一种深紫外与可见光双波长LED封装结构制造技术

本实用新型专利技术属于半导体制造技术领域，具体涉及一种深紫外与可见光双波长LED封装结构。包括陶瓷基板、金属围坝、石英盖板、深紫外LED芯片、可见光LED芯片、上表面导电金属焊盘和下表面导电金属焊盘；所述的深紫外LED芯片、可见光LED芯片焊接在上表面导电金属焊盘，所述上表面导电金属焊盘和下表面导电金属焊盘通过导电柱连接，所述石英盖板位于金属围坝上部，所述金属围坝内壁与陶瓷基板呈一定倾斜角度。本实用新型专利技术提供了一种LED封装结构，通过采用带有倾斜角度的铝合金材质金属围坝作为封装的侧壁结构，来提高深紫外光的反射率。来提高深紫外光的反射率。来提高深紫外光的反射率。

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外与可见光双波长LED封装结构


[0001]本专利技术属于半导体制造技术相关领域，具体涉及一种深紫外与可见光双波长LED封装结构。

技术介绍

[0002]基于AlGaN(氮化镓铝)材料的深紫外发光二极管(UV
‑
LED)，相比于传统紫外光源，具有体积小、重量轻、寿命长、绿色环保、可频繁开关等优点。近年来深紫外LED在消毒方面得到广泛应用，例如净水消毒、空气消毒、物体表面消毒等。
[0003]但与可见光LED不同，目前AlGaN基深紫外LED正处于技术发展期，存在深紫外LED芯片的内量子效率低以及现有深紫外LED封装结构出光效率低等问题。现有的封装结构内壁与基板相互垂直，存在较多内部反射，深紫外LED芯片发出的光只有向上方向的光才能够透过石英盖板。现有封装主要采用环氧树脂、硅胶等有机聚合物材料粘结石英盖板和封装结构侧壁，然而长时间紫外辐照容易导致粘结材料的辐射老化而丧失气密性。因此需要进一步改善深紫外LED封装结构，以增强深紫外LED芯片所产生的紫外线的出光率和减缓封装粘结材料和粘结方式的老化失效问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外与可见光双波长LED封装结构，其特征在于：包括陶瓷基板(1)、金属围坝(2)、石英盖板(3)、深紫外LED芯片(5)、可见光LED芯片(6)、上表面导电金属焊盘(8)和下表面导电金属焊盘(9)；所述的深紫外LED芯片(5)、可见光LED芯片(6)焊接在上表面导电金属焊盘(8)，所述上表面导电金属焊盘(8)和下表面导电金属焊盘(9)通过导电柱(4)连接，所述石英盖板(3)位于金属围坝(2)上部，所述金属围坝(2)内壁与陶瓷基板(1)呈一定倾斜角度。2.根据权利要求1所述的深紫外与可见光双波长LED封装结构，其特征在于：所述金属围坝(2)内壁与陶瓷基板(1)的倾斜角度在45
°
～60
°
。3.根据权利要求1或2所述的深紫外与可见光双波长LED封装结构，其特征在于：所述金属围坝(2)的上方设有用于承托固定石英盖板(3)的承托结构，和/或所述的石英盖板(3)为圆形，其侧壁表面具有金属镀层(31)。4.根据权利要求3所述的深紫外与可见光双波长LED封装结构，其特征在于：所述承托结构为台阶结构，和/或所述石英盖板(3)与金属围坝(2)的缝隙之间具有通过铜锡金属焊料粘结形成的粘结层(32)结构。5.根据权利要求3所述的深紫外与可见光双波长LED封装结构，其特征在于：所述石英盖板(3)的下表面具有AF2400特氟龙树脂层。6.根据权利要求5所述的深紫外与可见光双波长LED封装结构，其特征在于：所述的AF2400特氟龙树脂层厚度为50～100μm，和/或所述的金属围坝(2)为铝合金材质，其高度为2～2....

【专利技术属性】
技术研发人员：李文涛，孟倩，陈琦，郭翔宇，
申请(专利权)人：南京同开环保科技有限公司，
类型：新型
国别省市：