半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底内形成有顶层金属层，所述基底暴露所述顶层金属层的顶表面；自下向上依次形成覆盖所述基底的刻蚀停止层及钝化层；在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有一暴露出所述钝化层的开口，所述开口与所述顶层金属层对准；沿着所述开口，在所述图形化的光刻胶层的侧壁和暴露出的所述钝化层上形成保护层；以及，以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上。本发明专利技术以改善钝化层刻蚀后刻蚀停止层表面的平坦度。善钝化层刻蚀后刻蚀停止层表面的平坦度。善钝化层刻蚀后刻蚀停止层表面的平坦度。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的发展，芯片中的电路密度越来越大，所含元件数量不断增加。在芯片中包含多层互连结构，通过刻蚀层间介质层形成沟槽或通孔，并在沟槽和通孔中填充导电材料来实现芯片内的多层电互连。形成互连结构后，为实现芯片与外部电路之间的电连，还需要在晶片表面形成焊盘，焊盘与互连结构电连接。目前半导体器件或集成电路的制作焊盘的一种常用的方法是，在芯片最上面的顶层金属上生长钝化层之后，采用刻蚀工艺，将钝化层进行部分刻蚀以暴露出顶层金属的一部分，以形成焊盘，用于键合引线，以便与其它器件或集成电路相连。
[0003]在搭载硅基微显示智能芯片制造时，采用现有的刻蚀工艺能够对一定厚度的钝化层进行刻蚀，以显露出至少部分的顶层金属的表面，此时的刻蚀工艺针对现有具有一定厚度的钝化层而设定。为了提高搭载硅基微显示智能芯片的视觉传输性能，对钝化层进行改进，增加了一层较厚的氧化层，钝化层总体的厚度增加，且增加了刻蚀停止层，在刻蚀过程中需要使刻蚀进程准确停止在刻蚀停止层上，并且保留至少部分厚度的刻蚀停止层，再利用顶层金属的电场效应与其它器件单元连接，比如与液晶显示单元连接。但是采用现有的刻蚀工艺对改进后的钝化层进行刻蚀，会由于新工艺膜层较厚且刻蚀停止层需保留至少部分厚度，难以保证在刻蚀后显露的表面的均一性，会形成两侧薄中间厚的“倒碗状”鼓包结构，影响信息传输准确性、画面流畅性和传输过程中的画质清晰度。

技术实现思路
r/>[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制备方法，在对钝化层前进行刻蚀前，形成保护层，通过保护层来改善对钝化层刻蚀后，刻蚀停止层的表面的平坦度。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
[0006]提供基底，在所述基底内形成有顶层金属层，所述基底暴露所述顶层金属层的顶表面；
[0007]自下向上依次形成覆盖所述基底的刻蚀停止层及钝化层；
[0008]在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有一暴露出所述钝化层的开口，所述开口与所述顶层金属层对准；
[0009]沿着所述开口，在所述图形化的光刻胶层的侧壁和暴露出的所述钝化层上形成保护层；以及，
[0010]以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上。
[0011]可选的，采用多步刻蚀法对所述钝化层进行刻蚀。
[0012]可选的，对所述钝化层进行多步刻蚀所采用的工艺气体包括SF6和O2。
[0013]可选的，采用多步刻蚀法对所述钝化层进行刻蚀时，控制所述SF6的流量不变，所述O2的流量逐渐增大，直至所述钝化层刻蚀完全。
[0014]可选的，所述SF6和所述O2的流量比值范围为0.2～3。
[0015]可选的，采用所述多步刻蚀法对所述钝化层进行刻蚀的方法包括：
[0016]采用包括CHF3和O2的工艺气体对所述钝化层进行刻蚀，直至剩余的所述钝化层呈碗状；以及，
[0017]采用包括CF4的工艺气体对剩余的所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上。
[0018]可选的，采用包括CHF3和O2的工艺气体对所述钝化层进行刻蚀时，控制所述CHF3的流量逐渐增大，所述O2的流量不变，直至剩余的所述钝化层呈碗状。
[0019]可选的，所述CHF3和所述O2的流量比值范围为0.01～0.025。
[0020]可选的，所述保护层的材质为CF类聚合物。
[0021]可选的，所述保护层的厚度为
[0022]在本专利技术提供的一种半导体器件的制备方法中，在所述基底内形成有顶层金属层，所述基底暴露所述顶层金属层的顶表面，自下向上依次形成覆盖所述基底的刻蚀停止层及钝化层；在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有一暴露出所述钝化层的开口，所述开口与所述顶层金属层对准；在刻蚀所述钝化层前，沿着所述开口，在所述图形化的光刻胶层的侧壁和暴露出的所述钝化层上形成保护层，所述保护层起到钝化作用，减轻后续刻蚀所述钝化层时，对所述钝化层的刻蚀区域的边缘处刻蚀较快的现象；然后以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上，能够较好控制所述钝化层的刻蚀形貌，以改善所述钝化层刻蚀后刻蚀停止层表面的平坦度。
附图说明
[0023]图1为本专利技术实施例一提供的半导体器件的制备方法的流程图；
[0024]图2A～2C为本专利技术实施例一提供的半导体器件的制备方法相应步骤的剖面示意图；
[0025]图2D为本专利技术实施例二提供的半导体器件的制备方法相应步骤的剖面示意图；
[0026]其中，附图标记为:
[0027]10
‑
基底；20
‑
顶层金属层；30
‑
刻蚀停止层；40
‑
钝化层；41
‑
第一氧化层；42
‑
第二氧化层；43
‑
氮化层；50
‑
图形化的光刻胶层；51
‑
开口；60
‑
保护层。
具体实施方式
[0028]下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0029]【实施例一】
[0030]图1为本实施例提供的半导体器件的制备方法的流程图。本实施例提供了一种半导体器件的制备方法，在对钝化层前进行刻蚀前，形成保护层，通过保护层来改善对钝化层
刻蚀后，刻蚀停止层的表面的平坦度。
[0031]请参考图1，本实施例提供的半导体器件的制备方法包括：
[0032]步骤S1：提供基底，在所述基底内形成有顶层金属层，所述基底暴露所述顶层金属层的顶表面；
[0033]步骤S2，自下向上依次形成覆盖所述基底的刻蚀停止层及钝化层；
[0034]步骤S3：在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有一暴露出所述钝化层的开口，所述开口与所述顶层金属层对准；
[0035]步骤S4：沿着所述开口，在所述图形化的光刻胶层的侧壁和暴露出的所述钝化层上形成保护层；
[0036]步骤S5：以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上。
[0037]图2A～2C为本实施例提供的半导体器件的制备方法相应步骤的剖面示意图，下面结合附图2A～2C对本实施例提供的半导体器件的制备方法进行详细的阐述。
[0038]请参考图2A，执行步骤S1：提供基底10，在所述基底10内形成有顶层金属层20，所述基底10暴露所述顶层金属层20的顶表面。
[0039]具体的，提供基底10，所述基底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底内形成有顶层金属层，所述基底暴露所述顶层金属层的顶表面；自下向上依次形成覆盖所述基底的刻蚀停止层及钝化层；在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有一暴露出所述钝化层的开口，所述开口与所述顶层金属层对准；沿着所述开口，在所述图形化的光刻胶层的侧壁和暴露出的所述钝化层上形成保护层；以及，以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上。2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用多步刻蚀法对所述钝化层进行刻蚀。3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述钝化层进行多步刻蚀所采用的工艺气体包括SF6和O2。4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用多步刻蚀法对所述钝化层进行刻蚀时，控制所述SF6的流量不变，所述O2的流量逐渐增大，直至所述钝化层刻蚀完全。5.如权利要求3或4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜松，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：