含氮化合物、有机电致发光器件以及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及有机电致发光领域，提供一种含氮化合物、有机电致发光器件以及电子装置，该含氮化合物具有化学式1所示的结构，其中，Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地选自C6

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物、有机电致发光器件以及电子装置


[0001]本专利技术涉及有机电致发光领域，具体地涉及一种含氮化合物、有机电致发光器件以及电子装置。

技术介绍

[0002]机光电材料(Organic Optoelectronic Materials)是具有光子和电子的产生、转换和传输等特性的有机材料。目前，有机光电材料可控的光电性能已应用于有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)，有机太阳能电池(Organic Photovoltage，OPV)，有机场效应晶体管(Organic Field Effect Transistor，OFET)，生物/化学/光传感器、储存器、甚至是有机激光器。
[0003]有机发光二级管显示器(OLED)认为极有可能成为下一代显示器。因为其是主动发光，相对于液晶显示器具有能耗低，响应速度快，可视角广，器件结构可以做的更薄，低温特性出众，甚至可以做成柔性显示屏等优势。目前，OLED已经成功应用于但是，有机发光显示技术目前还有许多瓶颈需要解决，尤其是在光显示上，还要面对光显示的色度不纯，效率不高，材料寿命短的挑战。
[0004]OLED显示的基础结构单元为OLED器件，OLED器件根据发光机制的不同，可分为荧光器件和磷光器件两种。基于单线态发光的荧光OLED作为第一代发光材料其理论上的内量子效率只有25％，无法进一步提高其效率；磷光OLED被称为第二代，其内量子效率能达到100％。尽管磷光材料由于重原子中心强的自旋/>‑
轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％，但磷光材料存在价格昂贵，材料稳定性较差，使用寿命短，器件效率滚落严重，蓝光磷光薄弱等问题，这限制了其在OLED的应用。
[0005]2009年，日本九州大学的Adachi教授，设计并合成了一类咔唑苯腈类衍生物，继而发现了基于三线态
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单线态跃迁的热激活延迟荧光(TADF)新材料，其内量子效率接近100％，这类材料是继有机荧光材料和有机磷光材料之后发展的第三代有机发光材料。该类材料一般具有小的单线态
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三线态能级差(
△
E
ST
)，三线态激子可以通过反系间窜越转变成单线态激子发光。这可以充分利用电激发下形成的单线态激子和三线态激子，器件的内量子效率可以达到100％。同时，材料结构可控，性质稳定，价格便宜无需贵重金属，在OLED领域的应用前景广阔。但是材料结构与其光物理性质及器件效率的相关性的还不清楚，限制了高效延迟荧光材料的开发，导致现有TADF材料种类单一，器件效率较低，材料寿命短的问题，无法满足高效有机发光二极管的要求。

技术实现思路

[0006]针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的是提供一种含氮化合物、有机电致发光器件以及电子装置。所述含氮化合物能改善有机电致发光器件的性能。
[0007]第一方面，本专利技术提供一种含氮化合物，其具有化学式1所示的结构：
[0008][0009]其中，Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地选自C6
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C30的取代或者未取代的芳基、C3
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C30的取代或者未取代的杂芳基；
[0010]R0选自氢、C1
‑
C6的烷基、C6
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C30的取代或者未取代的芳基、C3
‑
C30的取代或者未取代的杂芳基。
[0011]第二方面，本专利技术提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极、位于阳极和阴极之间的功能层，其中，所述功能层包括本专利技术所述的含氮化合物。
[0012]第三方面，本专利技术提供一种电子装置，其包括本专利技术所述的有机电致发光器件。
[0013]本专利技术的含氮化合物以10,10,12,12
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四甲基
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10,12
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二氢茚[2,1
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b]芴为母核，该母核的11号位置上结合有芳胺类基团，使分子结构的位阻较大，提高了扭曲角度，该含氮化合物具有较高的稳定性，能改善有机电致发光器件的性能。所述含氮化合物作为空穴传输材料，可降低器件的驱动电压并提高器件寿命，同时也能满足较高的光电效率；作为发光层主体材料，可有效提高OLED的光电效率，并延长OLED器件的寿命，并使器件同时满足较低的驱动电压。
附图说明
[0014]图1是本专利技术一种实施方式中的有机电致发光器件的结构示意图；
[0015]图2是本专利技术一种实施方式中的电子装置的示意图。
[0016]附图标记说明
[0017]100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；10、手机显示面板；20、电子装置。
具体实施方式
[0018]本专利技术的一方面是提供一种含氮化合物，具有化学式1所示的结构：
[0019][0020]其中，Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地选自C6
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C30的取代或者未取代的芳基、C3
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C30的取代或者未取代的杂芳基；R0选自氢、C1
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C6的烷基、C6
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C30的取代或者未取代的芳基、C3
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C30的取代或者未取代的杂芳基。
[0021]本专利技术中，当Ar1和Ar2为芳基或者杂环芳基，R0为诸如叔丁基的烷基、氢、芳基或二苯并呋喃、二苯并噻吩等富电子杂芳基时，分子结构具有较低的电离能，连接在母核特定位
置上的三级胺基团(叔胺基团)上的N原子具有很强的给电子能力，容易氧化成阳离子自由基(空穴)而显示出电正性，表现出空穴迁移的特性，这类分子具有高的空穴迁移率。另外，所述含氮化合物是以10,10,12,12
‑
四甲基
‑
10,12
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二氢茚[2,1
‑
b]芴为核心，可作为热激活延迟荧光化合物材料；当R0为诸如三嗪等缺电子含氮杂芳基时，母核与分别连接在其上特定位置的芳胺基团与R0构成的“D
‑
π
‑
A型”有机小分子化合物，特别适合作为主体材料使用。
[0022]在本专利技术中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为Rc)。例如，“取代或未取代的芳基”是指具有取代基Rc的芳基或者未取代的芳基。其中上述的取代基即Rc例如可以为上述氘、卤素基团、氰基、烷基、烷氧基、烷硫基、卤代烷基、氘代烷基、环烷基、三烷基硅基、三苯基硅基、二芳基氧膦基、芳氧基等基团。在本申请中，“取代的”官能团可以被上述1个或2个以上取代基Rc取代。
[0023]在本专利技术中，取本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含氮化合物，所述含氮化合物具有化学式1所示的结构：其中，Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地选自C6
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C30的取代或者未取代的芳基、C3
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C30的取代或者未取代的杂芳基；R0选自氢、C1
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C6的烷基、C6
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C30的取代或者未取代的芳基、C3
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C30的取代或者未取代的杂芳基。2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，Ar1和Ar2相同或不同，各自独立地选自C6
‑
C30的取代或者未取代的芳基、C3
‑
C30的取代或者未取代的杂芳基；R0选自C1
‑
C6的烷基、C6
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C30的取代或者未取代的芳基、C3
‑
C30的取代或者未取代的杂芳基。3.根据权利要求1或2所述的含氮化合物，其特征在于，Ar1、Ar2和R0中的取代基各自独立地选自氘、C1
‑
C6的烷基、C3
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C10的环烷基、C1
‑
C6的烷氧基、C1
‑
C6的烷硫基、氰基或卤素基团。4.根据权利要求1或2所述的含氮化合物，其特征在于，Ar1、Ar2和R0各自独立地选自成环碳原子数为6至25的芳基或成环碳原子数为3至25的杂芳基。5.根据权利要求1或2所述的含氮化合物，其特征在于，Ar1、Ar2各自独立地选自C6
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C20的取代或者未取代的芳基、C6
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C20的取代或者未取代的杂芳基；R0为氢、C1
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C4的烷基、C6
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C18的取代或未取代的芳基、C6
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C22的取代或未取代的杂芳基。6.根据权利要求1或2所述的含氮化合物，其特征在于，Ar1、Ar2和R0各自独立地选自以下基团中的任意一种：X1、X3、X4各自独立地选自O、S、C(R4R5)、N(R8)、Si(R6R7)；X2为N原子；R1至R3各自独立地选自苯基、联苯基、氢、卤素基团、氰基、C1
‑
C6的烷基、C3
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C10的环烷基、C1
‑
C6的烷氧基、C1
‑
C6的烷硫基；n1选自1、2、3、4或5，n2选自1、2或3，n3选自1、2、3或4；U1至U6各自独立地选自氢、卤素基团、氰基、C1
‑
C6的烷基、C3
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C10的环烷基或C1
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C6的烷氧基；m1和m6各自独立地选自1、2或3；m2至m5各自独立地选自1、2、3或4；R4至R8各自独立地选自氢、氘、卤素基团、氰基、C1
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C6的烷基、C6
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C18的芳基、C3
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C18的
杂芳基、C3

【专利技术属性】
技术研发人员：王金平，薛震，闫山，陈志伟，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：