降本增效的硅片边缘抛光工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种降本增效的硅片边缘抛光工艺，所属硅片制造技术领域，包括将硅片通过机械手取片，先对背面进行端面位抛光，完成抛光后进行喷淋清洗。接着对将硅片进行翻面，对正面进行端面位抛光，并进行喷淋清洗。外周边抛光过程从背面侧边的A2段开始进刀，经过BC段，再加工正面侧边的A1段，接着从A1段的尾端折回继续抛光从BC段的上端退刀，完成硅片外周边抛光过程后进行喷淋清洗。硅片两端通过单方向循环运行的精抛带，此时转轴带动磁盘固定的硅片进行旋转。将完成抛光工艺的硅片通过机械手取片放置到溢流槽进行保管。具有效率高、加工周期短和质量稳定性好的特点。解决了确保边抛质量同时缩短边抛时间的问题。实现产能提升并降低成本的作用。并降低成本的作用。并降低成本的作用。

【技术实现步骤摘要】
降本增效的硅片边缘抛光工艺


[0001]本专利技术涉及硅片制造
，具体涉及一种降本增效的硅片边缘抛光工艺。

技术介绍

[0002]对于8英寸及12英寸硅抛光片而言，边缘抛光是一道必须的工序，其目的是：（1）去除硅片边缘可能存在的损伤层，（2）获得光滑的倒角面以降低硅片边缘吸附颗粒的风险。
[0003]目前，8英寸及12英寸硅片加工行业普遍采用BBS KINMEI公司的边缘抛光机对硅片进行边抛加工。BBS边抛机的原理是通过离心力的作用，使贴有边抛布的部件紧贴于硅片倒角面，在边抛鼓的高速旋转，以及与硅片相对位置的变化中达到对硅片倒角面的抛光。
[0004]如BBS KINMEI公司公布的专利，申请号：JP2008155539。以8英寸硅片为例，BBS KINMEI E
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200型边抛机的出厂工艺参数值如下：研削台的行程为15mm，研削台的上下行进速率为0.33mm/min, 边抛工艺时间为45秒。如果按照出厂默认工艺进行加工，E
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200出片速率为75秒/枚，日产能约为900枚左右。如以月产能10万枚计，则需配备4台边抛机。若日产能提升至1111枚，则设备投入成本降低25%。在既有的设备数量下提升产能，通常的做法是缩短边抛工艺时间，但这可能会影响到边抛质量，甚至会有外延滑移线的风险。

技术实现思路

[0005]本专利技术主要解决现有技术中存在效率低、加工周期长和质量稳定性差的不足，提供了一种降本增效的硅片边缘抛光工艺，其具有效率高、加工周期短和质量稳定性好的特点。解决了确保边抛质量同时缩短边抛时间的问题。实现产能提升并降低成本的作用。
[0006]本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种降本增效的硅片边缘抛光工艺，包括如下操作步骤：第一步：将硅片通过机械手取片，送入至端面磨进行定位，先对背面进行端面位抛光，背面完成抛光后进行喷淋清洗。
[0007]第二步：对将硅片进行翻面，对正面进行端面位抛光，正面完成抛光后进行喷淋清洗。
[0008]第三步：完成硅片两端面的抛光后，进行外周边抛光过程，此时背面在上，正面在下，从背面侧边的A2段开始进刀，经过BC段，再加工正面侧边的A1段，接着从A1段的尾端折回继续抛光从BC段的上端退刀，完成硅片外周边抛光过程后进行喷淋清洗。
[0009]第四步：硅片两端通过单方向循环运行的精抛带，此时转轴带动磁盘固定的硅片进行旋转，同时在精抛过程中对硅片进行喷淋。
[0010]第五步：将完成抛光工艺的硅片通过机械手取片放置到溢流槽进行保管。
[0011]作为优选，A2段的加工时间为8秒，BC段和A1段的加工时间均为16秒，硅片在研削台行进速率设定为0.63mm/s，研削台行进幅度为15mm。
[0012]作为优选，精抛带通过精抛环形槽与硅片的外周边贴合式插接，采用精抛环形槽和同步喷淋实现精抛带对硅片的水带磨过程。
[0013]作为优选，抛光过程的抛光液采用原液和去离子水进行混合配比而成，配比为1:8～1:30。
[0014]作为优选，原液为不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，原液可选用氧化硅抛光液或氧化铈抛光液。
[0015]本专利技术能够达到如下效果：本专利技术提供了一种降本增效的硅片边缘抛光工艺，与现有技术相比较，具有效率高、加工周期短和质量稳定性好的特点。解决了确保边抛质量同时缩短边抛时间的问题。实现产能提升并降低成本的作用。
附图说明
[0016]图1是本专利技术的结构示意图。
[0017]图2是本专利技术的精抛的结构示意图。
[0018]图3是本专利技术的精抛带的结构剖视图。
[0019]图中：硅片1，背面2，正面3，精抛带4，磁盘5，转轴6，精抛环形槽7。
具体实施方式
[0020]下面通过实施例，并结合附图，对专利技术的技术方案作进一步具体的说明。
[0021]实施例：如图1、图2和图3所示，一种降本增效的硅片边缘抛光工艺，包括如下操作步骤：第一步：将硅片1通过机械手取片，送入至端面磨进行定位，先对背面2进行端面位抛光，背面2完成抛光后进行喷淋清洗。
[0022]第二步：对将硅片1进行翻面，对正面3进行端面位抛光，正面3完成抛光后进行喷淋清洗。
[0023]第三步：完成硅片1两端面的抛光后，进行外周边抛光过程，此时背面2在上，正面3在下，从背面2侧边的A2段开始进刀，经过BC段，再加工正面3侧边的A1段，接着从A1段的尾端折回继续抛光从BC段的上端退刀，完成硅片1外周边抛光过程后进行喷淋清洗。
[0024]A2段的加工时间为8秒，BC段和A1段的加工时间均为16秒，硅片1在研削台行进速率设定为0.63mm/s，研削台行进幅度为15mm。
[0025]第四步：硅片1两端通过单方向循环运行的精抛带4，此时转轴6带动磁盘5固定的硅片1进行旋转，同时在精抛过程中对硅片1进行喷淋。精抛带4通过精抛环形槽7与硅片1的外周边贴合式插接，采用精抛环形槽7和同步喷淋实现精抛带4对硅片1的水带磨过程。
[0026]第五步：将完成抛光工艺的硅片1通过机械手取片放置到溢流槽进行保管。
[0027]抛光过程的抛光液采用原液和去离子水进行混合配比而成，配比为1:15。原液为不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，原液可选用氧化硅抛光液或氧化铈抛光液。
[0028]综上所述，该降本增效的硅片边缘抛光工艺，具有效率高、加工周期短和质量稳定性好的特点。解决了确保边抛质量同时缩短边抛时间的问题。实现产能提升并降低成本的作用。
[0029]以上所述仅为本专利技术的具体实施例，但本专利技术的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本专利技术的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本专利技术的专利范围之中。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降本增效的硅片边缘抛光工艺，其特征在于：包括如下操作步骤：第一步：将硅片（1）通过机械手取片，送入至端面磨进行定位，先对背面（2）进行端面位抛光，背面（2）完成抛光后进行喷淋清洗；第二步：对将硅片（1）进行翻面，对正面（3）进行端面位抛光，正面（3）完成抛光后进行喷淋清洗；第三步：完成硅片（1）两端面的抛光后，进行外周边抛光过程，此时背面（2）在上，正面（3）在下，从背面（2）侧边的A2段开始进刀，经过BC段，再加工正面（3）侧边的A1段，接着从A1段的尾端折回继续抛光从BC段的上端退刀，完成硅片（1）外周边抛光过程后进行喷淋清洗；第四步：硅片（1）两端通过单方向循环运行的精抛带（4），此时转轴（6）带动磁盘（5）固定的硅片（1）进行旋转，同时在精抛过程中对硅片（1）进行喷淋；第五步：将完成抛光工艺的硅片（1）通过机...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鸣，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：