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本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种半导体结构的形成方法。所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成堆叠式电容结构，所述堆叠式电容结构包括至少三层电极层以及位于相邻电极层之间的绝缘层，所述电极层以及绝缘层延伸至半导体衬底表...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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