半导体工艺的仿真方法技术

一种半导体工艺的仿真方法，包括：确定第一空间分布函数，并作为半导体工艺层在生长起始时的厚度与位置的分布函数，以及，确定第二空间分布函数，并作为所述半导体工艺层在生长结束时的厚度与位置的分布函数，其中，所述半导体工艺层通过生长工艺生长在基底材料层的表面；根据所述第一空间分布函数以及第二空间分布函数，确定所述半导体工艺层的各个位置的反应速度函数；根据所述反应速度函数，确定所述基底材料层在生长工艺中的点缺陷产生速率的仿真结果。本发明专利技术可以提高仿真结果的准确性，增强可靠性。增强可靠性。增强可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺的仿真方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体工艺的仿真方法。

技术介绍

[0002]随着芯片制造技术的进步，芯片关键尺寸越来越小，现在已经达到了10nm以下。随着工艺进步，计算机辅助设计与仿真技术(Technology Computer Aided Design，TCAD)仿真软件在工艺研发中的应用也越来越广泛，尤其是在热反应生长材料时注入点缺陷从而影响杂质扩散的情形中，采用仿真的方式对各个位置的杂质扩散浓度进行预测，能够为工艺优化奠定良好基础。
[0003]然而，目前业界主流的仿真(emulation)方法是采用一维模拟，如根据设定的全局数值来计算单一的反应速度，然后将该单一反应速度直接运用于计算二维或三维结构中氧化导致的杂质扩散的增强(或削弱)效应，会导致仿真准确性较低，可靠性不强。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体工艺的仿真方法，有机会体现不同位置的空间分布差异，提高仿真结果的准确性，增强可靠性。
[0005]为解决上述技术问题，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺的仿真方法，其特征在于，包括：确定第一空间分布函数，并作为半导体工艺层在生长起始时的厚度与位置的分布函数，以及，确定第二空间分布函数，并作为所述半导体工艺层在生长结束时的厚度与位置的分布函数，其中，所述半导体工艺层通过生长工艺生长在基底材料层的表面；根据所述第一空间分布函数以及第二空间分布函数，确定所述半导体工艺层的反应速度函数；根据所述反应速度函数，确定所述基底材料层在生长工艺中的点缺陷产生速率的仿真结果。2.根据权利要求1所述的半导体工艺的仿真方法，其特征在于，所述第一空间分布函数以及第二空间分布函数为：预设赋值函数、分段均匀函数、分段线性函数、指数函数、高斯函数以及余误差函数中的任意一种。3.根据权利要求2所述的半导体工艺的仿真方法，其特征在于，所述预设赋值函数为：f(x,y)＝T1；所述分段均匀函数为：f(x,y)＝N0，if x0‑
x
s
/2＜x＜x0+x
s
/2；所述分段线性函数为：f(x,y)＝N0x，if x＜0；f(x,y)＝N1x，if x＞0；所述指数函数为：或者，所述高斯函数为：或者，所述余误差函数为：其中，(x,y)用于表示仿真位置的x轴坐标以及y轴坐标，T1用于表示半导体工艺层的第一预设厚度值，N0用于表示半导体工艺层的第二预设厚度值，N1用于表示半导体工艺层的第三预设厚度值，N2用于表示半导体工艺层的第四预设厚度值，N3用于表示半导体工艺层的第五预设厚度值，(x0,y0)用于表示预设的参考位置的坐标，x
s
和y
s
分别表示分布函数在x和y
方向分布的特征长度。4.根据权利要求1所述的半导体工艺的仿真方法，其特征在于，所述半导体工艺层包含多个图案凸起；如果预设的参考位置位于相邻的图案凸起之间，则在以下多项中选择数学函数确定第一空间分布函数：预设赋值函数、分段均匀函数以及分段线性函数；以及，在以下多项中选择数学函数确定第二空间分布函数：分段线性函数、指数函数、高斯函数以及余误差函数。5.根据权利要求4所述的半导体工艺的仿真方法，其特征在于，所述第一空间分布函数为预设赋值函数：T1(x,y)＝T0；所述第二空间分布函数为高斯函数：T2(x,y)＝T0+0.01
×
exp(
‑
(x
‑
x0)
×
(x
‑
x0)/(2
×
x
s
×
x
s
)
‑
(y
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：