一种半导体结构的形成方法技术

本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种半导体结构的形成方法。所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成堆叠式电容结构，所述堆叠式电容结构包括至少三层电极层以及位于相邻电极层之间的绝缘层，所述电极层以及绝缘层延伸至半导体衬底表面；在所述堆叠式电容结构表面形成包括第一开口的光刻胶层，所述第一开口暴露位于最顶层的电极层；沿所述第一开口执行刻蚀工艺，至暴露下一个电极层；对所述光刻胶层进行部分灰化，以扩大所述第一开口至设定值；沿所述第一开口继续执行刻蚀工艺，至暴露再下一个电极层；重复所述部分灰化工艺及刻蚀工艺至暴露全部电极层；去除所述光刻胶层。去除所述光刻胶层。去除所述光刻胶层。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体地涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]电容器是在超大规模集成电路中常用的无源元件，主要包括多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP，Polysilicon-Insulator-Polysilicon)、金属-绝缘体-硅(MIS，Metal-Insulator-Silicon)和金属-绝缘体-金属(MIM，Metal-Insulator-Metal)等。其中，由于MIM电容器对晶体管造成的干扰最小，且可以提供较好的线性度(Linearity)和对称度(Symmetry)，因此得到了更加广泛的应用。
[0003]具有沟槽结构的MIM电容器具有更高的容量，低漏电，高可靠性。为了进一步增加容量，通常还会堆叠多层MIM结构。所述MIM电容器一般包括多层MIM结构以及电连通每层金属层的接触结构。为了形成所述接触结构，需要先在所述MIM结构中形成多个贯通对应金属层的开口，目前，通常每个开口都需要单独光刻一次，成本十分高。
[0004]因此，有必要开发一种新的形成所述开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成堆叠式电容结构，所述堆叠式电容结构包括至少三层电极层以及位于相邻电极层之间的绝缘层，所述电极层以及绝缘层延伸至半导体衬底表面；在所述堆叠式电容结构表面形成包括第一开口的光刻胶层，所述第一开口暴露位于最顶层的电极层；沿所述第一开口执行刻蚀工艺，至暴露下一个电极层；对所述光刻胶层进行部分灰化，以扩大所述第一开口至设定值；沿所述第一开口继续执行刻蚀工艺，至暴露再下一个电极层；重复所述部分灰化工艺及刻蚀工艺至暴露全部电极层；去除所述光刻胶层。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述光刻胶层的起始厚度为0.1微米-5微米。3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行部分灰化的工艺包括：将所述半导体衬底设置于真空灰化室；向所述真空灰化室导入灰化气体。4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述灰化工艺的时间为5秒-150秒，灰化温度为200摄氏度-375摄氏度。5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述灰化工艺的灰化气体包括氨气，氧气，氮气或氢气中的一种或多种。6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡巧明，王哲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：