一种单晶片的湿法清洗方法技术

本发明专利技术提供一种单晶片湿法清洗方法，包括，将待清洗晶片固定在旋转的夹盘上，所述待清洗晶片随夹盘同步旋转，向旋转的待清洗晶片表面喷射气体进行预处理，所述气体选自二氧化碳、氨气中的一种或多种；将所述预处理后的待清洗晶片进行清洗、漂洗以及干燥步骤。本发明专利技术中的清洗方法，能够改善清洗化学品对带有深孔结构的晶片的浸润性。结构的晶片的浸润性。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶片的湿法清洗方法


[0001]本专利技术涉及一种单晶片的湿法清洗方法。

技术介绍

[0002]湿法清洗是集成电路制造过程中的关键工艺之一，主要用于去除集成电路制造过程中粘污在晶片表面的各类污染物，包括颗粒污染物、有机污染物、金属污染物、原生氧化物等等。还有一类湿法清洗工艺用于选择性去除晶片表面的薄膜层，比如使用高温磷酸去除氮化硅薄膜、使用稀释氢氟酸去除氧化硅薄膜等等。这类湿法清洗工艺有时也被称为湿法刻蚀工艺。湿法清洗和湿法刻蚀都是通过液态化学品与晶片表面发生各种物理、化学反应去除污染物和薄膜层，化学物质反应后还需要使用去离子水来漂洗晶片，最后再干燥漂洗好的晶片。为便于描述，下文统称这两类工艺为湿法清洗工艺。
[0003]传统湿法清洗使用批处理槽式设备，这类设备通常配置一个或多个化学品槽，每种化学品槽后会紧邻一个或多个去离子水漂洗槽，另外还会配置一个或多个干燥槽。清洗时，依据预设的清洗菜单，一批或多批晶片依次浸入预设定的化学品槽、漂洗槽和干燥槽中，从而达到同时处理一批或多批晶片的目的。槽式清洗极易发生晶片间的交叉污染，清洗均匀性也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶片的湿法清洗方法，包括，(1)将待清洗晶片固定在旋转的夹盘上，所述待清洗晶片随夹盘同步旋转，向旋转的待清洗晶片表面喷射气体进行预处理，所述气体选自二氧化碳、氨气中的一种或多种；(2)将所述预处理后的待清洗晶片进行清洗、漂洗以及干燥步骤。2.如权利要求1所述的湿法清洗方法，其特征在于，所述向旋转的待清洗晶片表面喷射的气体为二氧化碳气体。3.如权利要求2所述的湿法清洗方法，其特征在于，所述二氧化碳气体为纯度超过99.9％的电子级二氧化碳气体。4.如权利要求1所述的湿法清洗方法，其特征在于，向旋转的待清洗晶片表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈东强，徐海玉，任晓刚，彭洪修，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：