存储器设备及其操作方法技术

本公开的各实施例涉及存储器设备及其操作方法。实施例的非易失性存储器设备包括以行和列布置的存储器单元的阵列；多个局部位线；以及多个主位线，每个主位线可耦合到局部位线的对应的子集。每个列的存储器单元被耦合到对应的局部位线。存储器设备还包括列解码器，列解码器可以被电子地控制以便将每个主位线耦合到局部位线的对应的子集的选择的局部位线。列解码器将每个主位线耦合到对应的选择的局部位线的两个不同的点。部位线的两个不同的点。部位线的两个不同的点。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年12月23日提交的意大利申请No.102019000025411的权益，该申请通过引用并入本文。


[0003]实施例总体上涉及一种非易失性存储器设备及其操作方法，该存储器设备包括列解码器，该列解码器减小沿选择的局部位线的电压降。

技术介绍

[0004]相变存储器(PCM)通常利用具有在具有不同的电特性的相之间切换的特性的材料的特征以便存储数据。

技术实现思路

[0005]一个实施例的非易失性存储器设备包括：以行和列布置的存储器单元的阵列；多个局部位线；以及多个主位线，每个主位线可耦合到局部位线的对应的子集。每个列的存储器单元被耦合到对应的局部位线。存储器设备还包括列解码器，列解码器可以被电子地控制以便将每个主位线耦合到局部位线的对应的子集的选择的局部位线。列解码器被配置为将每个主位线耦合到对应的选择的局部位线的两个不同点。
[0006]在根据前述实施例的进一步的实施例中，每个局部位线包括第一点和第二点，对应的列的、属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器设备，包括：以行和列布置的存储器单元的阵列；多个局部位线；多个主位线，其中每个主位线可耦合到局部位线的对应的子集，并且其中每个列的所述存储器单元被耦合到对应的局部位线；以及列解码器，其中所述列解码器是电子可控的，以将每个主位线耦合到局部位线的所述对应的子集的选择的局部位线，并且其中所述列解码器被配置为将每个主位线耦合到对应的所述选择的局部位线的两个不同的点。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中每个局部位线包括第一点和第二点，所述对应的列的、属于第一行和最后一行的所述存储器单元分别地被耦合到所述第一点和所述第二点；并且其中所述列解码器被配置为将每个主位线耦合到对应的所述选择的局部位线的所述第一点和所述第二点。3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述列解码器包括第一子电路和第二子电路；其中，对于每个主位线，所述第一子电路包括用于局部位线的所述对应的子集的每个局部位线的对应的顶部开关，对应的所述顶部开关被设置在所述主位线与所述局部位线的所述第一点之间；并且其中，对于每个主位线，所述第二子电路包括用于局部位线的所述对应的子集的每个局部位线的对应的底部开关，对应的所述底部开关被设置在所述主位线与所述局部位线的所述第二点之间。4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述顶部开关和所述底部开关是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述第一子电路和所述第二子电路彼此相同，并且相对于存储器单元的所述阵列被对称地布置。6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中每个存储器单元包括相应的选择器和相应的相变元件，相应的所述相变元件被配置为具有第一电阻值或第二电阻值，所述第一电阻值和所述第二电阻值能够与对应的逻辑数据相关联。7.根据权利要求6所述的存储器设备，其中每个相应的选择器包括双极晶体管。8.一种电子装置，包括：存储器设备，包括：以行和列布置的存储器单元的阵列；多个局部位线；多个主位线，其中每个主位线可耦合到局部位线的对应的子集，并且其中每个列的所述存储器单元被耦合到对应的局部位线；以及列解码器，其中所述列解码器是电子可控的，以将每个主位线耦合到局部位线的所述对应的子集的选择的局部位线，并且其中所述列解码器被配置为将每个主位线耦合到对应的所述选择的局部位线的两个不同的点；控制器；以及
总线，电气地耦合所述控制器和所述存储器设备。9.根据权利要求8所述的电子装置，其中每个局部位线包括第一点和第二点，所述对应的列的、属于第一行和最后一行的所述存储器单元被分别地耦合到所述第一点和所述第二点；并且其中所述列解码器被配置为将每个主位线耦合到对应的所述选择的局部位线的所述第一点和所述第二点。10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述列解码器包括第一子电路和第二子电路；其中，对于每个主位线，所述第一子电路包括用于局部位线的所述对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：