【技术实现步骤摘要】
一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置及方法
本申请涉及一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置及方法，属于碳化硅制备领域。
技术介绍
碳化硅是继硅、砷化镓之后的第三代宽禁带半导体材料之一，因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质，而被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。高质量晶体是半导体和信息产业发展的基石，它的制备水平影响了下游器件的性能。尽管近几年物理气相传输法(PVT)生长碳化硅晶体取得了长足的进步，但其生长晶体的稳定性仍需要进一步研究，尤其是晶体厚度的均匀性问题一直没有解决。而晶体厚度的不均匀会导致较厚处的晶体浪费。晶体边缘厚度是否均匀往往和原料装配的均匀程度相关，比如在装配原料时，坩埚内不同位置的原料紧密程度是否均匀一致。在采用PVT法制备碳化硅晶体时，与原料较紧密的位置相比，原料较疏松的位置更容易塌陷，从而导致晶体生长过程中的不稳定性，造成生长的晶体厚度不均匀，且塌陷不均匀会导致气氛升华不均匀而使制备的晶体存在多型、微管等缺陷，影响晶体的质量。此外，即使原料表面都塌...
【技术保护点】
1.一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，包括：/n机架，所述机架的底壁上设置有支撑杆，所述支撑杆上方设置有支撑台，所述支撑台与所述支撑杆通过第一连接件转动连接或所述支撑台与所述机架的底壁通过第二连接件转动连接，所述支撑台用于放置坩埚，所述坩埚、所述支撑台及所述支撑杆共中心轴线设置；/n测试组件，所述测试组件包括至少三个测试计，每个所述测试计位于同一水平高度上，并沿所述坩埚周向分布，所述测试计的一端连接在所述机架的内侧壁上，另一端能够接触到所述坩埚的外侧壁；或/n测试组件，所述测试组件包括至少三个沿所述支撑杆周向分布的测试计，所述测试计的一端连接在所述机架的底...
【技术特征摘要】
1.一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，包括：
机架，所述机架的底壁上设置有支撑杆，所述支撑杆上方设置有支撑台，所述支撑台与所述支撑杆通过第一连接件转动连接或所述支撑台与所述机架的底壁通过第二连接件转动连接，所述支撑台用于放置坩埚，所述坩埚、所述支撑台及所述支撑杆共中心轴线设置；
测试组件，所述测试组件包括至少三个测试计，每个所述测试计位于同一水平高度上，并沿所述坩埚周向分布，所述测试计的一端连接在所述机架的内侧壁上，另一端能够接触到所述坩埚的外侧壁；或
测试组件，所述测试组件包括至少三个沿所述支撑杆周向分布的测试计，所述测试计的一端连接在所述机架的底壁上，另一端能够接触到所述支撑台的下表面。
2.根据权利要求1所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，所述支撑杆的上端开设有球形凹槽，所述支撑台的下侧连接有球形凸部，所述球形凸部安装在所述球形凹槽内，并与所述球形凹槽发生相对转动。
3.根据权利要求1所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，所述支撑台的中心设置有水平确认器。
4.根据权利要求1至3任一项所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，测试组件包括四个压力测试计，四个所述压力测试计沿所述坩埚周向均匀分布，每个所述压力测试计的一端连接在所述机架的内侧壁上，另一端能够接触到靠近所述坩埚的外侧壁。
5.根据权利要求4所述的用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其特征在于，所述机架的底壁设置有第一驱动机构，所述第一驱动机构与所述支撑杆相连，所述第一驱动机构用于驱动所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：方帅，赵建国，赵树春，李博，
申请(专利权)人：上海天岳半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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