【技术实现步骤摘要】
具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料及其制备方法和应用
[0001]本专利技术涉及有机发光材料
,具体而言,涉及一种具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]近些年OLED技术已经取得了巨大的研究进展,在发光效率方面,OLED远远高于PDP、CRT的水平,从长远来看OLED未来的发展必将沿着小尺寸
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中尺寸
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大尺寸
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超大尺寸、单色
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多色
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彩色、无源
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有源、硬屏
‑
软屏的脉络进行发展。目前,OLED研究的热点主要集中在:提高器件的效率及稳定性,新材料的开发,降低器件成本等。
[0003]OLED发光器件犹如三明治的结构,空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层等结构组成。空穴传输层(HTL)负责调节空穴的注入速度和注入量,空穴传输材料直接影响OLED的效率和寿命。现有空穴传输区域中常用的化合物包括酞菁铜(CuPc)、4,4
’‑
双[N
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(1
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萘基)
‑
N
‑
苯基氨基]联苯(NPB)、N,N
’‑
二苯基
‑
N,N
’‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
(1,1
’‑
联苯基)
‑
4,4
’‑
二胺(TPD)、4 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料,其特征在于,其化学结构式如通式Ⅰ或通式Ⅱ所示:其中,a选自0、1、2、3或4;b选自0、1或2;c选自0、1、2或3;R1、R2和R3位于所在苯环的任意可以被取代基取代的位置;R1、R2和R3各自独立地选自以下基团中的任意一种:氢、氘、经取代或未经取代的C1
‑
C30烷基、经取代或未经取代的C6
‑
C30芳基、经取代或未经取代的3元到30元杂芳基;Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地选自以下基团中的任意一种:经取代或未经取代的C6
‑
C30芳基、经取代或未经取代的3元到30元杂芳基、经取代或未经取代的C10
‑
C30稠环基、经取代或未经取代的C5
‑
C30螺环基、或Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立的与相邻取代基连接形成单环或多环;L1、L2、L3和L4各自独立地选自以下基团中的任意一种:连接键、经取代或未经取代的C6
‑
C30芳基、经取代或未经取代的3元到30元杂芳基、经取代或未经取代的C10
‑
C30稠环基、经取代或未经取代的C5
‑
C30螺环基、或L1、L2、L3和L4各自独立的与相邻取代基连接形成单环或多环。2.根据权利要求1所述的具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料,其特征在于,a、b和c各自独立地选自0、1或2;优选地,所述R1、R2、R3各自独立地选自:氘、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、烷氧基、芳氧基、苯基、甲基苯、叔丁基苯基、联苯基、萘基、菲基、二甲基芴基、二苯基芴基、三联苯基;优选地,Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、L1、L2、L3和L4各自独立地选自以下基团中的任意一种,并且所示基团的任意位置可以被取代基取代;
3.根据权利要求1所述的具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料,其特征在于,所述通式Ⅰ或通式Ⅱ中的菲的取代位置进行如下编号:取代位置为2、3、6、7、9和10位中的至少一处。4.根据权利要求1所述的具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料,其特征在于,所述具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料选自以下化学式1
‑
93中任一种:
5.一种如权利要求1所述的具有菲类双芳胺结构的空穴传输材料的制备方法,其特征在于,其包括:反应物A和反应物B反应生成中间体C;所述中间体C与反应物D反应生成中间体E;所述中间体E与反应物F反应生成通式Ⅰ或通式Ⅱ所示的化合物;其中,所述反应物A的结构式为:所述反应物B为用于合成通式Ⅰ的反应物B
‑Ⅰ
或用于合成通式Ⅱ的反应物B
‑Ⅱ
,其中,反应物B
‑Ⅰ
的结构式为:反应物B
‑Ⅱ
的结构式为:所述中间体C为用于合成通式Ⅰ的中间体C
‑Ⅰ
或用于合成通式Ⅱ的中间体C
‑Ⅱ
,其中,中间体C
‑Ⅰ
的结构式为:中间体C
‑Ⅱ
的结构式为:所述反应物D的结构式为:
所述中间体E为用于合成通式Ⅰ的中间体E
‑Ⅰ
或用于合成通式Ⅱ的中间体E
‑Ⅱ
,其中,中间体E
‑Ⅰ
的结构式为:中间体E
技术研发人员:马晓宇,汪康,张雪,陈振生,贾宇,韩文坤,徐佳楠,
申请(专利权)人:吉林奥来德光电材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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