一种组合式碳化硅承烧架制造技术

本实用新型专利技术具体涉及一种组合式碳化硅承烧架，包括碳化硅烧结的承烧板和立柱，承烧板为方形，每个承烧板对应4个立柱，其特征在于立柱由上端头、中柱和下端头组成，上端头的截面为上大下小的梯形，下端头的截面为下大上小的梯形，承烧板的下端面四个边角处设有下立柱卡槽，所述下立柱卡槽的截面为上大下小的梯形，下立柱卡槽外侧开放，承烧板下方4个立柱的上端头分别插入承烧板的4个下立柱卡槽中。本实用新型专利技术具有结构合理、使用方便、稳定性好的优点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种组合式碳化硅承烧架


[0001]本技术具体涉及一种组合式碳化硅承烧架。

技术介绍

[0002]在陶瓷、碳化硅等产品烧结时，为了尽可能多的利用窑炉内空间，提高烧结效率，普遍会在窑炉中搭接承烧架，传统的承烧架包括承烧板和立柱，承烧板的四个边角处放置4个立柱，然后在立柱上端再放置承烧板，层层叠加形成高度较高的承烧架，在每层的承烧板上放置待烧结的坯体。传统结构的承烧架存在稳定性差的缺陷，原因是承烧板仅仅依靠重力压在立柱上，承烧板和立柱之间连接不牢固。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种组合式碳化硅承烧架，其在承烧板的四个边角处设置立柱卡槽，碳化硅立柱的上下两端分别插入碳化硅承烧板的立柱卡槽中组合成承烧架，承烧架组装快，稳定性好。
[0004]本技术是通过如下技术方案来实现的：
[0005]即一种组合式碳化硅承烧架，包括碳化硅烧结的承烧板和立柱，承烧板为方形，每个承烧板对应4个立柱，其特征在于立柱由上端头、中柱和下端头组成，上端头的截面为上大下小的梯形，下端头的截面为下大上小的梯形，承烧板的下端面四个边角处设有下立柱卡槽，所述下立柱卡槽的截面为上大下小的梯形，下立柱卡槽外侧开放，下立柱卡槽略大于立柱的上端头，4个立柱的上端头分别插入承烧板的4个下立柱卡槽中。
[0006]本技术立柱的上端头和承烧板边角处的立柱卡槽均为梯形结构，立柱和承烧板之间采用插接的方式连接，插接后立柱和承烧板连接牢固，安装和拆卸快捷方便。
[0007]承烧架叠加时，立柱的下端头直接放置在下层承烧板的上端面即可。
[0008]进一步的，承烧板的上端面4个边角处设有上立柱卡槽，上立柱卡槽位置与下立柱卡槽位置对应，上立柱卡槽的截面为下大上小的梯形，其外侧开放，承烧板上方4个立柱的下端头分别插入承烧板的4个上立柱卡槽中。
[0009]当承烧板设置上立柱卡槽时，承烧架叠加时，立柱下端头插接在下层承烧板的上立柱卡槽中，承烧架稳定性更好。
[0010]为了更方便承烧架搭接，进一步的，本技术的每个立柱的上端头、下端头大小相同，每个承烧板的上立柱卡槽和下立柱卡槽的大小相同。通过上述设置，在搭接时，无需区分立柱上、下端头和承烧板的上、下立柱卡槽，盲插即可，提高搭接效率。
[0011]本技术的承烧板和立柱均为碳化硅烧结一体成型，其强度高、耐高温性能好。
[0012]本技术具有结构合理、使用方便、稳定性好的优点。
附图说明
[0013]图1为本技术实施例1承烧板的结构示意图；
[0014]图2为图1的俯视图；
[0015]图3为本技术实施例1承烧板和立柱连接示意图；
[0016]图4为本技术实施例1承烧架组合示意图；
[0017]图5为本技术实施例2承烧板的结构示意图；
[0018]图6为本技术实施例2承烧架组合示意图；
[0019]图7为本技术立柱的结构示意图。
[0020]如图中所示：1.承烧板；2.下立柱卡槽；3.立柱；4.上立柱卡槽；5.上端头；6.中柱；7.下端头。
具体实施方式
[0021]下面将结合附图对本技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本技术的保护范围。需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域技术人员所理解的通常意义。
[0022]实施例1
[0023]如图1、图2、图3、图4、图7所示：方形的承烧板1整体由碳化硅烧结而成，其下端面4个边角处分别设有1个下立柱卡槽2，4个下立柱卡槽2大小相同，其截面为下小上大的梯形，下立柱卡槽2的外侧开放，立柱由中柱6、上端头5和下端头7组成，上端头5和下端头7的截面均为梯形，两者大小相同，对称在立柱6上下两端，下立柱卡槽2略大于上端头5。
[0024]本实施例的承烧板1和立柱3组装时，如图3所示，将4个立柱3的上端头5分别插入4个下立柱卡槽2中即可。
[0025]本实施例搭接承烧架时，如图4所示：将组装后的承烧板1和立柱3依次叠加即可，立柱3的下端头7放置在下层承烧板1的上端面上。
[0026]实施例2
[0027]如图5、图6、图7所示：方形的承烧板1上端面4个边角处设有上立柱卡槽4，上立柱卡槽4的位置与下立柱卡槽2的位置对应，上立柱卡槽4的大小和下立柱卡槽2的大小相同。其他同实施例1。
[0028]本实施例的承烧板1和立柱3组装时与实施例1相同，只是其并不需要区分承烧板上端面和下端面。
[0029]本实施例搭接承烧架时，如图6所示：将组装后的承烧板1和立柱3依次叠加，立柱3的下端头7插入下层承烧板1的上立柱卡槽4中。
[0030]以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本技术的权利要求和说明书的范围当中。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种组合式碳化硅承烧架，包括碳化硅烧结的承烧板和立柱，承烧板为方形，每个承烧板对应4个立柱，其特征在于立柱由上端头、中柱和下端头组成，上端头的截面为上大下小的梯形，下端头的截面为下大上小的梯形，承烧板的下端面四个边角处设有下立柱卡槽，所述下立柱卡槽的截面为上大下小的梯形，下立柱卡槽外侧开放，承烧板下方4个立柱的上端头分别插入承烧板的4个下立柱卡槽中。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王光发，
申请(专利权)人：淄博文发新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：