显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括：基板、薄膜晶体管层、垫高层、层间绝缘层、隔断层、OLED器件以及阴极。本发明专利技术通过在非显示区设置垫高层，并开设第一凹槽，进而制备得到隔断层，隔断层远离所述垫高层的一侧具有第一倒锐角区域，进而隔断层可以隔断OLED器件，避免OLED器件接触辅助阴极，使OLED器件区域化。并且所述垫高层与隔断层皆与现有的膜层一同制备，避免不必要的制备工序。避免不必要的制备工序。避免不必要的制备工序。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种显示
，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]对于有机电激光显示(OrganicLight
‑
Emitting Diode，OLED)器件，为了提高OLED出光效率而使用微腔结构，但其中大部分OLED器件使用半透明的阴极结构。然而半透明阴极具有很大的电阻，会造成严重的压降(IR Drop)，产生IR Drop现象影响整个屏幕显示的均一性，特别是对于大尺寸OLED产生较大的影响。
[0003]为了改善OLED显示的IR Drop，通常做法是制造辅助阴极，使半透明阴极和辅助阴极接触来减少阴极面电阻。对于蒸镀工艺而言，通过制备特殊的辅助阴极结构利用蒸镀角偏差来达到蒸镀OLED材料无法覆盖在辅助阴极接触区。但对于打印工艺而言，则难以实现OLED材料区域化。。
[0004]因此，迫切需要开发一种新型的显示面板，以保留现有显示面板的积极效果，而消除现有显示面板的消极效果。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种显示面板及其制备方法，通过在非显示区制备得到隔断层，隔断层远离所述垫高层的一侧具有第一倒锐角区域，进而隔断层可以隔断OLED器件，避免OLED器件接触辅助阴极。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术提供一种显示面板，定义有显示区以及非显示区，其特征在于，所述显示面板包括：基板；薄膜晶体管层，设于所述基板上且对应所述显示区；垫高层，设于所述基板上且对应所述非显示区；层间绝缘层，设于所述垫高层上，具有一第一凹槽；隔断层，设于所述层间绝缘层上且填充所述第一凹槽，所述隔断层远离所述垫高层的一侧具有第一倒锐角区域；OLED器件，设于所述薄膜晶体管层上以及所述隔断层上，且所述OLED器件被所述隔断层隔断，部分所述OLED器件设于所述显示区与所述非显示区之间；以及阴极，设于所述OLED器件上，并且连接所述非显示区的辅助阴极。
[0007]进一步地，所述垫高层包括：第一垫高块；第二垫高块，设于所述第一垫高块上；第三垫高块，设于所述第二垫高块上。
[0008]进一步地，所述隔断层具有对应所述第一凹槽的第二凹槽；所述显示面板还包括：保护层，设于所述垫高层上且填充所述第二凹槽，所述保护层具有对应所述第二凹槽的第三凹槽；以及第一平坦层，设于所述保护层与所述OLED器件之间且填充所述第三凹槽。
[0009]进一步地，所述保护层远离所述隔断层的一侧具有第二倒锐角区域。
[0010]进一步地，所述隔断层与第三垫高块为所述辅助阴极；所述隔断层与第三垫高块为金属导电材料。
[0011]进一步地，所述薄膜晶体管层包括：遮光层，设于所述基板上；缓冲层，设于所述遮光层以及所述基板上；半导体层，设于所述缓冲层上；栅极绝缘层，设于所述半导体层上；栅
极层，设于所述栅极绝缘层上；所述层间绝缘层延伸至所述显示区且设于所述缓冲层上，所述显示区的层间绝缘层覆盖所述半导体层以及所述栅极层；源漏电极层，设于所述层间绝缘层上；钝化层，设于所述层间绝缘层上且覆盖所述源漏电极层；平坦化层，设于所述钝化层上。
[0012]进一步地，所述第一垫高块与所述遮光层同层设置，所述第一垫高块与所述遮光层的材料相同；和/或，所述第二垫高块与所述栅极绝缘层同层设置，所述第二垫高块与所述栅极绝缘层的材料相同；和/或，所述第三垫高块与所述栅极层同层设置，所述第三垫高块与所述栅极层的材料相同；和/或，所述隔断层与所述源漏电极层同层设置，所述隔断层与所述源漏电极层的材料相同。
[0013]进一步地，所述第一平坦层与所述平坦化层同层设置，所述第一平坦层与所述平坦化层材料相同；和/或，所述钝化层与所述保护层同层设置，所述钝化层与所述保护层材料相同。
[0014]进一步地，所述缓冲层向所述非显示区延伸并覆盖所述第一垫高块，所述非显示区的缓冲层设于所述第一垫高块与所述第二垫高块之间。
[0015]本专利技术提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：提供一基板，其定义有显示区与非显示区；通过同一光罩在所述基板上形成遮光层与第一垫高块；形成一缓冲层于所述基板、所述遮光层与所述第一垫高块上；形成一半导体层于所述显示区的缓冲层上；先沉积一绝缘材料于所述缓冲层以及所述半导体层上，再沉积一第一金属材料于所述绝缘材料上，并通过同一光罩形成栅极与第三垫高块；最后以所述栅极与所述第三垫高块为图案，刻蚀所述绝缘材料形成所述栅极绝缘层与所述第二垫高块；形成层间绝缘层于所述缓冲层、所述栅极与所述第三垫高块上，在所述层间绝缘层上开设对应所述第三垫高块的第一凹槽，所述第一凹槽下凹至所述第三垫高块的上表面；沉积一第二金属材料于层间绝缘层上，并通过同一光罩形成源漏电极层与隔断层，所述隔断层填充所述第一凹槽，所述隔断层远离所述第三垫高块的一侧具有第一倒锐角区域。
[0016]本专利技术的有益效果：本专利技术提供一种显示面板及其制备方法，通过在非显示区设置垫高层，并开设第一凹槽，进而制备得到隔断层，隔断层远离所述垫高层的一侧具有第一倒锐角区域，进而隔断层可以隔断OLED器件，避免OLED器件接触辅助阴极，使OLED器件区域化。并且所述垫高层与隔断层皆与现有的膜层一同制备，避免不必要的制备工序。
附图说明
[0017]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0018]图1为本专利技术一实施例提供的显示面板的结构示意图；
[0019]图2为本专利技术另一实施例提供的显示面板制备方法的步骤S1～S2的结构示意图；
[0020]图3为本专利技术另一实施例提供的显示面板制备方法的步骤S3～S5的结构示意图；
[0021]图4为本专利技术另一实施例提供的显示面板制备方法的步骤S6的结构示意图；
[0022]图5为本专利技术另一实施例提供的显示面板制备方法的步骤S7的结构示意图；
[0023]图6为本专利技术另一实施例提供的显示面板制备方法的步骤S8的结构示意图；
[0024]图7为本专利技术另一实施例提供的显示面板制备方法的步骤S9的结构示意图；
[0025]图8为本专利技术另一实施例提供的显示面板制备方法的步骤S10以及S11的结构示意图；
[0026]图9为本专利技术另一实施例提供的显示面板制备方法的步骤S12的结构示意图；
[0027]图10为本专利技术另一实施例提供的显示面板制备方法的步骤S13的结构示意图。
[0028]基板101；阴极115；垫高层12；
[0029]层间绝缘层105；隔断层124；OLED器件114；
[0030]遮光层102；缓冲层103；半导体层104；
[0031]栅极绝缘层106；栅极层107；显示面板100；
[0032]源漏电极层109；钝化层108；平坦化层111；
[0033]第一垫高块121；第二垫高块122；第三垫高块123；
[0034]第一凹槽1051；第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，定义有显示区以及非显示区，其特征在于，所述显示面板包括：基板；薄膜晶体管层，设于所述基板上且对应所述显示区；垫高层，设于所述基板上且对应所述非显示区；层间绝缘层，设于所述垫高层上，具有一第一凹槽；隔断层，设于所述层间绝缘层上且填充所述第一凹槽，所述隔断层远离所述垫高层的一侧具有第一倒锐角区域；OLED器件，设于所述薄膜晶体管层上以及所述隔断层上，且所述OLED器件被所述隔断层隔断，部分所述OLED器件设于所述显示区与所述非显示区之间；以及阴极，设于所述OLED器件上，并且连接所述非显示区的辅助阴极。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述垫高层包括：第一垫高块，设于所述基板上；第二垫高块，设于所述第一垫高块上；以及第三垫高块，设于所述第二垫高块上。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述隔断层具有对应所述第一凹槽的第二凹槽；所述显示面板还包括：保护层，设于所述垫高层上且填充所述第二凹槽，所述保护层具有对应所述第二凹槽的第三凹槽；以及第一平坦层，设于所述保护层与所述OLED器件之间且填充所述第三凹槽。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述保护层远离所述隔断层的一侧具有第二倒锐角区域。5.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述隔断层与所述第三垫高块为所述辅助阴极；所述隔断层与所述第三垫高块为金属导电材料。6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括：遮光层，设于所述基板上；缓冲层，设于所述遮光层以及所述基板上；半导体层，设于所述缓冲层上；栅极绝缘层，设于所述半导体层上；栅极层，设于所述栅极绝缘层上；所述层间绝缘层延伸至所述显示区且设于所述缓冲层上，所述显示区的层间绝缘层覆盖所述半导体层以及所述栅极层；源漏电极层，设于所述层间绝缘层上；钝化层，设于所述层间绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐乾坤，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：