包括金属杂质，在较高的温度下，金属杂质在硅中的扩散很快，最快的扩散系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能硅片清洗系统，包括用于对硅片进行清洗的预清洗部、用于对硅片进行药液清洗的药液清洗部、用于对硅片进行氧化清洗的氧化清洗部和用于对硅片进行烘干的烘干部，其特征在于：还包括用于对硅片进行低温氧化清洗的低温氧化清洗部、用于对硅片进行氧化去除的氧化去除部和用于对硅片进行漂洗的第一漂洗部；所述预清洗部、低温氧化清洗部、氧化去除部、第一漂洗部、药液清洗部、氧化清洗部与烘干部沿着硅片清洗时的传送方向依次设置。2.根据权利要求1所述的太阳能硅片清洗系统，其特征在于：所述低温氧化清洗部包括低温氧化清...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建弘，危晨，刘涛，赵越，唐昊，
申请(专利权)人：天津市环智新能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：